Способ исследования параметров электронных

 

СПИ ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

243891

Сомо Сееетеиил

Социолистическип

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл. 421, 8/02

Заявлено 22.V1.1965 (№ 1013617/26-10) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 14.Ч.1969. Бюллетень ¹ 17

Дата опубликования описания 1.Х.1969

Комитет по делам иообретоиий и открытий при Соеете Министров

СССР

МПК G Olk

УДК 621.396,6.001. .4 (088.8) Автор изобретения

В, H. Ктитарев

Ижевский мотозавод

Заявитель

СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОННЫХ

СХЕМ НИЗКОЙ ЧАСТОТЫ ПРИ КЛИМАТИЧЕСКИХ

ВОЗДЕЙСТВИЯХ

В промышленной практике часто приходится проводить всестороннее исследование параметров схем с температурночувствительными элементами, например с транзисторами, для определения стабильности выходных контролируемых параметров данных схем в различных климатических условиях. Подобная задача возникает как при разработке и исследовании новых схем, так и при модернизации уже запущенных в серийное производство приборов.

Известны способы климатических испытаний, состоящие из многочасовых циклов, согласно которым панель со смонтированной испытуемой схемой или же только одни температурночувствительные элементы, подсоединенные электрически к схеме, помещают в камеру и устанавливают заданную температуру со скоростью 1 — 2 град/лшн и длительную (от 0,5 до 4 час) выдержку при заданной температуре. В случае необходимости повторения цикла температурных испытаний (нормальная температура, тепло, холод) в результате изменения, например, параметров проверяемой схемы длительно сушат панель после пребывания при отрицательной температуре во избежание появления инея и влаги.

При натурных температурных испытаниях нет практической возможности проводить всестороннее изучение схем данного класса, gc подоирать оптимальные схемные структуры и оптимальные номиналы элементов, обеспечивающие минимизацию температурной нестабильности, несмотря на большое время, за5 трачиваемое на эти работы.

Предложенный способ позволяет ускорить процесс исследования испытаний. Это достигается тем, что каждый температурночувствительный элемент схемы заменяют тремя тем10 пературночувствительными элементами, установленными стационарно в камерах нормальной температуры, тепла и холода с фиксированными значениями температур, а температурный цикл — нормальная температура, теп15 ло, холод — осуществляют поочередным подключением испытуемой схемы к коммутационному устройству соответствующей камеры.

При проведении испытаний по предлагаемому способу используют простую коммутацион20 ную приставку для смены температурночувствительных элементов. Множество температурночувствительных элементов разбивают на три группы. Одну группу помещают в камеру холода, вторую — в камеру тепла, а третью—

25 в камеру или просто помещение с нормальными условиями.

Фиксирование изменения каких-либо контролируемых выходных параметроМ, например коэффициента усиления для транзисторного

30 усилителя, при последовательной коммутации

243891

Составитель И. И. Дубсон

Редактор И. С. Грузова Текрсд Л. Я. Левина Корректор О. И. Усова

Заказ 2448/15 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 (смене) транзисторов трех групп позволяет получить полную информацию о величине климатической стабильности данной схемы с учетом производственного разброса параметров транзисторов.

Для ускоренного проведения исследования параметров вместо весьма длительного и трудоемкого поочередного изменения температуры окружающей среды и сравнения выходных контролируемых параметров схемы при различных климатических условиях проводят поочередное подключение к схеме температурночувствительных элементов, например транзисторов, находящихся в различных температурных условиях (в камерах тепла, холода и при нормальной температуре), и сравнение выходных контролируемых параметров схемы при подключении температурночувствительных элементов.

Таким образом, предложенный способ обеспечивает ускоренное проведение климатических испытаний благодаря сокращению времени натурного температурного цикла с нескольких часов до нескольких секунд и сводит данный цикл к реакции исследуемой схемы на три коммутационных переключения.

Описываемый способ можно широко использовать для сокращения сроков работ по разработке и модернизации устройств с температурночувствительными элементами, например, для всестороннего исследования схем указанного класса, при выборе оптимальных схемных

5 структур или же оптимальных номиналов входных устанавливаемых параметров по критерию минимизации температурных изменений выходных контролируемых параметров исследуемой схемы. Процесс работы по дан10 ному способу удобен для автоматизации.

Предмет изобретения

Способ исследования параметров электронных схем низкой частоты при климатических

15 воздействиях путем воздействия температуры только на температурночувствительные элементы, отличающийся тем, что, с целью ускорения процесса исследований, каждый температурночувствительный элемент схемы заме20 няют тремя температурночувствительными элементами, каждый из которых установлен стационарно в камерах нормальной температуры, тепла и холода с фиксированными значениями температур, а уоведение схемы в за25 висимости от температурного воздействия оценивают путем поочередного подключения испытуемой схемы к коммутационному устройству соответствующей камеры.