Высокочастотный контур

Авторы патента:

H05H1 - Плазменная техника (термоядерные реакторы G21B; ионно-лучевые трубки H01J 27/00; магнитогидродинамические генераторы H02K 44/08; получение рентгеновского излучения с формированием плазмы H05G 2/00); получение или ускорение электрически заряженных частиц или нейтронов (получение нейтронов от радиоактивных источников G21, например G21B,G21C, G21G); получение или ускорение пучков нейтральных молекул или атомов (атомные часы G04F 5/14; устройства со стимулированным излучением H01S; регулирование частоты путем сравнения с эталонной частотой, определяемой энергетическими уровнями молекул, атомов или субатомных частиц H03L 7/26)

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К азтОРСКОМУ СВИДЕтЕЛЬСтВ

254680

Союз Советских

Социалистических

Республик у "

/ !

29/03

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 26.Ч.1966 (№ 1079233/26-25) с присоединением заявки №вЂ”

Приоритет

Опубликовано 17.Х.1969. Бюллетень ¹ 32

Дата опубликования описания 5.III.1970

Кл. 21h, МПК Н 05h

УДК 533.9.07(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

А. В, Лонгинов и Г. Я. Нижник

Физико-технический институт АН УССР

Заявитель

ВЬ СОКОЧАСТОТНЫИ КОНТУ

Изобретение относится к устройствам для высокочастотного нагрева, например для нагрева плазмы.

Известны контуры, предназначенные для этой цели и содержащие отрезки проводников, которые в виде секторов расположены вокруг рабочего объема и соединены между собой конденсаторами. Такие контуры р ассчитаны на работу при больших уровнях мощности и обладают низким волновым сопротивлением. Повышение эффективности использования энергии требует снижения паразитной индуктивности, что, однако, является сложной задачей.

В описываемом контуре для снижения паразитной индуктивности применена специальная конструктивная схема включения конденсаторов, при этом одновременно удается снизить напряжение на конденсаторах.

На чертеже изображена схема контура.

Высокочастотный контур содержит отрезки проводников 1, которые в виде секторов располох<ены вокруг рабочего объема 2, занятого, например, плазмой. Контур выполнен из двух витков, причем зазоры между секторами одного витка расположены против середины секторов другого витка, а конденсаторы 8 включены между смежными секторами разных витков и распределены вдоль секторов с равномерным шагом.

3апитка контура от высокочастотного ге5 нератора может быть осуществлена одним из известных способов.

В ряде случаев, например,для создания пространственной периодичности магнитного поля при возбуждении ионно-циклотронных

10 или магнито-звуковых волн, в плазме возможно применение нескольких таких контуров.

Предмет изобретения

Высокочастотный контур, например для на15 грева плазмы, содержащий отрезки проводников, которые в виде секторов расположены вокруг рабочего объема и соединены между собой конденсаторами, отличающпйся тем, что, с целью снижения напряжения на кон20 денсаторах и уменьшения паразитной индуктивности, проводники расположены по двум концентрическим окружностям так, что зазоры между проводниками на одной окружности расположены против середины проводни25 ков другой, а конденсаторы включены между смежными проводниками и равномерно распределены вдоль секторов, 254680

Составитель Е. П. Кононов

Техред Л. Я. Левина Корректор Т. А. Абрамова

Редактор Горшкова

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 420j6 Тираж 480 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва 7К-35, Раушская наб., д. 4!5

Высокочастотный контур Высокочастотный контур 

 

Похожие патенты:
Наверх