Осевой неразгруженный компенсатор

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент, выполненный в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины 1, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями 2 из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки 3 поршней 2 являются центрирующими элементами для пружины 1. Конструкция компенсатора обеспечивает неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок, возникающих при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы. 2 ил.

 

Выращивание кристаллов в условиях микрогравитации - важное направление в быстро развивающемся космическом материаловедении.

Предлагаемое изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов металлов в условиях микрогравитации.

Выращивание кристаллов халькогенидов металлов на борту космических аппаратов производится в герметичных ампулах, так как многие соединения этой группы имеют высокие давления собственных паров в точках плавления или при близких к ним температурах. Многие халькогениды металлов частично разлагаются при испарении; образующиеся пары компонентов химически агрессивны. Поэтому в конструкциях ампул применяются материалы, инертные к расплавам и парам халькогенидов металлов и их компонентов. В основном это кварцевое стекло и углеграфитовые материалы.

При выращивании кристаллов халькогенидов металлов в космосе загрузка ампул и выращенные кристаллы подвергаются существенным нагрузкам при взлете ракеты-носителя и при посадке спускаемого аппарата. Для сохранения загрузок и выращенных кристаллов необходимо компенсировать такие нагрузки. Кроме того, многие халькогениды металлов, например, халькогениды цинка и кадмия, имеют отрицательные объемные эффекты кристаллизации (от - 0,6% для CdTe до - 13,0% для ZnSe), что необходимо учитывать при конструировании ампул, предназначенных для выращивания кристаллов из расплава или раствора в расплаве, предусматривая в таких устройствах компенсацию изменения объема при плавлении или растворении в расплаве.

Известен демпфирующий элемент [Левченко А.А., Колесников Н.Н., Борисенко Д.Н. Ампула для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Патент РФ на изобретение №2547758, опубл. 10.04.2015, Бюл. №10] - аналог, размещаемый в ампулах для выращивания кристаллов селенида галлия (GaSe) в условиях микрогравитации и представляющий собой шайбу из углеграфитового войлока. Основной недостаток такого устройства состоит в том, что оно, по существу, представляет собой стартовый компенсатор, то есть компенсатор, срабатывающий однократно при приложении нагрузки. Упругости углеграфитового войлока недостаточно для восстановления исходной формы компенсатора после приложения значительной нагрузки.

Наиболее близким к заявляемому устройству по своей технической сущности является осевой компенсатор для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации с компенсирующим элементом, выполненным в виде винтовой цилиндрической пружины и цилиндрического поршня с цилиндрическим штоком [G.W. Knowles. Ampoule for crystal growth. Pat. US 5205997 A, 1993] - прототип. Основной недостаток такого устройства состоит в том, что одна сторона пружины свободно опирается на неподвижный металлический упор. В процессе выращивания кристалла в такой конструкции возможен перекос пружины, так как все детали устройства выполнены из материалов с разным коэффициентом термического расширения, а компенсатор в целом работает под нагрузкой. При возникновении перекоса пружины компенсатор не будет выполнять свои функции, повторное срабатывание компенсатора будет невозможно.

Задачей предлагаемого устройства является создание компенсатора, размещаемого в ампулах для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации, и позволяющего неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок, возникающих при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы.

Поставленная задача решается применением осевого компенсатора с графитовым компенсирующим элементом, причем компенсатор выполнен в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины сжатия, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки поршней являются центрирующими элементами для пружины.

Технический результат достигается тем, что винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия позволяет неоднократное срабатывание для компенсации нагрузок.

Конструкция компенсатора представлена на чертеже Фиг. 1, где 1 - винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия, 2 - цилиндрические поршни из кварцевого стекла, 3 - цилиндрические штоки поршней.

Сборка компенсатора производится следующим образом. Штоки поршней вставляются в отверстие винтовой цилиндрической пружины сжатия с двух сторон, как показано на Фиг. 1. После сборки устройство размещается в цилиндрической ампуле для выращивания кристаллов. Размещение компенсатора в ампуле показано на чертеже Фиг. 2 на примере ампулы для выращивания кристалла методом движущейся зоны растворителя. На Фиг. 2 цифрами обозначены следующие позиции: 1 - винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия, 2 - цилиндрические поршни из кварцевого стекла, 3 - цилиндрические штоки поршней, 4 - часть загрузки, являющаяся питающим слитком, 5 - часть загрузки, являющаяся зоной растворителя (исходно находящейся в твердом состоянии), 6 - часть загрузки, являющаяся затравкой для роста кристалла, 7 - ампула из кварцевого стекла, герметично закрытая пробкой 8.

Назначение элементов осевого компенсатора: винтовая цилиндрическая графитовая пружина сжатия (1) является компенсирующим элементом; цилиндрические поршни (2) обеспечивают скольжение по внутренней поверхности ампулы при сжатии или растяжении пружины; цилиндрические штоки поршней (3) обеспечивают центровку пружины и фиксируют ее на поршнях.

Предлагаемый осевой компенсатор работает следующим образом. Ампула (7), в сборе с загрузкой и герметично закрытая пробкой (8), размещается в технологической установке, отправляемой на околоземную орбиту, так, чтобы нагрузки, возникающие при старте ракеты-носителя, при увеличении объема загрузки в ампулах при ее плавлении или растворении в расплаве, при посадке спускаемого аппарата с ампулами, содержащими выращенные кристаллы, носили преимущественно осевой характер, то есть были направлены перпендикулярно плоскостям цилиндрических поршней компенсатора (2). При возникновении нагрузки винтовая цилиндрическая графитовая пружина (1) сжимается, при этом поршни из кварцевого стекла (2) обеспечивают эквивалентное сжатию пружины перемещение компенсатора за счет скольжения по внутренней поверхности ампулы (7). При снятии нагрузки пружина (1) возвращается в исходное состояние.

Осевой компенсатор успешно прошел наземную отработку космических экспериментов по выращиванию кристаллов теллурида цинка-кадмия методом движущейся зоны растворителя, в качестве которого использовали теллур.

Осевой компенсатор для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации с компенсирующим элементом, выполненным в виде винтовой цилиндрической пружины и цилиндрического поршня с цилиндрическим штоком, отличающийся тем, что пружина неразгруженного компенсирующего элемента выполнена из графита и размещена между двумя цилиндрическими поршнями из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки поршней являются центрирующими элементами для пружины.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области выращивания искусственных кристаллов из растворов. В способе выращивания кристалла из раствора при постоянной температуре, включающем отвод и последующее возвращение раствора в кристаллизатор, общий объем раствора в кристаллизаторе делят на две сообщающиеся между собой части, в первой из которых поддерживают постоянный уровень и концентрацию раствора, а во второй меняют уровень раствора путем подачи газа под давлением, вытесняя объем раствора из второй части в первую.

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями.

Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Предлагается кластер установок для выращивания кристаллов из раствора, содержащий несколько кристаллизационных установок 1, которые объединены в отдельные блоки по несколько установок, например по десять, которые образуют кластеры нижнего уровня 11, каждая из кристаллизационных установок 1 каждого блока кластера нижнего уровня 11 подключена к блоку индикации и управления 13 кристаллизационными установками 1 нижнего уровня 11, снабженному одним или более контроллером 14 и одним или более средством индикации функционирования 15 кристаллизационных установок блока, входящих в кластер, и коммутатором 16 нижнего уровня, совокупность кластеров нижнего уровня 11 образует кластер верхнего уровня 12, содержащий, например, десять кластеров нижнего уровня 11, каждый из коммутаторов 16 блока индикации и управления 13 кристаллизационных установок 1 нижнего уровня 11 подключен к коммутатору 17 верхнего уровня, который подключен к центральному серверу 18 и автоматизированным рабочим местам 19, служащим для загрузки и редактирования технологической программы в каждую кристаллизационную установку 1 и контроля за функционированием кластеров нижнего уровня 11, входящих в состав кластера верхнего уровня 12 любой из кристаллизационных установок 1, входящих в кластер 11.

Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов халькогенидов металлов: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, вертикальной зонной плавкой, осуществляемой путем перемещения тигля через неподвижно закрепленный нагреватель.

Изобретение относится к области кристаллографии, а более конкретно к беспроводным устройствам для контроля температуры в вакуумных ростовых камерах, а также при отжиге кристаллов, выращенных из расплава.

Изобретение относится к технологии химического нанесения покрытий путем разложения газообразных соединений, в частности к способам введения газов в реакционную камеру.

Изобретение относится к системе печи, предназначенной для выращивания кристаллов, которая включает печь 120, содержащую корпус 121 с внутренней полостью (Vi), формирующей зону нагрева, при этом корпус 121 печи имеет сквозной проход 124, соединяющий внутреннюю полость (Vi) со средой, окружающей корпус 121, тигель 110 для выращивания кристалла, установленный во внутренней полости (Vi), теплоизоляционную заглушку 101, которая может быть введена с возможностью перемещения в сквозной проход 124 для регулирования отвода тепла из тигля 110 посредством излучения, причем теплоизоляционная заглушка 101 не находится в передающем силу контакте с тиглем 110, и опорную пластину 106, изготовленную из материала с высокой удельной теплопроводностью, имеющего коэффициент теплопередачи больше чем 90 Вт/(м⋅К), и установленную между нижней поверхностью 112 тигля 110 и опорной зоной 123.

Изобретение относится к области техники, связанной с выращиванием кристаллов из расплавов методом горизонтально направленной кристаллизации (ГНК), которые широко используются в качестве сцинтилляторов для детекторов ионизирующего излучения, лазерных кристаллов и элементов оптических приборов, работающих в широкой спектральной области от ультрафиолетового до среднего инфракрасного диапазона длин волн.

Изобретение относится к устройствам для получения монокристаллов тугоплавких фторидов горизонтальной направленной кристаллизацией из расплава. Устройство содержит вакуумную камеру 1 с размещенным в ней тепловым узлом 2, состоящим из углеграфитовых теплоизолирующих модулей 3, верхнего 4 и нижнего 5 нагревателей и тепловых экранов 15, графитового контейнера 6 с шихтой кристаллизуемого материала, установленного с возможностью перемещения в вакуумной камере 1, штуцеров подачи инертного газа 10 и системы вакуумирования и/или откачки газообразных продуктов 9, смотрового окна 11, при этом верхний плоский ленточный нагреватель Г-образной формы 4 и нижний ленточный нагреватель П-образной перевернутой формы 5 выполнены в виде единых с шинами графитовых моноблоков, односторонне закрепленных с водоохлаждаемыми токовводами вакуумной камеры с помощью разъемного соединения.

Изобретение относится к механическим способам обработки монокристаллических слитков. Способ соединения и фиксации монокристаллов включает позиционирование нескольких монокристаллов, ориентирование их определенным образом и фиксацию монокристаллов друг с другом клеящим веществом, причем предварительно проводят отбор необходимого количества слитков монокристалла, затем проводят ориентацию торцов отобранных слитков с необходимым допуском и снятие предварительного базового среза длиной 18-20 мм, после чего склеивают слитки монокристаллов с помощью устройства для соединения и фиксации монокристаллов следующим образом: наносят клеящий материал на предварительно обезжиренный торец слитка монокристалла, устанавливают слиток предварительным базовым срезом на плоскость основания 1 устройства, одновременно прижимая слиток чистым торцом к неподвижному упору 4 и образующей слитка к поверхности бокового ограждения 2, устанавливают следующий слиток предварительным базовым срезом на плоскость основания 1 устройства вплотную к торцу предыдущего слитка и, вращая ручку 7 прижимного винта 6, слитки прижимают друг к другу с помощью подвижного упора 5, повторяют указанные операции до получения стека необходимой длины, выдерживают стек в устройстве до полного отвердения клеящего материала, причем в качестве клеящего материала используют двухкомпонентный бесцветный эпокси-каучуковый клей, затем проводят калибрование стека до необходимого диаметра и снятие основного базового среза, после чего проводят контроль ориентации базового среза и перпендикулярности торцов к образующей.

Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов в условиях микрогравитации. Ампула содержит герметичный корпус 1 из кварцевого стекла и коаксиально размещенный в нем герметичный кварцевый тигель 4 с загрузкой селенида галлия 5 и графитовые вставки 3, 7, при этом загрузка 5 помещается непосредственно во внутренний объем кварцевого тигля 4, а графитовые вставки 3, 7 размещены снаружи по обе стороны тигля 4, между корпусом 1 ампулы и одной из графитовых вставок 3, 7 установлен демпфирующий элемент 2 из углеграфитового войлока.
Наверх