Способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита



Способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита
Способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита
Y10S977/932 -
Y10S977/932 -
Y10S977/812 -
Y10S977/812 -
Y10S977/774 -
Y10S977/774 -
Y10S438/962 -
Y10S438/962 -
Y10S438/918 -
Y10S438/918 -
C30B29/68 - кристаллы со слоистой структурой, например "сверхструктурой"
C01P2002/34 - Неорганическая химия (обработка порошков неорганических соединений для производства керамики C04B 35/00; бродильные или ферментативные способы синтеза элементов или неорганических соединений, кроме диоксида углерода, C12P 3/00; получение соединений металлов из смесей, например из руд, в качестве промежуточных соединений в металлургическом процессе при получении свободных металлов C21B,C22B; производство неметаллических элементов или неорганических соединений электролитическими способами или электрофорезом C25B)

Владельцы патента RU 2774513:

федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет ИТМО" (Университет ИТМО) (RU)

Изобретение относится к технологи получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита, допированного ионами кадмия CsСdxPb1-xBr3, (0<x<1), которые могут быть использованы как компоненты оптоэлектронных приборов, работающих в синем диапазоне длин волн света. Способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита включает добавление октадецена к порошку безводного карбоната цезия Cs2CO3, выдерживание полученной смеси при температуре 100°C в течение 30 мин, добавление олеиновой кислоты и нагревание до 180°C с образованием олеата цезия, охлаждение полученного раствора до 25°C за 30 мин, введение октадецена в бромид свинца PbBr2, создание вакуума с последующим перемешиванием при 100°C в течение 30 мин, введение в эту смесь олеиламина и олеиновой кислоты и ее нагрев до 180°C, смешивание полученных растворов олеата цезия и бромида свинца с образованием коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита в октадецене, его охлаждение до 15°C на ледяной бане, очистку от октадецена центрифугированием, редиспергирование осадка нанокристаллов, повторное центрифугирование коллоидного раствора и удаление надосадочного раствора, редиспергирование осадка нанокристаллов в толуоле с образованием коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита в толуоле, который прокапывают на предварительно очищенную кремниевую подложку с образованием сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита при испарении толуола, при этом перед очисткой в коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPbBr3 в октадецене дополнительно добавляют октадецен, центрифугирование во время очистки осуществляют с ускорением 1000g в течение 5-10 мин, далее удаляют надосадочный раствор, редиспергирование осадка нанокристаллов проводят в октадецене, к нему добавляют заранее приготовленную смесь, полученную перемешиванием четырехводного бромида кадмия CdBr2•4H2O с октадеценом при температуре 130°C со скоростью 1000 об/мин в перчаточном боксе, заполненном атмосферой азота 99,999%, в течение 40 мин и добавлением олеиламина и олеиновой кислоты с нагревом до 180°C и охлаждением до 25°C за 30 мин, полученный состав вакуумируют и перемешивают со скоростью 1000 об/мин при комнатной температуре в течение 10 мин, нагревают до 150°C и выдерживают в течение 10 мин, охлаждают до 25°C за 30 с, в результате чего получают коллоидный раствор нанокристаллов состава CsСdxPb1-xBr3, (0<x<1) в октадецене, повторное центрифугирование проводят с ускорением 1000g в течение 5 мин, а после удаления надосадочного раствора в результате редиспергирования осадка нанокристаллов в толуоле получают концентрированный коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsСdxPb1-xBr3 в толуоле, раствор после редиспергирования вновь центрифугируют в толуоле с ускорением 1000g в течение 5 мин и отбирают надосадочный коллоидный раствор нанокристаллов состава CsСdxPb1-xBr3 в толуоле, который прокапывают на упомянутую кремниевую подложку, предварительно очищенную в атмосфере кислородной плазмы под давлением 0,3-0,4 Мбар с мощностью генератора 50-100 Вт в течение 1 мин. Добавление кадмия в структуру нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита позволяет получать сверхрешетки из нанокристаллов CsCdxPb1-xBr3, (0<x<1), обеспечивающих фотолюминесценцию синего цвета. Уменьшение количества реагентов на этапе очистки и замена кислотной обработки подложек на плазменную обеспечивает оптимизацию процесса изготовления и ее упрощения. 1 пр., 3 ил.

 

Изобретение относится к химии, наукам о материалах и нанотехнологиям, в частности к способу получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита допированного ионами кадмия Cs, (0<x<1), которые могут быть использованы как компоненты оптоэлектронных приборов работающих в синем диапазоне длин волн света.

Известен способ синтеза сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенединого перовскита излучающих красный свет (Brennan M. C. et al. Superlattices are greener on the other side: How light transforms self-assembled mixed halide perovskite nanocrystals //ACS Energy Letters. - 2020. - Т. 5. - №. 5. - С. 1465-1473). В данном способе производные йода добавляют в раствор изменяя бромный состав нанокристаллов перовскита CsPbна смешанный CsPb, (0<x<1). Далее, раствор очищают и редиспергируют для получения монодисперсного коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-бромно-йодного перовскита. Затем 3 мкл полученного раствора прокапывают на подложку из кремния размером 1x1 и помещают в закрытый объем, в котором при испарении толуола происходит самосборка сверхрешеток, дающих фотолюминесценцию красного света. Недостатком данного способа является то, что полученные сверхрешетки имеют нестабильную во времени фотолюминесценцию, длина волны которой изменяется с красной на зеленую в связи с процессом фотоиндуцированной десорбции йода.

Известен способ синтеза нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита дающих фотолюминесценцию синего цвета (Imran M. et al. Alloy Cs Perovskite Nanocrystals: The Role of Surface Passivation in Preserving Composition and Blue Emission //Chemistry of Materials. - 2020. - Т. 32. - №. 24. - С. 10641-10652). В этой работе впервые показывают возможность использования кадмия для получения синего цвета фотолюминесценции нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита, при этом, конечным продуктом являются нанокристаллы, а не сверхрешетки.

Для получения нанокристаллов предварительно отдельно получают растворы прекурсоров - олеаты Pb, Cd, CsOA и смешивают. Далее проводят процедуру замены лигандов путем перемешивания полученного раствора в толуоле с добавлением дидодецилдиметиламмоний бромида. Недостатком данного способа является использование дорогих компонентов – додециламина, бензоил бромида и дидодецилдиметиламмоний бромида и невозможность получения свехрешеток.

Прототипом предлагаемого изобретения является способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита (Rainò G. et al. Superfluorescence from lead halide perovskite quantum dot superlattices //Nature. - 2018. - Т. 563. - №. 7733. - С. 671-675). В данном способе приготавливают коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPb в октадецене. А именно, добавляют октадецен к порошку безводного карбоната цезия и выдерживанют смесь при температуре 100°C в течение 30 минут. Далее добавляют олеиновую кислоту и нагревают до 180°C, с образованием раствора олеата цезия. После этого охлаждают полученный раствор до 25°C за 30 мин и смешивают с бромидом свинца Pb и октадеценом. Далее, перемешивают полученный раствор при 100°C в течение 30 минут и проводят вауумную сушку. Затем вводят олеиламин и олеиновую кислоту и увеличивают температуру до 180°C с дальнейшим введением в полученный раствора олеата цезия. Затем охлаждают до 15°C на ледяной бане и получают коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPb в октадецене. Далее полученный коллоидный раствор нанокристаллов очищают и получают коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPb в толуоле. А именно, центрифугируют коллоидный раствор и редиспергируют осадок нанокристаллов в гексане. Далее повторно центрифугируют коллоидный раствор и отбирают надосадочный объем. Затем добавляют ацетон либо ацетонитрил для осаждения нанокристаллов и их дальнейшим редиспергированием в толуоле. После чего 10 мкл полученного коллоидного раствора нанокристаллов прокапывают на очищенные плавиковой кислотой кремниевые подложки размером 5x7 , что приводит к самосборке сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPb в ходе испарения толуола. В результате на подложке образовываются сверхрешетки, которые дают фотолюминесценцию зеленого цвета. Недостатком данного способа является невозможность получения фотолюминесценции синего цвета. Кроме того, в данном способе коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита подвергают сложной четырехстадийной процедуре очистки для выделения монодиспресного коллоидного раствора.

Задачей, на решение которой направлено данное изобретение, является получение сверхрешеток, дающих фотолюминесценцию синего цвета с упрощением технологии изготовления сверхрешеток.

Данная задача решается за счет технического результата, который заключается в оптимизации процесса изготовления сверхешеток.

Сущность заключается в том, что к порошку безводного карбоната цезия (2.5 ммоль) добавляют октадецен. Смесь выдерживают при температуре 100°C в течение 30 минут.  Затем добавляют олеиновую кислоту (5 ммоль) и нагревают до 180°C. Полученный раствор охлаждают до 25°C за 30 мин. Далее, бромид свинца Pb (0.188 ммоль) засыпают в трехгорлую колбу, заливают октадеценом, вакуумируют (30 Па) и перемешивают при 100°C в течение 30. Затем, в условиях вакуума при 100°C последовательно вводят олеиламин (1.5 ммоль) и олеиновую кислоту (1.4 ммоль). Далее, температуру увеличивают до 180°C и вводят 0.4 мл раствора олеата цезия. После этого, полученный коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPb в октадецене немедленно охлаждают до 15°C на ледяной бане. Отдельно, к порошку четырехводного бромида кадмия (•4 (0.5 ммоль) добавляют октадецен. Смесь выдерживают при температуре 130°C в условиях постоянного перемешивания 1000  об/мин в перчаточном боксе, заполненном атмосферой азота (99.999%), в течение 40 минут. Затем в раствор добавляют олеиламин и олеиновую кислоту, и смесь нагревают до 180°C. Полученный раствор с продуктами кадмия охлаждают до 25°C за 30 мин.

Далее, в коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPb в октадецене добавляют дополнительно октадецен и центрифугируют с ускорением 1000g в течение 5-10 мин, надосадочный раствор удаляют, осадок редиспергируют в октадецене. После этого добавляют ранее приготовленный раствор с продуктами кадмия. Затем, полученную смесь переливают в трехгорлую колбу объемом. После этого смесь вакуумируют (30Па) и перемешивают со скоростью 1000 об/мин при 25°C в течение 10 мин. Далее смесь нагревают до 150°C и выдерживают при достигнутой температуре в течение 10 мин. Затем раствор охлаждают до 25°C за 30 с. В результате, получают коллоидный раствор нанокристаллов состава Cs, (0<x<1) в октадецене.

Полученный коллоидный раствор нанокристаллов состава Cs, (0<x<1) в октадецене центрифугируют с ускорением 1000g в течение 5мин, надосадочный раствор удаляют, осадок редиспергируют в толуоле посредством ультрасоникации. Затем раствор повторно центрифугируют с ускорением 1000g в течение 5 мин в толуоле и надосадочный раствор отбирают.

Предварительно очищенную водой подложку из кремния помещают в атмосферу кислородной плазмы под давлением 0.3-0.4 мбар, мощностью генератора 50-100 Вт и частотой 40 кГц, на 1 минуту. Далее, концентрированный коллоидный раствор нанокристаллов состава Cs, (0<x<1) в толуоле прокапывают на очищенную подложку. В процессе испарения толуола происходит самосборка сверхрешеток.

Свойства полученных описанным способом сверхрешеток продемонстрированы на фиг. 1-3, где:

на фиг.1 приведена фотография сверхрешеток из нанокристаллов состава Cs, сделанная при помощи сканирующего электронного микроскопа;

на фиг.2 приведена фотография сверхрешеток из нанокристаллов состава Cs в оптическом микроскопе;

на фиг.3 показан спектр фотолюменесценции полученных сверхрешеток из нанокристаллов состава Cs, с фотолюминесценцией на длине волны 483 нм и квантовым выходом 90 процентов.

Добавление кадмия в структуру нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита позволяет получать сверхрешетки из нанокристаллов состава Cs, (0<x<1) дающих синий цвет фотолюминесценции, а оптимизированная технология удешевляет процесс и уменьшает время изготовления сверхрешеток ввиду уменьшения технологических операций и количества используемых реагентов.

Пример конкретной реализации способа

К порошку безводного карбоната цезия (2.5 ммоль) в мерном стакане 100 мл добавляют 40 мл октадецена. Смесь выдерживают при температуре 100°C в течение 30 минут.  Затем добавляют олеиновую кислоту (5 ммоль) и нагревают до 180°C. Полученный раствор охлаждают до 25°C за 30 мин.

Далее, бромид свинца Pb (0.188 ммоль) засыпают в трехгорлую колбу объемом 50 мл, заливают 5 мл октадецена, вакуумируют (30 Па) и перемешивают при 100°C в течение 30. Затем, в условиях вакуума при 100°C последовательно вводят олеиламин (1.5 ммоль) и олеиновую кислоту (1.4 ммоль). Далее, температуру увеличивают до 180°C, и вводят 0.4 мл раствора олеата цезия. После этого, полученный коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPbв октадецене охлаждают до 15°C на ледяной бане.

Отдельно, к порошку четырехводного бромида кадмия (•4 (0.5 ммоль) в мерном стакане 100 мл добавляют 10 мл октадецена. Смесь выдерживают при температуре 130°C с постоянным перемешиванием 1000 об/мин в перчаточном боксе, заполненном атмосферой азота (99.999%), в течение 40 минут. Затем, в раствор добавляют олеиламин (1.2 ммоль) и олеиновую кислоту (1.2 ммоль) и смесь нагревают до 180°C. Полученный раствор с продуктами кадмия охлаждают до 25°C за 30 мин.

Далее, в коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPb добавляют 15 мл октадецена, и центрифугируют с ускорением 1000g в течение 5-10 мин, надосадочный раствор удаляют, осадок редиспергируют в 15 мл октадецена посредством ультрасоникации. После этого добавляют 0.15 мл раствора ранее приготовленного раствора содержащего продукты кадмия. Затем, полученную смесь переливают в трехгорлую колбу объемом 50 мл. После этого смесь вакуумируют (30Па) и перемешивают со скоростью 1000 об/мин при 25 °C в течение 10 мин. Далее смесь нагревают до 150°C со скоростью 12.5°C/мин и выдерживают при достигнутой температуре в течение 10 мин. Затем раствор охлаждают до 25°C за 30 с. В результате, получают коллоидный раствор нанокристаллов состава Cs в октадецене.

Полученный коллоидный раствор нанокристаллов состава Cs в октадецене центрифугируют с ускорением 1000g в течение 5мин, надосадочный раствор удаляют, осадок редиспергируют в 10 мл толуола посредством ультрасоникации. Затем, раствор повторно центрифугируют с ускорением 1000g в течение 5 мин в 10 мл толуола и надосадочный раствор отбирают.

Предварительно очищенную водой подложку из кремния 5x7 помещают в атмосферу кислородной плазмы под давлением 0.4 мбар, мощностью генератора 100 Вт и частотой 40 кГц, на 1 минуту. Далее, концентрированный коллоидный раствор нанокристаллов в толуоле объемом 10 мкл прокапывают на обработанную подложку. В процессе испарения толуола происходит самосборка сверхрешеток.

Способ получения сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита, включающий добавление октадецена к порошку безводного карбоната цезия Cs2CO3, выдерживание полученной смеси при температуре 100°C в течение 30 мин, добавление олеиновой кислоты и нагревание до 180°C с образованием олеата цезия, охлаждение полученного раствора до 25°C за 30 мин, введение октадецена в бромид свинца PbBr2, создание вакуума с последующим перемешиванием при 100°C в течение 30 мин, введение в эту смесь олеиламина и олеиновой кислоты и ее нагрев до 180°C, смешивание полученных растворов олеата цезия и бромида свинца с образованием коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита в октадецене, его охлаждение до 15°C на ледяной бане, очистку от октадецена центрифугированием, редиспергирование осадка нанокристаллов, повторное центрифугирование коллоидного раствора и удаление надосадочного раствора, редиспергирование осадка нанокристаллов в толуоле с образованием коллоидного раствора нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита в толуоле, который прокапывают на предварительно очищенную кремниевую подложку с образованием сверхрешеток из нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита при испарении толуола, отличающийся тем, что перед очисткой в коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsPbBr3 в октадецене дополнительно добавляют октадецен, центрифугирование во время очистки осуществляют с ускорением 1000g в течение 5-10 мин, далее удаляют надосадочный раствор, редиспергирование осадка нанокристаллов проводят в октадецене, к нему добавляют заранее приготовленную смесь, полученную перемешиванием четырехводного бромида кадмия CdBr2•4H2O с октадеценом при температуре 130°C со скоростью 1000 об/мин в перчаточном боксе, заполненном атмосферой азота 99,999%, в течение 40 мин и добавлением олеиламина и олеиновой кислоты с нагревом до 180°C и охлаждением до 25°C за 30 мин, полученный состав вакуумируют и перемешивают со скоростью 1000 об/мин при комнатной температуре в течение 10 мин, нагревают до 150°C и выдерживают в течение 10 мин, охлаждают до 25°C за 30 с, в результате чего получают коллоидный раствор нанокристаллов состава CsСdxPb1-xBr3, (0<x<1) в октадецене, повторное центрифугирование проводят с ускорением 1000g в течение 5 мин, а после удаления надосадочного раствора в результате редиспергирования осадка нанокристаллов в толуоле получают концентрированный коллоидный раствор нанокристаллов свинцово-галогенидного перовскита CsСdxPb1-xBr3 в толуоле, раствор после редиспергирования вновь центрифугируют в толуоле с ускорением 1000g в течение 5 мин и отбирают надосадочный коллоидный раствор нанокристаллов состава CsСdxPb1-xBr3 в толуоле, который прокапывают на упомянутую кремниевую подложку, предварительно очищенную в атмосфере кислородной плазмы под давлением 0,3-0,4 Мбар с мощностью генератора 50-100 Вт в течение 1 мин.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения составной подложки из SiC с монокристаллическим слоем SiC на поликристаллической подложке из SiC, которая может быть использована при изготовлении мощных полупроводниковых приборов: диодов с барьером Шоттки, pn-диодов, pin-диодов, полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), используемых для регулирования питания при высоких температурах, частотах и уровнях мощности, и при выращивании нитрида галлия, алмаза и наноуглеродных тонких пленок.

Изобретение относится к области химии и может быть использовано для получения метастабильного соединения с кристаллической структурой Bi2GeO5 с добавлением оксида кремния (SiO2) без изменения кристаллической структуры материала. Способ получения германата-силиката висмута включает предварительное механическое смешивание исходных порошков: оксида висмута Bi2O3 - 50 мол.

Изобретение может быть использовано в производстве источников энергии для электронных устройств. Способ получения сложного гидроксида никеля-кобальта включает первую кристаллизацию при подаче раствора, содержащего никель, кобальт и марганец, а также реагента, образующего комплексный ион, и раствора основания, по отдельности и одновременно, в один реакционный сосуд.

Изобретение относится к технологии получения сложных оксидов, имеющих слоистую структуру Руддлесдена-Поппера (РП) и относящихся к гомологической фазе АО⋅(АВО3)2. Способ получения сложного оксида манганита BaLn2Mn2O7+δ, где Ln выбран из группы Nd, Pr, Gd, включает подготовку шихты, содержащей оксид марганца, оксид редкоземельного металла и оксид бария, смешивание исходных компонентов, прессование полученной смеси в таблетки и последующий двухстадийный отжиг в газовой среде, при этом указанные компоненты взяты соответственно атомному соотношению Ba:Ln:Mn=1,0:1,9:2,0, а отжиг проводят в кислородсодержащей газовой среде при поддержании заданного значения давления кислорода в диапазоне Ро2=10-5,0÷10-5,2 атм, причем на первой стадии нагрев осуществляют до температуры 1173К с выдержкой в течение 24 часов, а на второй стадии - до температуры 1573К с выдержкой в течение 48 часов.

Изобретение относится к технологии получения ориентированных кристаллов слоистых гидроксисолей на основе гадолиния, которые могут быть использованы в производстве катализаторов, адсорбентов и анионно-обменных материалов, а также для формирования функциональных покрытий при создании различных гетероструктур и приборов для конверсии электромагнитного излучения, сенсоров и многоцветных светоизлучающих диодов (LEDs).

Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации (метод Бриджмена) при наличии температурного градиента в зоне кристаллизации и устройству для его осуществления. Способ формирования температурного градиента в тепловом узле печи для выращивания фторидных кристаллов заключается в том, что берут устройство в виде медной трубы 3, с одного конца охлаждаемое водой с помощью напаянной на нее водоохлаждаемой медной трубки 4, а с другого конца покрытой теплоизоляционным материалом 5, и устанавливают его внутрь нагревателя 1 с нижнего торца таким образом, чтобы конец медной трубы 3 с теплоизоляционным материалом 5 вошел в нижнюю часть нагревателя 1; затем включают охлаждающую воду, которую направляют через водоохлаждаемую медную трубку 4, для охлаждения сначала конца медной трубы 3, а затем всей медной трубы 3 за счет теплопроводности ее материала; при этом с одной стороны теплоизоляционным материалом 5 предотвращают тепловой обмен между медной трубой 3 и нагревателем 1, с другой стороны – осуществляют охлаждение при помощи водоохлаждаемой медной трубки 4, в результате чего создают температурный градиент величиной 110-130°C/см на переходе из нагревателя 1 в медную трубу 3, далее измеряют температуру по высоте внутри нагревателя 1 с введенным в него упомянутым устройством в виде медной трубы 3 с помощью термопары, установленной на дне тигля с расплавом, перемещаемого по высоте нагревателя 1 из горячей зоны в охлажденную медную трубу 3, и по результатам измерений определяют температурный градиент в зоне роста для дальнейшего процесса выращивания кристалла.

Предлагаемый способ относится к получению галогенидных оптических материалов, обладающих эффективными многофункциональными свойствами, конкретно к получению высокопрозрачной в диапазоне от 1,0 до 67,0 мкм кристаллической керамики на основе двух фаз твердых растворов системы AgBr - TlI. Способ получения высокопрозрачной кристаллической керамики на основе двух твердых растворов системы AgBr - TlI характеризуется тем, что соли AgBr и TlI чистотой 99,9999 мас.

Изобретение относится к технологии выращивания сцинтилляционных монокристаллов на основе бромида церия с общей формулой CeBr3 со 100 %-ным содержанием сцинтиллирующего иона Се3+ методом горизонтальной направленной кристаллизации (ГНК) и может быть использовано при изготовлении элементов детекторов и спектрометров, чувствительных к гамма-, рентгеновскому излучению и другим видам ионизирующего излучения.

Изобретение относится к химической технологии приготовления шихты для выращивания монокристаллов фторидов. Способ включает смешивание исходных компонентов MeF2-RF3-PbF2, где Me – Са, или Ва, или Sr, R - РЗЭ, a PbF2 является поглотителем кислорода, их нагрев и выдержку, при этом в качестве R используют Еu3+, или Се3+, или Tm3+, или Nd3+, компоненты берут в стехиометрическом соотношении Me - 93%, R - 2%, PbF2 - 5%, или Me - 96%, R - 2%, PbF2 - 2%, или Me - 97%, R - 1%, PbF2 - 2%, с последующей их укладкой в графитовый тигель в форме «лодочки» с крышкой из того же материала, далее осуществляют установку тигля с компонентами в высокотемпературную вакуумную печь с графитовым тепловым узлом и нагрев в ней до температуры 200-250°С в вакууме с последующей выдержкой в течение 3-4 ч, затем нагрев тигля с компонентами в высокотемпературной отжиговой вакуумной печи до температуры 700-750°С в атмосфере вакуума с последующей выдержкой в течение 3-4 ч, нагрев тигля с компонентами в высокотемпературной отжиговой вакуумной печи до температуры 1000-1300°С в избыточной атмосфере вакуума и выдержкой 6 ч и последующей выдержкой в избыточной атмосфере фтороводорода HF или тетрафторметана CF4 в течение 6-8 ч и инерционное охлаждение полученного спека до комнатной температуры, при этом используют печь и тигель, не содержащие в составе своего материала молекул кислорода.

Изобретение относится к технологии выращивания фторидных кристаллов, которые широко используются в оптике, фотонике, физике высоких энергий. Одним из вариантов является способ выращивания кристаллов флюоритовых твердых растворов М1-xM'xF2, где М=Са, Sr, Ва; М'=Pb, Cd, где 0<х<1 и является мольной долей летучего компонента М'F2, включающий вертикальную направленную кристаллизацию компонентов во фторирующей атмосфере, при этом предварительно переплавляют во фторирующей атмосфере компоненты MF2 и М'F2, размалывают названные компоненты, затем количество (1-х) компонента MF2, определяемое стехиометрией выращиваемого твердого раствора M1-xM'xF2, помещают в тигель 3 в корпус 1 ростовой печи, содержащей тепловой узел 2, а необходимое количество компонента М'F2, определяемое его мольной долей х, помещают в виде гранул в дозирующее устройство 5, которое вакуумноплотно устанавливают на верхний фланец ростовой камеры печи, далее печь вакуумируют до уровня остаточного давления 5⋅10-4-10-5 мм рт.ст., заполняют печь смесью газов Не и CF4 в количестве 5-10 об.

Изобретение относится к технологии получения перовскитных структур для тонкопленочных оптоэлектронных устройств в технологических процессах производства светодиодов, солнечных элементов и фотодетекторов со спектральным диапазоном от 400 до 780 нм, запрещенной зоной от 3,1 до 1,57 эВ. Способ химического осаждения сплошных пленок со структурой перовскита со структурной формулой АРbХ3 для производства фотовольтаических устройств, светодиодов и фотодетекторов, где А является катионом в виде СН3NН3+, или (NH2)2CH+, или С(NН2)3+, или Cs+, или их смеси, X является анионом в виде Сl-, или Вr-, или I-, или их смеси, из газовой фазы, заключается в размоле компонентов синтеза АХ и РbХ2 в молярном соотношении в диапазоне от 1:4 до 1:1 в шаровой мельнице в режиме 12 циклов по 5 мин при 400 об/мин до образования стехиометрического соединения, последующей загрузке продуктов размола в зоне нагрева и испарения компонентов синтеза, размещении плоской подложки в зоне нагрева и осаждении продуктов синтеза, обеспечении давления 10 Па в реакционном объеме и потока транспортировочного газа в направлении от зоны нагрева компонентов реакции к зоне осаждения продуктов реакции, увеличении температуры в зоне нагрева до испарения компонентов синтеза, увеличении температуры в зоне осаждения продуктов реакции, формировании фотоактивного перовскитного фотолюминесцентного слоя путем химического осаждения из газовой фазы на подложке в зоне осаждения продуктов синтеза при температуре, повышенной до 305°С и поддерживаемой до завершения процесса.
Наверх