Устройство для измерения знакопеременности обратного тока полупроводниковых приборов

 

276258

ОПИСАНИЕ

ИЗОЬРИТИНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Социалистическив

Ресотблик .

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 16.XII.1967 (М 1203554/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 15.V.1972. Бюллетень № 16

Дата опубликования описания 28.VI.1972

М. Кл. G Olr 19/00

Комитет по делам изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.317.799:621. .382.2 (088.8) Авторы изобретения

E А. Исаев, А. В. Выборнов и В. 3. Лубяный"-"t

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЗНАКОПЕРЕМЕННОСТИ

ОБРАТНОГО ТОКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к устройствам измерения знакопеременности обратного тока полупроводниковых приборов, например диодов, и применяется в электронной .промышленности для измерения параметров,полупроводниковых приборов.

Известны устройства для измерения знакопеременности обратного тока лолупроводииковых приборов, например диодов, содержащие усилитель, емкостной элемент памятй, схему сравнения и схему индикации.

В известных устройствах значения -обратного тока определяется только в- начале и. в конце испытательного промежутка времени.

Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что емкостной элемент памяти через, перекидной контакт реле подключен к разрядному сопротивлению и к источнику опорного напряжения. Кроме того, для осуществления автоматического непрерывного слежения за изменением обратного тока вовремя всего испытательного промежутка времени и фиксирования изменения величины обратного тока в ту или иную сторону в предлагаемом устройстве используется заряд конденсатора для некоторого потенциала пропор ционально установившемуся значению обратного тока для первоначальной фиксации уровня обратного тока, что позволяет определить знакопеременность обратного тока.

Слежение за изменениями обратного тока от первоначально зафиксированного уровня в сторону увеличения или уменьшения осуществляется изменением потенциала конденсатора

5 пропорционально изменениям тока. Знак разности между фиксированными и текущим значениями обратных токов запоминается с помощью релейных элементов памяти, На чертеже представлено описываемое уст10 ройство.

На лампе 1 выполнен сложный катодный повторитель,. обеопечивающий постоянство напряжения на конДенсаторе 2, так как сопротивление между сеткой верхней (по схеме) половины лампы и нулевой птиной равно (1 — 3) 10 0 ом. Такое высокое сопротивление предотвращает разряд конденсатора за счет сеточных токов лампы в течение всего периода измерения.

Конденсатор заряжается от источника — Е через резисторы 8 и 4, а разряжается через резистор 8. Схема сравнения выполнена на лампе 5. На вход Вх> подается напряжение, пропорциональное обратному току диода. На

2S вход Вх,подается напряжение, снимаемое с катодного повторителя, причем это напряжение,пропорционально напряжению, до которого зарядился конденсатор.

Сигнальная лампа б включается контакта30 ми реле 7 и 8 и служит для индикации зна276258 копеременности обратного тока. Знак отклонения обратно го тока запоминается с помошью реле 7 и 8. Общий сброс памяти (реле 7 и 8) после окончания измерения îñóществляется управляющим контактом 9.

Предлагаемое устройство работает следующим образом.

Первоначально на конденсаторе заряд отсутствует, так как конденсатор замкнут накоротко контактом 10. Перед измерением контакт 10 размыкается и на вход Вх1 поступает напряжение, пропорциональное обратному току измеряемого полупроводникового диода.

Равновесие схемы сравнения (лампа 5) нарушается, так как на Вх напряжения еще нет, поляризованное реле 11 сра|батывает и подключает конденсатор при помощи контакта 12 к зарядной цепи. Происходит заряд конденсатора по цепи, состоя щей из резисторов

8 и 4.,По мере заряда конденсатора происходит рост отрицательного на пряжения на выходе катодного повторителя.

При равенстве напряжений на входах схемы сравнения Вх и Вх последняя схема приходит в равновесие, реле li обесточивается и отключает конденсатор от зарядной цепи. В это время замыкается управляющий контакт

9, подготавливающий цепь сигнализации к работе. Таким образом, напряжение на конденсаторе равно на пряжению на входе Вх,.

При неизменном входном напряжении, пропорциональном обратному току, равновесие поддерживается приблизительно в течение

1 — 2 мин, по истечении которого диод счита4 ется годным. Если же в течение 1 — 2 мин произошло уменьшение напряжения на входе

Вх>, равновесие схемы сравнения нарушается, реле 11 срабатывает и контактом 12 замыкает цепь разряда конденсатора.

Разряд конденсатора происходит до установления нового равновесия схемы сравнения.

Контакт 18 реле 11 замыкает цепь реле 7, которое ставится на самоблокировку. Таким

10 образом происходит запоминание уменьшения обратного тока диода.

Далее, если в течение этого же времени входное напряжение возрастает на Вх1 (что пропорционально возрастанию обратното то15 ка измеряемого диода), равновесие схемы сравнения нарушается вторично, реле 11 срабатывает B другую сторону, замыкается цепь реле 8 (контактом 18) и загорается лампа б, сигнализирующая о том, что диод отбракован

20 по параметру знакопеременности обратного тока.

Предмет изобретения

25 Устройство для измерения знакопеременности обратного тока полупроводниковых .приборов, например диодов, содержащее усилитель, емкостной элемент памяти, схему сравнения и схему индикации, отличающееся

30 тем, что, с целью автоматизации процесса измерения, емкостной элемент памяти через перекидной контакт реле аодключен к разрядному сопротивлению и к источнику опорного напряжения.

ЦНИИПИ

Заказ 1934/4 Изд. № 844 Тираж 448

Типография, пр. Сапунова, 2

Подписное

Устройство для измерения знакопеременности обратного тока полупроводниковых приборов Устройство для измерения знакопеременности обратного тока полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх