Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена



Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена
Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена
Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена
Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена
Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена
Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена
Y10S977/933 -
Y10S977/933 -
Y10S977/84 -
Y10S977/84 -
Y10S977/838 -
Y10S977/838 -
Y10S977/814 -
Y10S977/814 -
Y10S977/721 -
Y10S977/721 -
Y10S438/973 -
Y10S438/973 -
Y10S438/923 -
Y10S438/923 -
Y10S117/917 -
Y10S117/917 -
H01L21/2003 - Способы и устройства для изготовления или обработки полупроводниковых приборов или приборов на твердом теле или их частей (способы и устройства, специально предназначенные для изготовления и обработки приборов, относящихся к группам H01L 31/00- H01L 49/00, или их частей, см. эти группы; одноступенчатые способы изготовления, содержащиеся в других подклассах, см. соответствующие подклассы, например C23C,C30B; фотомеханическое изготовление текстурированных поверхностей или поверхностей с рисунком, материалы или оригиналы для этой цели; устройства, специально предназначенные для этой цели вообще G03F)[2]
C01P2002/01 - Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B 35/00; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P 3/00; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)

Владельцы патента RU 2710570:

Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт" (RU)

Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)⋅10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)⋅10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ÷ менее 400°С или Ts=более 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм. Технический результат заключается в формировании эпитаксиальных пленок двумерного магнитного материала GdSi2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на подложках кремния. Такие структуры являются однородными по толщине, не содержат посторонних фаз, являются ферромагнитными. 5 ил., 4 пр.

 

Изобретение относится к способам получения двумерных ферромагнитных материалов, а именно GdSi2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированных гадолинием слоев силицена.

Стремление создать сверхкомпактные спинтронные устройства побуждает исследователей к интенсивному поиску и изучению магнитных материалов с низкой размерностью. Разработка таких материалов способна, значительным образом преобразовать существующую элементную базу наноэлектроники, предоставляя возможность, в частности, кардинально менять свойства функционального материала за счет эффекта близости.

Рациональным подходом в стратегии создания двумерных магнитных материалов считается придание магнитных свойств уже существующим двумерным немагнитным системам. Среди таких систем одно из. центральных мест занимает силицен - гексагональный монослой атомов кремния, являющийся практически полным структурным и электронным аналогом графена. Однако, в отличие от графена, он обладает рифленой структурой: атомы кремния в нем лежат не в одной, а в двух достаточно близко расположенных плоскостях. Согласно теоретическим предсказаниям силицен должен демонстрировать широкий спектр уникальных свойств: носители заряда в нем должны быть безмассовыми дираковскими фермионами, материал должен проявлять квантовый аномальный эффект Холла, квантовый спиновый эффект Холла, квантовый долинный эффект Холла, сверхпроводимость, гигантское магнетосопротивление и т.д. Что особенно важно, ширина запрещенной зоны силицена, может управляться внешним электрическим полем или, химической функционализацией. Структурная близость с объемным кремнием должна обеспечить, силицену возможность прямой интеграции с коммерческими полупроводниковыми системами. Придание силицену магнитных свойств может сильно расширить спектр его возможных применений.

На данный момент исследования силицена остаются в большей степени теоретическими: получению свободного силицена препятствует его высокая химическая активность. В результате гибридизации электронных состояний силиценовые слои, получаемые эпитаксией на металлических подложках, имеют сильно искаженную электронную структуру.

Для уменьшения гибридизации силицена с подложкой можно интеркалировать в пространство между силиценом и подложкой; слой атомов активных металлов. Сходным образом, можно рассматривать интеракалированный многослойный силицен с силиценовыми слоями, разделенными слоями активного металла. В таких системах дираковские состояния сохраняются.

Задача внесения магнетизма в силиценовую структуру может быть решена при помощи интеркаляции магнитными металлами. В этом контексте гадолиний, обладающий (в соединении GdSi2) наполовину заполненной 4ƒ-оболочкой, и, как следствие, магнитным моментом 7μБ/атом, является перспективным кандидатом для использования в качестве интеркалирующих атомов. Таким образом, применение такого материала не только решает проблему создания в силицене магнитных состояний, но также устраняет вопрос о его стабильности, что делает формирование двумерных магнитных материалов на его основе крайне привлекательной задачей.

Вместе с тем, хотя и известно, что объемные монокристаллы GdSi2 обладают антиферромагнитными свойствами, при уменьшении размерности дальние магнитные упорядочения могут подавляться тепловыми флуктуациями. Поэтому и а данный момент актуальным является не только развитие методов синтеза сверхтонких пленок GdSi2 со структурой интеркалированных гадолинием слоев силицена, но и исследование нетривиального вопроса о сохранений их магнитных свойств в сверхтонких слоях, а также об их эволюции с толщиной.

Уровень техники

Известна статья «Управление магнетизмом в 2D CrI3 посредством электростатического допирования» «Controlling magnetism - in 2D CrI3 by electrostatic doping» (DOI: 10.1038/s41565-018-0135-x), в которой двумерная магнитная пленка создается путем помещения монослоя CrI3 между двумя слоями графена. Графеновые листы используются в качестве защиты и предотвращают окисление на воздухе. Недостатками рассмотренной системы являются технологические сложности ее создания и масштабирования, связанные с тем, что все слои структуры переносятся на подложку отдельными листами, сильная деградация на воздухе и невозможность прямой интеграции с кремниевой технологией.

Известна статья «Открытие ферромагнетизма в двумерных ван-дер-Ваальсовских кристаллах» «Discovery of intrinsic ferromagnetism in twodimensional van der Waals crystals)) (DOI: 10.1038/nature22060). Пленки Cr2Ge2Te6 толщиной в два и три монослоя были получены методом эксфолиации и продемонстрировали ферромагнитное поведение. Недостатком этого метода является плохая воспроизводимость и масштабируемость, а также слабый магнитный сигнал в полученных пленках.

На настоящий момент не известны патенты, в которых патентуются способы создания двумерных магнитных материалов. Однако существует ряд патентов, в которых патентуются технологии получения силиценовых материалов без магнитных свойств. Наиболее близкие к данному патенту изобретения приведены ниже.

Известны патенты «Силиценовый нанокомпозитный анод для литий-ионного аккумулятора» (US 20150364754), в котором силицен был полечен методом сверхвысоковакуумного химического осаждения из газовой фазы, и «Способ получения силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на пассивированном нитриде кремния» (ЕР2867391). Недостатком этих методов 4

является невозможность формирования силицена непосредственно на кремниевой подложке.

Известен патент RU 2615099 «Способ выращивания эпитаксиальной пленки дисилицида европия на кремнии», в котором пленки EuSi2 формируются методом МЛЭ путем осаждения Eu на нагретую до Ts=400±20°С подложку кремния с ориентацией (001), однако данный метод не позволяет формировать пленки GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена.

Также известен патент RU 2620197 «Способ выращивания эпитаксиальных пленок дисилицида стронция на кремнии», в котором эпитаксиальные пленки SrSi2 формируются методом МЛЭ осаждением Sr на подложку кремния с ориентацией (001) или (111), нагретую до температуры Ts=500±20°С. Однако, с помощью этого способа невозможно формировать магнитные пленки.

Известен патент RU 2663041 «Способ получения эпитаксиальной пленки многослойного силицена, интеркалированного европием», в котором эпитаксиальные пленки EuSi2 кристаллической модификации hP3 формируются методом МЛЭ. Недостатком данного метода является необходимость формирования на поверхности кремния промежуточной тонкой пленки SrSi2 с последующим формированием пленки EuSi2.

Раскрытие изобретения

Техническим результатом настоящего изобретения является формирование двумерных ферромагнитных пленок GdSi2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированных гадолинием слоев силицена на кремниевых подложках.

Для достижения технического результата предложен способ создания двумерного ферромагнитного материала GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)⋅10-8 торр или PGd (от более 1 до 10)⋅10-8 торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 менее 400°С или Ts=более 400÷450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.

Слой GdSi2 образуется за счет диффузии атомов, а ориентация силиценовых слоев в пленке параллельно поверхности задается структурными параметрами подложки.

В установках МЛЭ обычно имеет место неоднозначная трактовка температур подложки. В настоящем изобретении температурой подложки считается температура, определяемая по показаниям, инфракрасного пирометра. Давлением потока считается давление, измеренное ионизационным манометром, находящимся непосредственно в положении подложки.

Краткое описание чертежей

Изобретение поясняется чертежами:

На Фиг. 1 показана структурная модель GdSi2. Маленькие шары соответствуют атомам Si, большие - атомам Gd. (а) Объемный образец GdSi2. с плоскими слоями атомов Si. (b) Пленка GdSi2 толщиной 1 монослой (monolayer, ML) с рифленым слоем атомов Si.

На Фиг. 2 представлены изображения дифракции быстрых электронов для Si(111) и пленок GdSi2: (а) реконструированная 7×7 поверхность Si(111); (b-h) GdSi2 толщиной 1 ML (b), 1÷2 ML (с), 2 ML-(d), 3 ML (e), 4-5 ML (f), ≈9 ML (g), ≈17 ML (h). Все изображения сняты вдоль азимута подложки.

На Фиг. 3 показаны θ-2θ в рентгеновские дифрактограммы пленок GdSi2/Si(111) различной толщины, отображающие пики от GdSi2 и, помеченные *, пики от подложки Si(111).

На Фиг. 4 показана атомная структура системы GdSi2/Si(111), полученная методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ): (а) темнопольное изображение, представляющее вид сверху на пленку GdSi2; (b) вид сверху на модель структуры GdSi2; (с) светлопольное изображение, представляющее вид сверху на пленку GdSi2 и показывающее гексагональную структуру слоев атомов Si; (d) светлопольное изображение поперечного среза пленки GdSi2, снятое вдоль оси зоны [110] подложки Si(111), показывающее вид сбоку на слои атомов Si; (е) темнопольное изображение поперечного среза GdSi2 толщиной 1 ML на подложке Si(111); (f) темнопольное изображение поперечного среза GdSi2 толщиной 2 ML на подложке Si(111); (g) темнопольное изображение поперечного среза GdSi2 толщиной 4÷5 ML на подложке Si(111).

На Фиг. 5 показаны магнитные свойства сверхтонких пленок GdSi2. (a) Температурные зависимости магнитного момента GdSi2 толщиной 17 ML, измеренные в магнитном поле 1 кЭ вдоль направлений Si[111] и

(b) Температурные зависимости магнитного момента GdSi2 толщиной 4÷5 ML, измеренные в различных магнитных полях, (с) Температурные зависимости нормированного магнитного момента GdSi2 толщиной 2 ML, измеренные в 6

различных магнитных полях. (d) Полевая зависимость магнитного момента GdSi2 толщиной 2 ML при 2 К. (е) Температурные зависимости остаточного магнитного момента (после охлаждения в магнитном поле 500 Э) GdSi2 различной толщины. (f) Зависимость магнитного момента насыщения при 2 К от числа монослоев GdSi2.

Осуществление изобретения

Пример 1.

Подложка Si(111) помещается в сверхвысоковакуумную камеру (остаточный вакуум Р<1⋅10-10 торр). Затем, для удаления с поверхности подложки слоя естественного оксида осуществляется ее нагрев до температуры Ts=900÷1100°С. Факт очистки поверхности подложки от оксида устанавливается in situ с помощью дифракции быстрых электронов: наблюдается реконструкция (7×7). После этого подложка остужается до ростовой температуры Ts=350 ÷ менее 400°С или Ts=более 400÷450°С и происходит открытие заслонки ячейки Gd, нагретой до такой температуры (~1200°С), чтобы обеспечивать давление потока атомов гадолиния PGd (от 0,1 до менее 1)⋅10-8 торр или PGd (от более 1 до 10)⋅10-8 торр (поток PGd=5⋅10-8 торр соответствует скорости роста пленки ≈3,5 нм/мин). Все температуры подложки указаны по пирометру, температуры ячеек - по термопаре. Ростовой цикл длится до получения пленки GdSi2 необходимой толщины, но не более 7 нм (17 ML), после чего заслонка ячейки Gd закрывается. При превышении указанной толщины пленки GdSi2, она перестает проявлять ферромагнитные свойства, характерные для сверхтонких слоев.

Для предотвращения воздействия на GdSi2 воздуха при выносе образца из камеры по окончании роста пленка закрывается сплошным защитным слоем, например, оксидом кремния SiOx толщиной более 2 нм.

Модель кристаллической структуры пленки GdSi2, получающейся в результате описанного процесса, показана на Фиг. 1. Следует отметить, что объемный GdSi2 содержит плоские кремниевые слои (Фиг. 1а). Однако, в случае сверхтонких пленок GdSi2, выращенных на Si(111), слои кремния приобретают рифленость (Фиг. 1b), характерную для силиценовых слоев.

Контроль за состоянием пленки производится in situ с помощью дифракции быстрых электронов. Динамика картин дифракции в процессе роста показана на Фиг. 2.

Исследования изготовленных образцов с помощью рентгеновской дифрактометрии (Фиг. 3а) показали, что пленки GdSi2 являются эпитаксиальными, имеют ориентацию (0001) и не содержат нежелательных фаз.

Определенный по положению пиков вертикальный параметр решетки GdSi2 изменяется с толщиной, увеличиваясь с с=4,1908±0,0014 для образца с толщиной 17 ML до с=4,287±0,009 для образца с толщиной 2 ML, что согласуется с увеличением степени рифлености силиценовых слоев у сверхтонких пленок. Анализ положения пика проведенный для образца с толщиной 9 ML, дал возможность определить латеральный параметр решетки: Его значение очень близко к соответствующему параметру решетки Si(111) Таким образом, силиценовые слои в GdSi2 и поверхность кремния являются структурно, согласованными.

Исследование образцов с помощью просвечивающей электронной микроскопии (Фиг. 4a-d) доказывает формирование пленок GdSi2 необходимой фазы с содержанием силиценовых слоев в качестве элементов структуры, их эпитаксиальность, отсутствие в их объеме посторонних фаз, резкость интерфейсов, а также однородность пленок вдоль толщины. Также они позволяют установить ориентационные соотношения пленки относительно подложки:

Магнитные свойства пленок GdSi2 показаны на Фиг. 5 Известно, что объемные образцы GdSi2 демонстрируют антиферромагнитное поведение с температурой Нееля TN≈50 К, при этом магнитные моменты Gd ориентируются параллельно кремниевым слоям. С уменьшением -толщины пленок GdSi2 их магнитные свойства сильно меняются. Так, у образца с толщиной 17 ML, хотя магнитный переход и наблюдается при температурах близких к TN, температурная зависимость магнитного момента перестает соответствовать антиферромагнитному состоянию (Фиг. 5а). С уменьшением температуры ниже 50 К магнитный момент, лежащий в плоскости пленки, растет, что говорит о появлении ферромагнитного момента. Появление ферромагнетизма также подтверждается дополнительными измерениями остаточного магнитного момента. Дальнейшее уменьшение толщины смещает баланс в сторону ферромагнетизма еще больше. Толщина GdSi2 в 17 ML представляет, собой граничный случай между антиферромагнитцыми объемными образцами и сверхтонкими пленками с двумерным ферромагнетизмом.

Внутренне присущий двумерный магнетизм проявляет свою природу в слабых магнитных полях. На Фиг. 5b показана температурная зависимость ферромагнитного момента образца с толщиной GdSi2 4÷5 ML в- различных приложенных магнитных полях, а на Фиг. 5с зависимости Нормированной намагниченности от температуры в различных магнитных полях для образца с толщиной 2 ML. У обоих образцов наблюдается значительное повышение с приложением магнитного поля. Сильная зависимость температуры перехода от магнитного поля является характерным признаком внутренне присущего двумерного магнетизма: приложенное поле увеличивает щель в спектре спиновых возбуждений, делая возможными дальние ферромагнитные упорядочения при ненулевой температуре. Примечательно, что магнитные свойства образцов оказываются достаточно выраженными для их измерения с помощью стандартного СКВИД-магнитометра.

Низкотемпературные зависимости М(Н) показывают хорошо различимый гистерезис, характерный для ферромагнетиков (Фиг. 5d). Возникающий (ферромагнетизм сильно зависит от толщины пленок GdSi2: на графике, показывающем зависимость остаточного магнитного момента от температуры (Фиг. 5е), видно, что сильно увеличивается с ростом толщины. Момент насыщения на атом Gd также меняется с толщиной (Фиг. 5f), достигая максимума при толщине 2 ML. Абсолютные значения магнитных моментов насыщения гораздо меньше 7μБ/Gd, которого можно ожидать для полностью ферромагнитно упорядоченных ионов Gd с полузаполненными ƒ-оболочками. Возможная причина уменьшенного момента состоит в наличии антиферромагнитных флуктуаций, возникающих за счет конкурирующего магнитного взаимодействия.

Выход за пределы описанных режимов роста может привести к (формированию поликристаллической пленки GdSi2 или других фаз силицидов Gd, что губительно влияет на магнитные свойства структур.

Пример 2.

Очистка поверхности кремниевых подложек от атмосферного оксида происходит путем их нагрева до температуры TS=770÷800°С и экспонирования в потоке атомов Eu с давлением PEu=(0,1÷5)÷10-8 торр. В остальном способ реализуется как в Примере 1.

Пример 3.

Очистка поверхности кремниевых подложек от атмосферного оксида происходит путем их нагрева до температуры Ts=770÷800°С и экспонирования в потоке атомов Sr с давлением PSr=(0,1÷5)⋅10-8 торр. В остальном; способ реализуется как в Примере 1.

Пример 4.

Очистка подложки кремния от естественного оксида производится перед ее загрузкой в камеру промыванием в 5% водном растворе HF, при этом достигается пассивация связей кремния атомами Н, которые впоследствии при прогреве десорбируются с поверхности. В остальном способ реализуется, как в Примере 1.

Таким образом, изобретение позволяет осуществлять топотактический синтез пленок двумерного магнитного материала GdSi2, со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на подложках Si(111). Эти пленки:

- являются эпитаксиальными;

- не содержат посторонних фаз;

- содержат силиценовые слои, параллельные поверхности подложки;

- являются ферромагнитными;

Такие структуры могут быть востребованы для получения слоев силицена, при исследовании спин-зависимых явлений в силиценовой решетке, и имеют потенциал применения в компактных устройствах спинтроники.

Способ создания двумерного ферромагнитного материала дисилицида гадолиния со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии, заключающийся в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd (от 0,1 до менее 1)⋅10-8 Торр или PGd (от более 1 до 10)⋅10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si(111), нагретую до Ts=350 ÷ менее 400°С или Ts=более 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области оптоэлектронной техники и может быть использовано для создания сенсорных экранов, солнечных батарей, конструкция которых включает элементы, одновременно прозрачные для света и проводящие электрический ток.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора. Согласно изобретению способ изготовления полупроводникового прибора реализуется следующим образом: на подложках кремния р-типа проводимости формируют инверсный карман имплантацией ионов фосфора с энергией 150 кэВ, дозой 2,0*1013 см-2, с разгонкой в окислительной среде в течение 15 мин при температуре 1150°С и образованием слоя диоксида кремния, затем в инертной среде - 45 мин и имплантацией бора через слой диоксида кремния с энергией 150 кэВ, дозой 1,5*1013 см-2, с последующей разгонкой при температуре 1150°С в инертной среде в течении 90 мин.

Изобретение относится к применению по меньшей мере одного бинарного соединения элемента группы 15 в качестве эдукта в методике осаждения из паровой фазы. Бинарное соединение элемента группы 15 описывается общей формулой в которой R1 и R2 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей алкильный радикал (С1-С10), R3=R4=Н и Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей N, Р, As и Bi, в которой Е=Е' или Е ≠ Е', и в котором гидразин и его производные исключены из указанного применения, и/или бинарное соединение элемента группы 15 описывается общей формулой в которой R5, R6 и R7 независимо друг от друга выбраны из группы, включающей Н, алкильный радикал (C1-С10), и Е и Е' независимо друг от друга выбраны из группы, включающей N, Р, As и Bi, в которой Е=Е' или Е ≠ Е'.

Изобретение относится к способу изготовления рентгенолитографического шаблона, т.е. маски для рентгеновской литографии, рентгенолитографической маски, рентгеновского шаблона, для формирования резистивной маски или скрытого изображения в рентгеночувствительных материалах способом трафаретной рентгеновской литографии.

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек (НГЭС ИКТ).

Данное изобретение относится к мишени, в частности к распыляемой мишени, способу ее получения и способу вакуумного напыления с использованием упомянутой мишени. Мишень содержит пластину, состоящую из хрупкого материала, и монтажную пластину, которая скреплена по поверхности с пластиной мишени.

Изобретение относится к области обработки поверхностей кремниевой полупроводниковой пластины полупроводника или подобных изделий, и, в частности, оно относится к устройству и способу обработки полупроводников.

Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.

Изобретение относится к области технологических процессов и может быть использовано для лазерного отжига пластин из полупроводниковых, керамических и стеклообразных материалов.

Использование: для изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для отделения от подложки композитной структуры на основе полупроводниковой пленки содержит оправку для крепления композитной структуры с эпитаксиальной полупроводниковой пленкой, жестко связанной посредством жертвенного слоя с ростовой подложкой, и прикрепляемой к оправке со стороны композитной структуры, средства изгибания композитной структуры для облегчения травления жертвенного слоя и отделения от подложки композитной структуры с эпитаксиальной полупроводниковой пленкой в резервуаре, заполняемом травителем, при этом оправка выполнена в виде мембраны-носителя с одной плоской торцевой поверхностью, предназначенной для крепления композитной структуры, а второй – криволинейной - для изгиба композитной структуры, с толщиной, уменьшающейся в направлении от центра к периферии мембраны-носителя, и со сквозными отверстиями, с диаметром отверстий и распределением их по площади торцевой поверхности с увеличением их плотности от центра к периферии, в совокупности обеспечивающими равномерность прижима и сохранность композитной структуры, средства изгибания выполнены в составе основания, дренажной трубки, упора, гофрированного сильфона, мембраны-носителя, при этом в центральной части основания сформировано сквозное отверстие, в котором с одной стороны основания герметично закреплена дренажная трубка, а с другой - упор, состоящий из полой ножки и соединенной с ней выпуклой крышки, ножка упора герметично закреплена в отверстии основания и снабжена в боковой части сквозным отверстием, мембрана-носитель криволинейной поверхностью ориентирована к стороне основания, относительно которой в отверстии закреплен упор, и установлена своей центральной частью относительно упора с зазором, устраняемым при закреплении и изгибании композитной структуры на мембране-носителе, между мембраной-носителем и основанием расположен герметично соединенный с ними гофрированный сильфон с возможностью формирования ограниченного основанием, сильфоном и мембраной-носителем рабочего объема устройства, с возможностью изменения в нем давления посредством отверстия в упоре и дренажной трубки для закрепления композитной структуры к мембране-носителю за счет сквозных отверстий мембраны-носителя и изгибания закрепленной композитной структуры и мембраны-носителя, жесткость сильфона пренебрежимо мала по сравнению с жесткостью мембраны-носителя.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур с низкой плотностью дефектов.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых структур для приборов электронной техники и может быть использовано для регулирования степени легирования при эпитаксиальном выращивании в вакууме легированных слоев кремния.
Недостаток традиционных напечатанных пленочных PV-элементов заключается в том, что получение этих элементов часто требует дорогих этапов вакуумной подготовки и термического закаливания или запекания, причем тонкие легированные вакуумные пленки чрезвычайно подвержены коррозии и загрязнению.

Изобретение относится к нанотехнологии, а именно к способу выращивания многослойных наногетероэпитаксиальных структур с массивами идеальных квантовых точек (НГЭС ИКТ).

Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела, для формирования активных и пассивных элементов интегральных схем.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления гетероструктур с низкой плотностью дефектов.

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления гетероструктур с низкой плотностью дефектов.

Использование: для получения спин-поляризованных носителей заряда в графене. Сущность изобретения заключается в том, что методом молекулярно-лучевой эпитаксии на поверхности предварительно сформированной структуры монослой графена/подложка формируют субмонослой европия со структурой Eu.

Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых материалов, содержащих пограничные слои между материалами из III-V групп и подложкой Si. Изобретение относится к способу изготовления полупроводниковых материалов, содержащих GaAs в комбинации с подложками Si(111), причем остаточная деформация, обусловленная различными коэффициентами теплового расширения соответствующих материалов, нейтрализуется посредством введения добавочного слоя (слоев), компенсирующего остаточную деформацию.

Использование: для получения наноразмерных композитных структур. Сущность изобретения заключается в том, что способ формирования упорядоченного массива нанокристаллов или нанокластеров кремния в диэлектрической матрице включает формирование на подложке многослойной пленки, состоящей из чередующихся слоев SiNx и Si3N4, где 0<х<4/3, методом низкочастотного плазмохимического осаждения из газовой фазы с использованием смеси моносилана (SiH4) и аммиака (NH3) с объемным соотношением [NH3]/[SiH4] в диапазоне от 1 до 5 при давлении в камере 100-250 Па, температуре подложки 20-400°С и удельной мощности разряда 0,02-0,2 Вт/см2 с последующим отжигом полученной многослойной пленки в инертной атмосфере при температуре в диапазоне 800-1150°С не менее 5 минут с получением многослойной матрицы с нанокристаллами или нанокластерами.

Способ защиты сверхпроводящего магнита от переходов в нормальное состояние, причем сверхпроводящий магнит имеет по меньшей мере одну первичную катушку, содержащую материал-высокотемпературный сверхпроводник, ВТСП.

Изобретение относится к технологии создания двумерных магнитных материалов для сверхкомпактных спинтронных устройств. Способ получения дисилицида гадолиния GdSi2 со структурой интеркалированных слоев силицена методом молекулярно-лучевой эпитаксии заключается в осаждении атомарного потока гадолиния с давлением PGd ⋅10-8 Торр или PGd ⋅10-8 Торр на предварительно очищенную поверхность подложки Si, нагретую до Ts350 ÷ менее 400°С или Tsболее 400 ÷ 450°С, до формирования пленки дисилицида гадолиния толщиной не более 7 нм. Технический результат заключается в формировании эпитаксиальных пленок двумерного магнитного материала GdSi2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного гадолинием многослойного силицена на подложках кремния. Такие структуры являются однородными по толщине, не содержат посторонних фаз, являются ферромагнитными. 5 ил., 4 пр.

Наверх