Искусственный эритроцинкит



Искусственный эритроцинкит
Искусственный эритроцинкит
Y10S63/00 -
Y10S63/00 -
C01P2002/50 - Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B 35/00; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P 3/00; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)

Владельцы патента RU 2701822:

Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) (RU)

Изобретение относится к искусственным ювелирным кристаллам. Предлагается искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка, сульфид марганца и сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия Al2S3 - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5, сульфид цинка ZnS - остальное. Кристаллы имеют насыщенную оранжевую окраску и фосфоресцируют после облучения естественным дневным светом. 2 ил., 1 табл., 1 пр.

 

Изобретение относится к новым химическим соединениям, а именно, к искусственным ювелирным кристаллам.

Природные и искусственные кристаллы соединений AIIBVI-сфалерит (сульфид цинка с кубической структурой), вюрцит (гексагональный сульфид цинка) и гринокит (сульфид кадмия) относятся к ювелирным кристаллам [Дж. Синкенкенс. Руководство по обработке драгоценных и поделочных камней. М.: Мир, 1989, с. 328, 335, 388]. Относящийся к этой же группе минералов эритроцинкит ZnMnS также перспективный ювелирный материал. Эритроцинкит не растворим в воде, слабых кислотах и щелочах, а также в органических растворителях, в силу чего инертен по отношению к организму человека. Однако до настоящего времени он не получил широкого распространения из-за отсутствия кристаллов красивых окрасок.

Известен природный эритроцинкит [X. Штрунц. Минералогические таблицы. М.: Гос. науч.-тех. изд-во литературы по горному делу, 1962, с. 88]. Это минерал (Zn, Mn)S, цвет которого характеризуется как красный, просвечиващий. Природный минерал не имеет определенного состава и обычно содержит примеси, что приводит к недостаточной прозрачности для применения в ювелирных изделиях.

Известен искусственный сульфид цинка, легированный марганцем [М.Ф. Буланый, Б.А. Полежаев, Т.А. Прокофьев. Многоцветный источник света на основе сульфида цинка. Журнал технической физики, 1997, т. 67, №10, с. 132-133] - прототип. Этот материал, получаемый в виде объемных кристаллов, можно рассматривать как искусственный эритроцинкит, так как он содержит основные компоненты эритроцинкита - цинк, серу и марганец. Недостатком таких кристаллов является низкое содержание марганца, составляющее 0,0005% (масс.), что приводит к недостаточно насыщенной окраске оранжевого цвета. Из данных авторов прототипа видно, что это связано с наличием в спектрах люминесценции кристаллов не только оранжевой, но и интенсивной голубой полосы. Кроме того, такой материал имеет низкую твердость (3,5 по шкале Мооса). Таким образом, эти кристаллы непригодны для применения в ювелирных изделиях.

Задачей предлагаемого изобретения является создание искусственного эритроцинкита, имеющего интенсивную окраску и пригодного для применения в ювелирных изделиях.

Заявленная задача достигается тем, что предложен искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка и сульфид марганца, дополнительно содержащий сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов (в массовых процентах):сульфид алюминия Al2S3 0,001-0,01, сульфид марганца MnS 0,2-0,5, сульфид цинка ZnS - остальное.

Кристаллы искусственного эритроцинкита такого состава имеют насыщенный оранжевый цвет (Фиг. 1), что также подтверждается спектром люминесценции, снятым при оптическом возбуждении (Фиг. 2). После освещения кристаллов естественным дневным светом наблюдается фосфоресценция. Твердость таких кристаллов 4,5 по шкале Мооса.

На Фиг. 1 показан кристалл искусственного эритроцинкита предлагаемого состава с огранкой «кабошон».

На Фиг. 2 показан спектр люминесценции искусственного эритроцинкита предлагаемого состава, снятый при оптическом возбуждении светоизлучающим диодом с максимумом излучения на длине волны 405 нм. Видно, что интенсивность оранжевой полосы в спектре высокая (на графике Фиг. 1 она принята за 100%), а интенсивность голубой полосы существенно ниже (20% от интенсивности оранжевой полосы).

Сочетание насыщенного цвета, фосфоресцентного свечения и относительно высокой твердости позволяет применять кристаллы в ювелирных изделиях. Наличие фосфоресцентного свечения после освещения естественным дневным светом является новым потребительским свойством материала. Длительность фосфоресценции зависит от яркости естественного света и может достигать 10% от времени предварительного освещения.

Предлагаемый состав выбран экспериментально. При содержании MnS менее 0,2% масс., окраска кристаллов становится бледной, а при содержании MnS выше 0,5% масс., - темной, кристаллы теряют прозрачность, одновременно гасится фосфоресценция.

При содержании Al2S3 менее 0,001% масс., не наблюдается фосфоресцентного свечения, твердость кристаллов падает до 4 по шкале Мооса. При концентрации Al2S3 выше 0,01% масс., наблюдается погасание фосфоресценции, что ухудшает потребительское качество кристаллов.

Пример 1.

Смесь порошков MnS (0,35% масс.), Al2S3 (0,0035% масс.) и ZnS (99,6465% масс.) загружают в графитовый тигель, который помещают в устройство для выращивания кристаллов. Загрузку расплавляют и проводят направленную кристаллизацию под давлением аргона 10 МПа со скоростью 5 мм/час. Получен кристалл искусственного эритроцинкита насыщенного оранжевого цвета, фосфоресцирующий после освещения естественным дневным светом.

Другие примеры составов приведены в таблице.

Искусственный эритроцинкит, имеющий в своем составе сульфид цинка и сульфид марганца, отличающийся тем, что он дополнительно содержит сульфид алюминия при следующем соотношении компонентов, мас.%: сульфид алюминия Al2S3 - 0,001-0,01, сульфид марганца MnS - 0,2-0,5, сульфид цинка ZnS - остальное.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к монокристаллам литиевых халькогенидов, предназначенных к применению в нелинейной оптике для реализации перестройки лазерного излучения видимого и ближнего ИК-диапазона в средний ИК-диапазон.

Изобретение может быть использовано при создании тонкопленочных солнечных батарей. Для получения монозеренных кестеритных порошков используют прекурсорные смеси, состоящие из Cu2Se, CuSe, ZnS и SnSe2.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к способу получения поликристаллов четверных соединений ALnAgS3 (A=Sr, Eu; Ln=Dy, Но) моноклинной сингонии со структурой типа BaErAgS3, которые перспективны для применения в качестве люминофоров, полупроводников и неметаллических ферромагнетиков, оптических материалов.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается способа изготовления фильтров для ИК-диапазона. Способ заключается в выращивании из смеси бинарных компонент ZnSe и ZnS кристаллического слитка твердого раствора с перепадом температуры между зонами испарения и кристаллизации.

Изобретение может быть использовано в производстве элементов микроэлектроники, сенсорной техники. Гольмий-марганцевый сульфид с гигантским магнитосопротивлением включает марганец и серу и дополнительно содержит гольмий при следующем соотношении компонентов, мас.%: гольмий 2,5-15, марганец 47,5-35, сера 50.

Изобретение относится к неорганической химии, а именно к получению сульфида галлия (II), являющегося перспективным материалом для полупроводниковой оптоэлектронной техники и инфракрасной оптики.

Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно – к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, широко используемых в изделиях оптоэлектроники в ИК-диапазоне 1-5 мкм, лазерной и сенсорной технике.

Изобретение относится к технологии получения селенида индия(III), широко используемого в микроэлектронике для получения детекторов ядерного излучения и при создании преобразователей солнечного излучения в качестве основы для такого материала, как диселенид меди(I) и индия CuInSe2.

Изобретение относится к коллоидной химии и нанотехнологии и может быть использовано в производстве люминесцентных материалов, сверхминиатюрных светодиодов, источников белого света, одноэлектронных транзисторов, нелинейно-оптических устройств, фоточувствительных и фотогальванических устройств.

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения.

Изобретение относится к области металлургии, а именно к технологии производства магнитных сплавов системы железо-алюминий-никель-кобальт, применяемых для получения постоянных магнитов электродвигателей и навигацинных устройств.

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов многокомпонентных фторидов со структурой флюорита в системах MF2-CeF3, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий.

Изобретение относится к технологии получения монокристаллических материалов для лазерной техники, предназначенных для модуляции добротности лазерного излучения (пассивным лазерным затворам - ПЛЗ).

Изобретение относится к материалам детекторов для регистрации ионизирующего излучения, а также может быть использовано как оптический материал для ИК-оптики, лазерной техники, акустооптики.

Изобретение относится к сцинтиллятору, который может быть использован в качестве детектора рентгеновского излучения в медицине, при досмотре вещей в аэропортах, досмотре грузов в портах, в нефтеразведке.

Изобретение относится к оптическим средам на основе кристаллических галогенидов, а также к способу их получения и может быть использовано в системах оптической связи.

Изобретение относится к оптическим средам на основе кристаллических галогенидов и может быть использовано в системах оптической связи в качестве широкополосных усилителей и лазеров.
Изобретение относится к способам выращивания ориентированных поликристаллов кремния из расплавов методами направленной кристаллизации и рассчитано на получение материала для изготовления пластин для фотоэлектропреобразователей (солнечных батарей) из металлургического кремния.

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов и может быть использовано в лазерном приборостроении, в частности, для изготовления активных элементов перестраиваемых лазеров среднего инфракрасного (ИК) диапазона, основным применением которых является медицина, спектроскопические исследования, а также контроль загрязнения окружающей среды.

Изобретение относится к способу получения твердых полупроводников, более конкретно к кремнию в форме слитков или полос, используемых для производства субстратов фотогальванических элементов.

Изобретение относится к химии и может быть использовано при производстве люминесцентных материалов для источников и преобразователей света. Готовят реакционную смесь механическим перемешиванием в планетарной мельнице в течение 20 мин порошков пероксидов или оксидов щелочноземельных металлов, оксида европия (III), оксида магния, оксида марганца (II), оксида алюминия, алюминия, перхлората натрия.
Наверх