Способ очистки веществ

 

О П И С A Н И Е 253775

ИЗОБРЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 16.VI1.1968 (№ 1258351/22-1) с присоединением заявки № 1258352j22-1

Приоритет

Опубликовано 07.Х.1969. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 22.IV.1970

Кл. 12оо, 17/08

МПК В Olj

УДК 669.054(08$.8) Комитет по лелазт изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. H. Вигдорович, А. П. Колеснев, В. В. Марычев и А. Е.:; Вольпян.

Ю !

Заявитель

СПОСОБ ОЧИСТКИ ВЕЩЕСТВ

Предмет изобретения

Предлагаемый способ может быть использован преимущественно при получении металлов и полупроводниковых материалов высокой степени чистоты.

Известен способ очистки веществ зонной 5 перекристаллизацией горизонтально расположенной загрузки, в котором в начале прохода зоны производится слив очищенного:гродукта, а в конце прохода — слив загрязненного материала и подпитки исходным мате- 10 риалом.

По предлагаемому способу поверхность расплавленной зоны в начале прохода покрывают слоем расплавленного флюса, активного .по отношению к содержащимся в очи- 15 щаемом веществе примесям, причем в течение прохода зоны слой флюса перемещают вместе с зоной при .помощи пластины, край которой погружают в расплав ниже границы между жидкими фазами, с последующим сли- 20 вом его в конце прохода вместе с загрязненным материалом.

Это дает возможность повысить степень чистоты получаемого продукта.

По описываемому способу исходный мате- 25 риал помещают в горизонтально или наклонно расположенный контейнер, снабженный питателем и устройствами для слива расплавленного материала в начале прохода и в конце прохода:перед питателем. 30

Процесс начинается с расплавления начального участка слитка и слива части расплава, после чего поверхHîсть зоны покрывают слоем расплавленного флюса, активного по отношению к примесям. содержащимся в очищаемом веществе. В процессе зонной перекристаллизации примеси из расплава экстрагируются флюсом, в результате чего происходит дополнительная очистка вещества.

Флюс перемещают в течение прохода вместе с зоной, для чего в расплав у фронта кристаллизации опускают пластину, длина которой равна ширине зоны. Край пластины погружают в расплав ниже границы между жидкими фазами, поэтому при кристаллизации не происходит захвата частичек флюса. В конце прохода флюс сливают вместе с загрязненным материалом и подпитывают исходным матери алом.

Способ очистки веществ зонной псрскрнсталлнзацией со сливом очищенного продукта в начале прохода зоны, сливом загрязненного материала в конце прохода и подпиткой исходным материалом, от.шчающ шся тем, что, с целью повышения чистоты получаемого продукта, поверхность расплавленной зоны после слива продукта покрывают слоем рас253775

Составитель Т. Г. Фирсова

Текред Л. В. Куклина

Редактор В. Фельдман

Корректоры: Л. Корогод и А. Абрамова

Заказ 377)4 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Москва Ж-35, Раушская наб., д. 4 5

Типографии, пр. Сапунова, 2 плавленного флюса, активного по отношению к содержащимся в очищаемом веществе примесям, причем в течение прохода зоны слой флюса перемещают вместе,с зоной при помощи пластины, край которой погружают в расплав ниже границы между жидкими фазами, с последующим сливом его в конце прохода вместе с загрязненным материалом.

Способ очистки веществ Способ очистки веществ 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к способам получения кристаллов, а именно к способу получения монокристаллов хризоберилла и его разновидностей, в том числе его хромсодержащей разновидности - александрита, и может быть использовано для получения высококачественного ограночного сырья в ювелирной промышленности и для изготовления элементов квантовой электроники

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов разлагающихся полупроводниковых соединений А3В 5 методом Чохральского, в частности при выращивании монокристаллов фосфидов галлия и индия и арсенида галлия из-под слоя борного ангидрида

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии получения монокристаллов фосфида индия методом Чохральского из-под слоя борного ангидрида под давлением инертного газа
Изобретение относится к технологии получения объемных кристаллов александрита, которые могут быть использованы в качестве высококачественного сырья для изготовления оптических элементов лазерных систем

Изобретение относится к способам получения монокристаллов фосфида галлия и позволяет уменьшить плотность дефектов структуры и.предотвратить растрескивание монокристаллов диаметром более 50 мм
Наверх