Изделие из стеклокристаллического материала и стеклокристаллический материал для закрывающей пластины электронного устройства

В настоящем изобретении раскрывается изделие из стеклокристаллического материала и стеклокристаллический материал для закрывающей пластины электронного устройства. Стеклокристаллический материал содержит в качестве основной кристаллической фазы силикат лития и кристаллическую фазу кварца и характеризуется композицией, содержащей в процентах по весу следующее: SiO₂ 65-85, Al₂O₃ 1-15, Li₂O 5-15, ZrO₂ 0,1-10, P₂O₅ более 0,79 и менее 2, K₂O 0-10, MgO 0-10, ZnO 0-10 и Na₂O 0-5, при этом отношение (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 40-90. При определении ударной прочности методом падающего шарика высота составляет 700 мм или больше. Благодаря надлежащему подбору компонентов стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению обладают превосходными механическими свойствами и получение стеклокристаллического материала или изделия из стеклокристаллического материала, подходящих для электронного оборудования, сопровождается меньшими затратами. 7 н. и 22 з.п. ф-лы, 9 табл.

 

ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ, К КОТОРОЙ ОТНОСИТСЯ ИЗОБРЕТЕНИЕ

[0001] Настоящее изобретение относится к изделию из стеклокристаллического материала и стеклокристаллическому материалу, в частности, к изделию из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства, стеклокристаллическому материалу, стеклянной закрывающей пластине для электронного устройства и электронному устройству.

ПРЕДПОСЫЛКИ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0002] Поскольку внутри электронного устройства имеется множество сложных электронных компонентов, для защиты внутренних электронных компонентов необходима закрывающая пластина или корпус. Согласно информации, раскрытой в предшествующем уровне техники, металл является основным материалом, используемым в качестве закрывающих пластин. Однако металл имеет такие недостатки, как чувствительность к окислению и экранирование электромагнитных сигналов; также в предшествующем уровне техники раскрыты некоторые закрывающие пластины, изготовленные из стекла. Например, в патенте Китая CN101508524A раскрыто химически упрочненное стекло, свойства которого, такие как прочность при падении и трещиностойкость, с трудом удовлетворяют фактическим требованиям.

[0003] Стеклокристаллический материал представляет собой материал, полученный посредством термообработки стекла с осаждением микрокристаллов в стекломассе. Поскольку в стеклокристаллическом материале диспергированы кристаллы, стеклокристаллический материал имеет такие значения физических свойств, которых невозможно добиться в стекле. Например, это значения показателей механической прочности, таких как модуль Юнга и трещиностойкость, характеристики травления кислотным или щелочным химическим раствором, термические свойства, такие как коэффициент теплового расширения, повышение или исчезновение температуры стеклования, и т. п. Стеклокристаллический материал характеризуется более высокими значениями механических свойств и благодаря кристаллам, образованным в стеклокристаллическом материале, стеклокристаллический материал имеет очевидные преимущества в отношении некоторых свойств, таких как прочность на изгиб и износостойкость, по сравнению с обычным стеклом.

[0004] На основании вышеприведенных факторов авторам настоящего изобретения, посредством большого количества экспериментов, предстояло разработать стеклокристаллический материал с превосходными механическими свойствами, который является подходящим для электронных устройств.

КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

[0005] Техническая задача, решаемая с помощью настоящего изобретения, заключается в обеспечении изделия из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства, которое обладает превосходными механическими свойствами.

[0006] Технические решения, применяемые для решения технических задач настоящего изобретения, являются следующими.

[0007] (1) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства содержит в качестве основной кристаллической фазы силикат лития и кристаллическую фазу кварца и характеризуется композицией, содержащей в процентах по весу следующие компоненты: SiO₂: 65-85%, Al₂O₃: 1-15%, Li₂O: 5-15%, ZrO₂: 0,1-10%, P₂O₅: 0,1-10%, K₂O: 0-10%, MgO: 0-10%, ZnO: 0-10% и Na₂O: 0-5%, где (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 40-90, высота при определении ударной прочности методом падающего шарика составляет 700 мм или больше.

[0008] (2) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства содержит в процентах по весу следующие компоненты: SiO₂: 65-85%, Al₂O₃: 1-15%, Li₂O: 5-15%, ZrO₂: 0,1-10%, P₂O₅: 0,1-10%, K₂O: 0-10%, MgO: 0-10%, ZnO: 0-10% и Na₂O: 0-5%.

[0009] (3) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(2) дополнительно содержит в процентах по весу: SrO: 0-5%, BaO: 0-5%, TiO₂: 0-5%, Y₂O₃: 0-5%, B₂O₃: 0-3% и осветляющее средство: 0-2%.

[0010] (4) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(3), где: (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 6-15; (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ составляет 5-20; (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 40-80; (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,6-1,2; или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,3-4,0.

[0011] (5) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(4), где: (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 8-13; (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ составляет 6-14; (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 40-70; (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 45-85; (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,7-1,1; и Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,5-3,5.

[0012] (6) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(5) содержит в процентах по весу следующие компоненты: SiO₂: 70-76%, Al₂O₃: 4-10%, Li₂O: 8-12,5%, ZrO₂: 1-5%, P₂O₅: 1-3%, K₂O: 0-3%, MgO: 0,3-2%, ZnO: 0-3%, Na₂O: 0-1%, Sb₂O₃: 0-1%, SnO₂: 0-1%, SnO: 0-1% или CeO₂: 0-1%.

[0013] (7) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(6), где: (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ составляет 8,5-14; (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 45-60; (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 48-80; или (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 8,5-12.

[0014] (8) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(7), где: (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,8-1,0; или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,8-3,3.

[0015] (9) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(8) содержит в процентах по весу Li₂O от 8% до менее чем 10%, при этом не содержит SrO, не содержит BaO, не содержит TiO₂, не содержит Y₂O₃, не содержит GeO₂, не содержит CaO, не содержит Cs₂O, не содержит PbO, не содержит B₂O₃, не содержит As₂O₃, не содержит La₂O₃ и не содержит Tb₂O₃.

[0016] (10) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(9), где кристалличность составляет 70% или больше.

[0017] (11) Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(10), где высота при определении ударной прочности методом падающего шарика составляет 1000 мм или больше; или прочность при четырехточечном изгибе составляет 650 МПа или больше; или мутность для толщины 0,55 мм составляет 0,5% или меньше; или температурный коэффициент показателя преломления составляет -0,8×10^-6/°C или меньше; или светопропускание для толщины 0,55 мм при длине волны 550 нм составляет 88% или больше.

[0018] Настоящее изобретение также предусматривает стеклокристаллический материал с превосходными механическими свойствами.

[0019] Технические решения, применяемые для решения технических задач настоящего изобретения, являются следующими.

[0020] (12) Стеклокристаллический материал, который содержит в качестве основной кристаллической фазы силикат лития и кристаллическую фазу кварца и характеризуется композицией, содержащей в процентах по весу следующие компоненты: SiO₂: 65-85%, Al₂O₃: 1-15%, Li₂O: 5-15%, ZrO₂: 0,1-10%, P₂O₅: 0,1-10%, K₂O: 0-10%, MgO: 0-10%, ZnO: 0-10%, Na₂O: 0-3%, Sb₂O₃: 0-1%, SnO₂: 0-1%, SnO: 0-1% и CeO₂: 0-1%, где (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 40-90, (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,6-1,2, и мутность для толщины 0,55 мм составляет 0,5% или меньше.

[0021] (13) Стеклокристаллический материал, который содержит в качестве основной кристаллической фазы силикат лития и кристаллическую фазу кварца и характеризуется композицией, содержащей в процентах по весу следующие компоненты: SiO₂: 65-85%, Al₂O₃: 1-15%, Li₂O: 5-15%, ZrO₂: 0,1-10%, P₂O₅: 0,1-10%, K₂O: 0-10%, MgO: 0-10% и ZnO: 0-10%, где (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 40-90.

[0022] (14) Стеклокристаллический материал, который содержит в процентах по весу следующие компоненты: SiO₂: 65-85%, Al₂O₃: 1-15%, Li₂O: 5-15%, ZrO₂: 0,1-10%, P₂O₅: 0,1-10%, K₂O: 0-10%, MgO: 0-10% и ZnO: 0-10%.

[0023] (15) Стеклокристаллический материал в соответствии с любым из пунктов (12)-(14), где (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 45-85; (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 8-13; (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ составляет 6-14; (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 40-70; или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,5-3,5.

[0024] (16) Стеклокристаллический материал в соответствии с любым из пунктов (12)-(15), где SiO₂: 70-76%, Al₂O₃: 4-10%, Li₂O: 8-12,5%, ZrO₂: 1-5%, P₂O₅: 1-3%, K₂O: 0-3%, MgO: 0,3-2%, ZnO: 0-3% и Na₂O: 0-1%.

[0025] (17) Стеклокристаллический материал в соответствии с любым из пунктов (12)-(16), где: (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,8-1,0; или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,8-3,3.

[0026] (18) Стеклокристаллический материал в соответствии с любым из пунктов (12)-(17), где кристалличность составляет 70% или больше; или размер микрокристаллов составляет 80 нм или меньше; или температурный коэффициент показателя преломления составляет -0,8×10^-6/°C или меньше; или среднее значение светопропускания для толщины 1 мм при длине волны 400-800 нм составляет 85% или больше.

[0027] Настоящее изобретение дополнительно предусматривает стеклянную закрывающую пластину для электронного устройства.

[0028] (19) Стеклянная закрывающая пластина для электронного устройства предусматривает изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(11) или стеклокристаллический материал в соответствии с любым из пунктов (12)-(18).

[0029] Настоящее изобретение дополнительно предусматривает электронное устройство.

[0030] (20) Электронное устройство содержит изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства в соответствии с любым из пунктов (1)-(11), или стеклокристаллический материал в соответствии с любым из пунктов (12)-(18), или стеклянную закрывающую пластину для электронного устройства в соответствии с пунктом (19).

[0031] Положительный эффект настоящего изобретения заключается в том, что благодаря надлежащей комбинации компонентов стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению обладают превосходными механическими свойствами и подходят для электронных устройств.

ВАРИАНТЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ

[0032] Далее в данном документе изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства называется просто «изделие из стеклокристаллического материала».

[0033] Стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению представляют собой материалы, содержащие кристаллическую фазу и стеклофазу, которые отличаются от аморфных твердых веществ. Кристаллические фазы стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала могут быть определены по углам пиков, появляющихся на дифракционной рентгенограмме рентгеновского дифракционного анализа, и с помощью TEMEDX, при этом основная кристаллическая фаза измеряется с помощью рентгеновской дифракции.

[0034] После многократных экспериментов и исследований авторы настоящего изобретения свели содержание и соотношение конкретных компонентов, которые составляют стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала, до конкретных значений и провели осаждение конкретной кристаллической фазы с получением стеклокристаллического материала или изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению при меньших затратах.

[0035] Далее будет описан диапазон содержания каждого компонента из композиции стекла, стеклокристаллического материала или изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению. В данном описании, если не указано иное, содержание каждого компонента выражается в процентах по весу относительно общего количества стекломатериала в композиции в пересчете на оксид. В данном документе «композиция в пересчете на оксид» означает, что если оксиды, комплексные соли, гидроксиды и т. п., используемые в качестве исходных материалов для компонентов композиции стекла, стеклокристаллического материала или изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению, разлагаются при плавлении и превращаются в оксид, то общее количество оксида принимается за 100%. Кроме того, в настоящем описании стекло относится только к композиции стекла перед кристаллизацией; стеклокристаллический материал относится к композиции стекла после кристаллизации; и изделие из стеклокристаллического материала относится к стеклокристаллическому материалу после химической закалки.

[0036] Если не указано иное, диапазон значений, описанный в данном документе, включает значение верхнего предела и значение нижнего предела, выражения «выше» и «ниже» включают конечные значения, все целые числа и дробные числа в пределах диапазона чисел и не ограничиваются конкретными значениями, перечисленными в определенных диапазонах. Термин «приблизительно», используемый в данном документе, означает, что составы, параметры или другие количества и характеристики не являются точными и не должны быть таковыми, и, при необходимости, могут быть приблизительными и/или большими или меньшими, что отражает допустимые отклонения, коэффициенты масштабирования и погрешности измерения. Используемое в данном документе выражение «и/или» является включающим, например, «A и/или B» означает только A, или только B, или как A, так и B.

[0037] Стекло, стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению можно в целом охарактеризовать как литий-алюмосиликатное стекло, стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала, которые содержат SiO₂, Al₂O₃ и Li₂O, при этом дополнительно содержат ZrO₂ и P₂O₅ и другие компоненты. В некоторых вариантах осуществления, в зависимости от композиции стекла, первая основная кристаллическая фаза стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала представляет собой силикат лития; в некоторых вариантах осуществления первая основная кристаллическая фаза представляет собой петалит; в некоторых вариантах осуществления первая основная кристаллическая фаза представляет собой кристаллическую фазу кварца (содержащую кварц или комбинацию кварца и твердого раствора кварца). В некоторых вариантах осуществления основная кристаллическая фаза содержит силикат лития и кристаллическую фазу кварца. В некоторых вариантах осуществления основная кристаллическая фаза содержит силикат лития и петалит. В некоторых вариантах осуществления первая кристаллическая фаза представляет собой силикат лития, и вторая кристаллическая фаза представляет собой кристаллическую фазу кварца; в некоторых вариантах осуществления первая кристаллическая фаза представляет собой кристаллическую фазу кварца, и вторая кристаллическая фаза представляет собой силикат лития; в некоторых вариантах осуществления первая кристаллическая фаза представляет собой силикат лития, и вторая кристаллическая фаза представляет собой петалит; в некоторых вариантах осуществления первая кристаллическая фаза представляет собой петалит, и вторая кристаллическая фаза представляет собой силикат лития. В некоторых вариантах осуществления основная кристаллическая фаза содержит силикат лития, петалит и кристаллическую фазу кварца; в некоторых вариантах осуществления первая кристаллическая фаза представляет собой силикат лития, вторая основная кристаллическая фаза представляет собой петалит, и третья основная кристаллическая фаза представляет собой кристаллическую фазу кварца; в некоторых вариантах осуществления первая основная кристаллическая фаза представляет собой силикат лития, вторая основная кристаллическая фаза представляет собой кристаллическую фазу кварца, и третья основная кристаллическая фаза представляет собой петалит; в некоторых вариантах осуществления первая кристаллическая фаза представляет собой петалит, вторая основная кристаллическая фаза представляет собой силикат лития, и третья основная фаза представляет собой кристаллическую фазу кварца; в некоторых вариантах осуществления первая кристаллическая фаза представляет собой кристаллическую фазу кварца, вторая основная кристаллическая фаза представляет собой силикат лития, и третья основная фаза представляет собой петалит. В некоторых вариантах осуществления кристаллическая фаза кварца представляет собой α-гексагональную кристаллическую фазу кварца; в некоторых вариантах осуществления силикат лития представляет собой дисиликат лития; в качестве минорной кристаллической фазы могут присутствовать также β-сподумен ss, фосфат лития и т. п. Следует отметить, что «кристаллическая фаза кварца», как используется в данном документе, включает два варианта: содержится только кристаллический кварц, содержится кварц и твердый раствор кварца.

[0038] В некоторых вариантах осуществления остаточная стеклофаза в стеклокристаллическом материале и изделии из стеклокристаллического материала составляет 8-45% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 10-40% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 12-40% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 15-40% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 15-35% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 15-32% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 20-45% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 20-40% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 32-45% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 32-40% по весу; в некоторых вариантах осуществления составляет 35-45% по весу.

[0039] Если основная кристаллическая фаза стеклокристаллического материала представляет собой одно из кристаллической фазы кварца, силиката лития и петалита или их комбинации, трещиностойкость стеклокристаллического материала становится выше. Если основная кристаллическая фаза стеклокристаллического материала представляет собой кристаллическую фазу кварца и дисиликат лития, то температурный коэффициент показателя преломления стеклокристаллического материала становится ниже, а трещиностойкость становится выше; высота при определении ударной прочности методом падающего шарика для стеклокристаллического материала становится больше, прочность при четырехточечном изгибе становится больше.

[0040] В настоящем изобретении основная кристаллическая фаза составляет 50-92% по весу стеклокристаллического материала или изделия из стеклокристаллического материала; в некоторых вариантах осуществления весовой процент достигает 60-90%; в некоторых вариантах осуществления весовой процент достигает 65-85%; в некоторых вариантах осуществления весовой процент достигает 70-80%; в некоторых вариантах осуществления весовой процент достигает 80-92%. «Основная кристаллическая фаза», как используется в данном документе, относится к кристаллической фазе с более высоким весовым процентом, чем у других кристаллических фаз, присутствующих в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала.

[0041] В некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы кварца в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 70% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы кварца в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 65% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы кварца в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 60% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы кварца в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 55% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы кварца в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 50% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы кварца в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 45% или меньше.

[0042] В некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы силиката лития в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 55% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы силиката лития в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 50% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы силиката лития в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 45% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы силиката лития в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 40% или меньше.

[0043] В некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы петалита в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 40% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы петалита в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 35% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы петалита в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 30% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы петалита в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 25% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы петалита в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 20% или меньше; в некоторых вариантах осуществления весовой процент кристаллической фазы петалита в стеклокристаллическом материале или изделии из стеклокристаллического материала составляет 15% или меньше.

[0044] SiO₂ является основным компонентом в композиции стекла по настоящему изобретению и может использоваться для стабилизации сетчатой структуры стекла и стеклокристаллического материала. SiO₂ является одним из компонентов, образующих силикат лития, кристаллическую фазу кварца и петалит после кристаллизации; если содержание SiO₂ составляет 65% или меньше, то кристаллов, образованных в стеклокристаллическом материале, становится меньше, причем они становятся более крупными, что влияет на мутность стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала, а также на характеристику высоты при определении ударной прочности методом падающего шарика для изделия из стеклокристаллического материала. Следовательно, нижний предел содержания SiO₂ составляет предпочтительно 65%, предпочтительно 70%. Если содержание SiO₂ составляет 85% или больше, то температура плавления стекла является высокой, а это приводит к сложному плавлению материала и затруднительному формованию стекла, что влияет на однородность стекла. Следовательно, верхний предел содержания SiO₂ составляет предпочтительно 85%, предпочтительно 80% и более предпочтительно 76%. В некоторых вариантах осуществления может содержаться приблизительно 66%, 67%, 68%, 69%, 70%, 71%, 72%, 73%, 74%, 75%, 76%, 77%, 78%, 79%, 80%, 81%, 82%, 83% и 84% SiO₂.

[0045] Al₂O₃ представляет собой компонент для формирования сетчатой структуры стекла. Al₂O₃ является важным компонентом, способствующим стабилизации формирования стекла и улучшению химической стабильности. Al₂O₃ также может улучшать механические свойства стекла и увеличивать глубину ионообменного слоя и поверхностное напряжение изделия из стеклокристаллического материала. Однако если содержание Al₂O₃ составляет менее 1%, то эффекты, указанные выше, являются слабыми. Таким образом, нижний предел содержания Al₂O₃ составляет 1% и предпочтительно 4%. В качестве альтернативы, если содержание Al₂O₃ превышает 15%, то плавкость и устойчивость к расстекловыванию стекла снижаются, и кристаллы в ходе кристаллизации становятся более крупными, что снижает прочность стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. Таким образом, верхний предел содержания Al₂O₃ составляет 15%, предпочтительно 12% и более предпочтительно 10%. В некоторых вариантах осуществления может содержаться приблизительно 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14% и 15% Al₂O₃.

[0046] Li₂O является важным компонентом в композиции кристаллической фазы после кристаллизации. Li₂O способствует образованию литийсодержащей кристаллической фазы, такой как силикат лития и петалит, и необходим для химического упрочнения. Если же содержание Li₂O составляет менее 5%, то эффекты являются слабыми. Следовательно, нижний предел содержания Li₂O составляет 5%, предпочтительно 7% и более предпочтительно 8%. В некоторых вариантах осуществления составляет более предпочтительно 9%; с другой стороны, если Li₂O содержится в избыточном количестве, то чересчур снижается химическая стабильность стекла и ухудшается светопропускание стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. Поэтому верхний предел содержания Li₂O составляет предпочтительно 15% и более предпочтительно 12,5%, в некоторых вариантах осуществления еще более предпочтительно - менее 10%. В некоторых вариантах осуществления может содержаться приблизительно 5%, 6%, 7%, 8%, 9%, 9,8%, 10%, 11%, 12%, 13%, 14% и 15% Li₂O.

[0047] В ходе проведения многочисленных экспериментов и исследований авторы настоящего изобретения обнаружили, что коэффициент теплового расширения стекла, а также мутность и размер микрокристаллов стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала могут зависеть от регулирования введения SiO₂, Li₂O и Al₂O₃ в определенном соотношении. В частности, соотношение (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃, находящееся в диапазоне от 6 до 15, приводит к тому, что стекло имеет более низкий коэффициент теплового расширения, и после кристаллизации получают микрокристаллы меньшего размера, и улучшается механическая прочность стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. В некоторых вариантах осуществления (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет предпочтительно 8-13, более предпочтительно 8-12,5, при этом можно дополнительно добиться меньшей мутности, что обеспечивает превосходное светопропускание стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. Кроме того, для обеспечения заметного эффекта (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет предпочтительно 8,5-12. В некоторых вариантах осуществления значение (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ может составлять 6, 6,5, 7, 7,5, 8, 8,5, 9, 9,5, 10, 10,5, 11, 11,5, 12, 12,5, 13, 13,5, 14, 14,5 и 15.

[0048] P₂O₅ является необязательным компонентом, который способствует улучшению свойства плавления при низкой температуре стекла и способен обеспечивать образование зародышей кристаллов в стекле посредством фазового разделения, а также улучшать стабильность при термическом расширении стекла в ходе кристаллизации. Нижний предел содержания P₂O₅ составляет предпочтительно 0,1, более предпочтительно 0,5% и еще более предпочтительно 1%. Однако если P₂O₅ содержится в избыточном количестве, это легко может вызвать снижение устойчивости стекла к расстекловыванию и фазовое разделение стекла, в результате чего механические свойства стекла ухудшаются. Следовательно, верхний предел содержания P₂O₅ составляет 10%, предпочтительно 5% и более предпочтительно 3%. В некоторых вариантах осуществления может содержаться приблизительно 0%, 0,1%, 0,3%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9% и 10% P₂O₅.

[0049] В настоящем изобретении за счет регулирования значения (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ в диапазоне от 40 до 80 можно оптимизировать глубину ионообменного слоя изделия из стеклокристаллического материала. В частности, значение (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ находится в диапазоне 40-70, более предпочтительно значение (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 42-60 и еще более предпочтительно 45-60, при этом в изделии из стеклокристаллического материала можно получить более глубокий ионообменный слой. В некоторых вариантах осуществления, если значение (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ находится в диапазоне от 40 до 70, более предпочтительно в диапазоне от 42 до 60 и еще более предпочтительно в диапазоне 45-60, то процесс кристаллизации способствует образованию кристаллической фазы кварца и дисиликата лития, а стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала имеют превосходный температурный коэффициент показателя преломления, составляющий -0,5×10^-6/°C или меньше, предпочтительно -0,8×10^-6/°C или меньше и более предпочтительно -1,1×10^-6/°C или меньше, что уменьшает разницу в показателе преломления, обусловленную разницей температур между стеклофазой и другой кристаллической фазой стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала, и предотвращает снижение светопропускания стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала вследствие изменения разницы температур. В некоторых вариантах осуществления значение (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ может составлять 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70.

[0050] В ходе проведения большого количества экспериментов и исследований авторы настоящего изобретения обнаружили, что соотношение Al₂O₃, Li₂O и P₂O₅, которые вводятся в стекло, оказывает значительное влияние на поверхностное напряжение и прочность при четырехточечном изгибе стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. В частности, если (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ находится в диапазоне от 5 до 20, это может улучшать поверхностное напряжение стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. Предпочтительно (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ находится в диапазоне от 6 до 14, в некоторых вариантах осуществления более предпочтительно находится в диапазоне от 8 до 14 и еще более предпочтительно находится в диапазоне от 8,5 до 14, при этом легко образуется кристаллическая фаза кварца и дисиликат лития, и, очевидно, улучшается прочность при четырехточечном изгибе стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. В некоторых вариантах осуществления прочность при четырехточечном изгибе стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала составляет 600 МПа или больше, предпочтительно 650 МПа или больше и более предпочтительно 700 МПа или больше. В некоторых вариантах осуществления значение (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ может составлять 5, 5,5, 6, 6,5, 7, 7,5, 8, 8,5, 9, 9,5, 10, 10,5, 11, 11,5, 12, 12,5, 13, 13,5, 14, 14,5, 15, 15,5, 16, 16,5, 17, 17,5, 18, 18,5, 19, 19,5 и 20.

[0051] ZrO₂ способен обеспечивать осаждение кристалла с образованием зародышей кристаллов и является необязательным компонентом, способствующим улучшению химической стабильности стекла. В соответствии с исследованиями, было обнаружено, что ZrO₂ может дополнительно улучшать стабильность стекла на основе Li₂O-Al₂O₃-SiO₂-P₂O₅ за счет значительного уменьшения расстеклования стекла и снижения температуры ликвидуса в процессе формирования. В настоящем изобретении нижний предел содержания ZrO₂ составляет предпочтительно 0,1, более предпочтительно 0,5% и еще более предпочтительно 1%. Однако если ZrO₂ содержится в избыточном количестве, устойчивость к расстекловыванию стекла легко снижается, и сложность управления процессом кристаллизации стекла возрастает. Следовательно, верхний предел содержания ZrO₂ составляет 10%, предпочтительно 6% и более предпочтительно 5%. В некоторых вариантах осуществления содержание ZrO₂ может составлять приблизительно 0%, 0,1%, 0,3%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9% и 10%.

[0052] В большом числе экспериментальных исследований авторы настоящего изобретения обнаружили, что путем регулирования соотношения общего содержания SiO₂, Al₂O₃, Li₂O и ZrO₂ и содержания введенного P₂O₅, а именно (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅, в диапазоне от 40 до 90 изделие из стеклокристаллического материала можно подвергать испытанию на ударную прочность методом падающего шарика при высоте 700 мм или больше, при этом предпочтительно (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 45-85. В частности, в некоторых вариантах осуществления, если (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ находится в диапазоне от 48 до 80, легко образуются дисиликат лития и кристаллическая фаза кварца, при этом относительно легко добиться отличной трещиностойкости изделия из стеклокристаллического материала. Трещиностойкость может составлять 1 МПа·м^1/2 или больше, предпочтительно 1,3 МПа·м^1/2 или больше и более предпочтительно 1,5 МПа·м^1/2 или больше. Вместе с тем, чтобы дополнительно оптимизировать допустимые отклонения высоты при определении ударной прочности методом падающего шарика, (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ еще более предпочтительно составляет 48-80. Высота при определении ударной прочности методом падающего шарика составляет 700 мм или больше, предпочтительно 800 мм или больше, более предпочтительно 1000 мм или больше и еще более предпочтительно 1200 мм или больше. В некоторых вариантах осуществления (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ может составлять 40, 41, 42, 43, 44, 45, 46, 47, 48, 49, 50, 51, 52, 53, 54, 55, 56, 57, 58, 59, 60, 61, 62, 63, 64, 65, 66, 67, 68, 69, 70, 71, 72, 73, 74, 75, 76, 77, 78, 79, 80, 81, 82, 83, 84, 85, 86, 87, 88, 89, 90.

[0053] K₂O является необязательным компонентом, способствующим улучшению свойства плавления при низкой температуре и формуемости стекла. Однако если K₂O содержится в избыточном количестве, это легко может вызвать снижение химической стабильности стекла и увеличение среднего коэффициента линейного расширения. Поэтому содержание K₂O составляет от 0% до 10%, предпочтительно от 0% до 5% и более предпочтительно от 0% до 3%. В некоторых вариантах осуществления может содержаться приблизительно 0%, более 0%, 0,1%, 0,3%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9% и 10% K₂O.

[0054] В настоящем изобретении, если соотношение введенного Li₂O и общего содержания K₂O и ZrO₂, а именно Li₂O/(K₂O+ZrO₂), регулируется в диапазоне 2,3-4,0, то кристаллические свойства стеклокристаллического материала можно оптимизировать, что обуславливает надлежащую степень кристалличности стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала, так что стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала обладают превосходными свойствами. Предпочтительно Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет от 2,5 до 3,5 и более предпочтительно от 2,8 до 3,3, что увеличивает высоту при определении ударной прочности методом падающего шарика для стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. В некоторых вариантах осуществления высота при определении ударной прочности методом падающего шарика составляет предпочтительно 800 мм или больше, более предпочтительно 1000 мм или больше и еще более предпочтительно 1200 мм или больше. В некоторых вариантах осуществления значение Li₂O/(K₂O+ZrO₂) может составлять 2,3, 2,4, 2,5, 2,6, 2,7, 2,8, 2,9, 3,0, 3,1, 3,2, 3,3, 3,4, 3,5, 3,6, 3,7, 3,8, 3,9 и 4,0.

[0055] ZnO может улучшать свойства плавления стекла, улучшать химическую стабильность стекла и обеспечивать уменьшение размера микрокристаллов в ходе кристаллизации. Уменьшение расстеклования можно сдерживать путем регулирования верхнего предела содержания ZnO на уровне 10% или меньше. Следовательно, верхний предел содержания ZnO составляет 10%, предпочтительно 5% и более предпочтительно 3%. В некоторых вариантах осуществления может содержаться приблизительно 0%, более 0%, 0,1%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9% и 10% ZnO.

[0056] MgO способствует снижению вязкости стекла, подавлению кристаллизации стекла в ходе формирования и уменьшению размера микрокристаллов в ходе кристаллизации, а также оказывает влияние на улучшение свойства плавления при низкой температуре. В настоящем изобретении MgO является необязательным компонентом, и его содержание предпочтительно составляет 0,3% или больше. Но если MgO содержится в избыточном количестве, это может вызывать снижение устойчивости к расстекловыванию и получение нежелательного кристалла после кристаллизации, что приводит к ухудшению свойств стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. Следовательно, верхний предел содержания MgO составляет 10%, предпочтительно 5% и более предпочтительно 2%. В некоторых вариантах осуществления может содержаться приблизительно 0%, более 0%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4%, 5%, 6%, 7%, 8%, 9% и 10% MgO.

[0057] В ходе проведения многочисленных экспериментов и исследований авторы настоящего изобретения обнаружили, что если соотношение общего содержания K₂O и MgO, т. е. K₂O+MgO, и содержания введенного ZrO₂, которое представляет собой (K₂O+MgO)/ZrO₂, регулируется в диапазоне 0,6-1,2, то возникает синергетический эффект с Li₂O, обуславливающий надлежащую степень кристалличности стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала. В результате стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала обладают превосходными свойствами. В то же время исследования показали, что путем регулирования (K₂O+MgO)/ZrO₂ предпочтительно в диапазоне 0,7-1,1 можно обеспечить уменьшение размера кристаллических зерен и добиться лучших значений светопропускания и механических свойств, при этом более предпочтительно (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет от 0,8 до 1,0, в некоторых вариантах осуществления прочность при четырехточечном изгибе стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала увеличивается, прочность при четырехточечном изгибе составляет предпочтительно 650 МПа или больше и более предпочтительно 700 МПа или больше. В некоторых вариантах осуществления (K₂O+MgO)/ZrO₂ может составлять 0,6, 0,65, 0,7, 0,75, 0,8, 0,85, 0,9, 0,95, 1,0, 1,05, 1,1, 1,15 и 1,2.

[0058] SrO является необязательным компонентом, который улучшает свойство плавления при низкой температуре стекла и препятствует возникновению кристаллизации. В настоящем изобретении содержание SrO предпочтительно регулируется на уровне 5% или меньше, что позволяет легко добиться превосходного размера микрокристаллов в стеклокристаллическом материале и изделии из стеклокристаллического материала. Предпочтительно содержание SrO составляет 1% или меньше. В некоторых вариантах осуществления SrO предпочтительно не вводится. В некоторых вариантах осуществления содержится приблизительно 0%, более 0%, 0,3%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4% и 5% SrO.

[0059] BaO является необязательным компонентом, способствующим улучшению способности стекла к стеклованию. Если содержание BaO превышает 5%, то устойчивость к расстекловыванию стекла уменьшается. Следовательно, в настоящем изобретении содержание BaO предпочтительно регулируется на уровне 5% или меньше и более предпочтительно на уровне 1% или меньше. В некоторых вариантах осуществления BaO предпочтительно не вводится. В некоторых вариантах осуществления содержится приблизительно 0%, более 0%, 0,3%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4% и 5% BaO.

[0060] TiO₂ является необязательным компонентом, способствующим снижению температуры плавления стекла и улучшению химической стабильности. В настоящем изобретении введение 5% или меньше TiO₂ может упростить контроль процесса кристаллизации стекла. Предпочтительно содержание TiO₂ составляет 1% или меньше. В некоторых вариантах осуществления TiO₂ предпочтительно не вводится. В некоторых вариантах осуществления содержание TiO₂ может составлять приблизительно 0%, более 0%, 0,3%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4% и 5%.

[0061] Y₂O₃ является необязательным компонентом, способствующим улучшению твердости и химической стабильности стекла. Однако если содержание Y₂O₃ является избыточным, то легко вызвать кристаллизацию стекла. Содержание Y₂O₃ составляет 5% или меньше, предпочтительно 1% или меньше. В некоторых вариантах осуществления Y₂O₃ предпочтительно не вводится. В некоторых вариантах осуществления Y₂O₃ может составлять приблизительно 0%, более 0%, 0,3%, 0,5%, 1%, 2%, 3%, 4% и 5%.

[0062] Na₂O является необязательным компонентом для улучшения плавкости стекла; если его содержание высокое, это может вызвать увеличение количества осажденной кристаллической фазы или изменение осаждающейся кристаллической фазы в ходе кристаллизации. Таким образом, без нарушения свойств стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению изделие из стеклокристаллического материала может предпочтительно содержать 5% или меньше Na₂O, более предпочтительно 3% или меньше и еще более предпочтительно 1% или меньше. В некоторых вариантах осуществления предпочтительно не содержится Na₂O. В некоторых вариантах осуществления содержится приблизительно 0%, более 0%, 0,1%, 0,2%, 0,3%, 0,4%, 0,5%, 0,6%, 0,7%, 0,8%, 0,9%, 1,0%, 1,1%, 1,2%, 1,3%, 1,4%, 1,5%, 1,6%, 1,7%, 1,8%, 1,9%, 2,0%, 2,1%, 2,2%, 2,3%, 2,4%, 2,5%, 2,6%, 2,7%, 2,8%, 2,9%, 3,0%, 3,1%, 3,2%, 3,3%, 3,4%, 3,5%, 3,6%, 3,7%, 3,8%, 3,9%, 4,0%, 4,1%, 4,2%, 4,3%, 4,4%, 4,5%, 4,6%, 4,7%, 4,8%, 4,9% и 5,0% Na₂O.

[0063] B₂O₃ способствует получению стекла с низкой температурой плавления. Если содержание B₂O₃ высокое, то химическая стабильность стекла уменьшается. Следовательно, содержание B₂O₃ составляет 3% или меньше. В некоторых вариантах осуществления предпочтительно составляет от 0,1% до 2%. В некоторых вариантах осуществления B₂O₃ предпочтительно не вводится. В некоторых вариантах осуществления содержится приблизительно 0%, более 0%, 0,1%, 0,2%, 0,3%, 0,4%, 0,5%, 0,6%, 0,7%, 0,8%, 0,9%, 1,0%, 1,1%, 1,2%, 1,3%, 1,4%, 1,5%, 1,6%, 1,7%, 1,8%, 1,9%, 2,0%, 2,1%, 2,2%, 2,3%, 2,4%, 2,5%, 2,6%, 2,7%, 2,8%, 2,9% и 3,0% B₂O₃.

[0064] В качестве осветляющего средства вводят один или более компонентов Sb₂O₃, SnO₂, SnO и CeO₂, где верхний предел содержания Sb₂O₃ составляет 2%, предпочтительно 1% и более предпочтительно 0,5%. Верхний предел содержания каждого из SnO₂, SnO или CeO₂ составляет соответственно 2%, предпочтительно 1% и более предпочтительно 0,5%. В некоторых вариантах осуществления содержание одного или более из вышеуказанных четырех осветляющих средств составляет приблизительно 0%, более 0%, 0,1%, 0,2%, 0,3%, 0,4%, 0,5%, 0,6%, 0,7%, 0,8%, 0,9%, 1,0%, 1,1%, 1,2%, 1,3%, 1,4%, 1,5%, 1,6%, 1,7%, 1,8%, 1,9% и 2,0%.

[0065] В некоторых вариантах осуществления в качестве осветляющего средства можно применять As₂O₃, соединение Cl, соединение Br или т. п., при этом их содержание составляет 2% или меньше, предпочтительно 1% или меньше и более предпочтительно 0,5% или меньше.

[0066] В настоящем изобретении для получения микрокристаллов подходящего размера и типа кристаллической фазы в некоторых вариантах осуществления предпочтительно не вводить такие компоненты, как La₂O₃, Cs₂O, Tb₂O₃, GeO₂ и CaO; PbO и As₂O₃ представляют собой токсичные вещества, даже при добавлении в небольшом количестве они не могут соответствовать требованиям по охране окружающей среды. Следовательно, в некоторых вариантах осуществления настоящего изобретения PbO и As₂O₃ не содержатся.

[0067] Используемые в данном документе выражения «не вводится», «не включает в себя», «не содержится», «не содержит» и «0%» означают, что соединения, молекулы или элементы не добавляют намеренно в качестве исходных материалов в стекло, стеклокристаллический материал или изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению. Однако, поскольку исходные материалы и/или оборудование, применяемые для получения стекла, стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала, могут содержать некоторые примеси или компоненты, которые не были добавлены намеренно, они будут содержаться в небольших или следовых количествах в конечной композиции стекла, стеклокристаллическом материале и изделии из стеклокристаллического материала, причем такие варианты также входят объем настоящего изобретения.

[0068] В некоторых вариантах осуществления настоящего изобретения основная кристаллическая фаза стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала содержит силикат лития и кристаллическую фазу кварца, где силикат лития включает дисиликат лития (Li₂Si₂O₅) и метасиликат лития (Li₂SiO₃), в некоторых вариантах осуществления в качестве основной кристаллической фазы предпочтительно используются дисиликат лития и кристаллическая фаза кварца и/или петалит, в некоторых вариантах осуществления в качестве основной кристаллической фазы предпочтительно используются дисиликат лития и кристаллическая фаза кварца, в некоторых предпочтительных вариантах осуществления в качестве основной кристаллической фазы используются дисиликат лития и α-кристаллическая фаза кварца, что в результате обеспечивает превосходные характеристики настоящего изобретения.

[0069] Стеклокристаллический материал по настоящему изобретению обладает превосходными механическими свойствами, причем ему можно придать дополнительную механическую прочность за счет осуществления ионного обмена. В соответствии с надлежащим подбором компонентов обеспечивается подходящий размер микрокристаллов стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению. В то же время стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению имеют хорошую кристалличность, обуславливающую превосходные механические свойства стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению. Используемый в данном документе термин «кристалличность» относится к степени полноты кристаллизации, при этом кристалл при полной кристаллизации характеризуется относительно правильным расположением частиц внутри, дифракционная линия четкая, резкая и симметричная, ширина дифракционного пика на половине его высоты близка к ширине, измеренной прибором, кристалл с низкой кристалличностью имеет дефекты, такие как дислокация, что делает форму пика дифракционной линии широкой и размытой. Чем ниже кристалличность, тем слабее дифракционная способность, и тем шире дифракционный пик, пока он не исчезнет на фоне.

[0070] Размер микрокристаллов и мутность стеклокристаллического материала или изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению может влиять на прозрачность, т. е. на светопропускание, стеклокристаллического материала и/или изделия из стеклокристаллического материала. Чем меньше микрокристалл, тем выше прозрачность. Чем меньше мутность, тем выше прозрачность. В некоторых вариантах осуществления мутность для толщины 0,55 мм составляет 0,6% или меньше, предпочтительно 0,5% или меньше и более предпочтительно 0,4% или меньше. В некоторых вариантах осуществления размер микрокристаллов составляет 100 нм или меньше, предпочтительно 80 нм или меньше, более предпочтительно 60 нм или меньше, еще более предпочтительно 50 нм или меньше и наиболее предпочтительно 40 нм или меньше. С другой стороны, согласно исследованиям было обнаружено, что чем меньше разница между показателем преломления кристаллической фазы и стеклофазы стеклокристаллического материала, тем выше прозрачность стеклокристаллического материала или изделия из стеклокристаллического материала.

[0071] В некоторых вариантах осуществления стеклокристаллический материал или изделие из стеклокристаллического материала обладают высокой прозрачностью в видимом диапазоне спектра (т. е. стеклокристаллический материал или изделие из стеклокристаллического материала являются прозрачными). В некоторых вариантах осуществления среднее значение светопропускания для толщины 1 мм при длине волны диапазоне 400-800 нм составляет 80% или больше, предпочтительно 85% или больше и более предпочтительно 88% или больше. В некоторых предпочтительных вариантах осуществления светопропускание для толщины 0,55 мм при длине волны 550 нм составляет 80% или больше, предпочтительно 85% или больше, более предпочтительно 88% или больше и еще более предпочтительно 91% или больше.

[0072] В некоторых вариантах осуществления в стекло, стеклокристаллический материал или изделие из стеклокристаллического материала можно добавлять компоненты, обладающие противомикробным действием.

[0073] Композицию стекла, стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению можно получать и изготавливать с помощью следующего способа.

[0074] Получение композиции стекла: однородное смешивание исходных материалов в соответствии с диапазоном соотношений композиций, помещение однородной смеси в тигель, изготовленный из платины или кварца, в зависимости от сложности плавления композиции стекла - плавление в электрической печи или газовой печи при температуре в диапазоне 1250-1650°C в течение 5-24 часов, перемешивание до однородного состояния, охлаждение до соответствующей температуры и литье в форму, и постепенное охлаждение с формированием композиции стекла.

[0075] Композицию стекла по настоящему изобретению можно формовать любыми способами, известными из уровня техники. В некоторых вариантах осуществления показатель преломления (nd) композиции стекла по настоящему изобретению составляет 1,500-1,530 и предпочтительно 1,510-1,525.

[0076] После формования или процесса формования композицию стекла по настоящему изобретению подвергают кристаллизационной обработке посредством процесса кристаллизации для равномерного осаждения кристаллов в стекломассе. Такая кристаллизационная обработка может проводиться в одну или две стадии. Предпочтительно кристаллизационная обработка проводится в две стадии. Процесс зародышеобразования проводят при первой температуре, затем проводят процесс выращивания кристаллов при второй температуре, которая выше, чем температура процесса зародышеобразования. Кристаллизационная обработка, проводимая при первой температуре, называется первой кристаллизационной обработкой. Кристаллизационная обработка, проводимая при второй температуре, называется второй кристаллизационной обработкой.

[0077] Для получения желаемых физических свойств стеклокристаллического материала предпочтительный процесс кристаллизации является следующим.

[0078] Вышеуказанную кристаллизационную обработку проводят в одну стадию, а процесс зародышеобразования и процесс выращивания кристаллов можно проводить непрерывно. То есть температуру повышают до заданной температуры кристаллизационной обработки, после достижения температуры термической обработки температуру поддерживают в течение определенного периода времени, а затем температуру понижают. Для осаждения желаемой кристаллической фазы температура такой кристаллизационной обработки составляет предпочтительно 490-800°C и более предпочтительно 550-750°C. Время выдерживания при температуре кристаллизационной обработки составляет предпочтительно 0-8 часов и более предпочтительно 1-6 часов.

[0079] Если вышеуказанную кристаллизационную обработку проводят в две стадии, то первая температура составляет предпочтительно 490-650°C, а вторая температура составляет 600-850°. Время выдерживания при первой температуре составляет предпочтительно 0-24 часа, более предпочтительно 2-15 часов. Время выдерживания при второй температуре составляет предпочтительно 0-10 часов, более предпочтительно 0,5-6 часов.

[0080] Время выдерживания 0 часов, как описано выше, означает, что температуру понижают или повышают менее чем за одну минуту после достижения заданной температуры.

[0081] В некоторых вариантах осуществления показатель преломления (nd) стеклокристаллического материала, полученного посредством кристаллизационной обработки по настоящему изобретению, составляет от 1,520 до 1,550, предпочтительно от 1,530 до 1,545.

[0082] В некоторых вариантах осуществления композиция стекла или стеклокристаллического материала по настоящему изобретению могут быть изготовлены в виде формованного изделия с помощью различных процессов, при этом формованное изделие включает без ограничения лист. Процессы включают без ограничения вытягивание через щель, флоат-процесс, прокатку и другие процессы по формованию листа, известные из уровня техники. В качестве альтернативы композиция стекла или стеклокристаллический материал могут быть изготовлены с помощью флоат-процесса или процесса прокатки, известных из уровня техники.

[0083] Композицию стекла или стеклокристаллический материал по настоящему изобретению можно использовать для изготовления формованного изделия из стекла в виде листа посредством шлифовки или полировки. Однако способы изготовления изделия из стекла не ограничиваются вышеупомянутыми способами.

[0084] Формованному изделию из стекла или стеклокристаллического материала по настоящему изобретению можно придать различные формы с помощью таких процессов, как изгибание в нагретом состоянии или прессование при определенной температуре, но без ограничения вышеупомянутыми процессами.

[0085] Композиция стекла, стеклокристаллический материал и изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению могут иметь любую целесообразную и пригодную толщину.

[0086] В дополнение к улучшению механических свойств за счет кристаллизации осаждением можно также обеспечить более высокую прочность стеклокристаллического материала по настоящему изобретению за счет образования слоя напряжения сжатия с получением, таким образом, изделия из стеклокристаллического материала.

[0087] В некоторых вариантах осуществления композицию стекла или стеклокристаллический материал можно обрабатывать с получением листа и/или формовать (например, перфорировать, подвергать горячей гибке и т. д.), полировать и/или полировать их боковую сторону после формования, затем подвергать химической закалке с помощью процесса химической закалки.

[0088] Термин «химическая закалка», применяемый в данном документе, означает способ ионного обмена. Стекло и стеклокристаллический материал по настоящему изобретению могут подвергаться ионному обмену с помощью способов, известных из уровня техники. В ходе ионного обмена более мелкие ионы металлов в стекле или стеклокристаллическом материале заменяются или «обмениваются» на более крупные ионы металлов такой же валентности, близкие к стеклу или стеклокристаллическому материалу. Более мелкие ионы заменяются более крупными ионами, и в стекле или стеклокристаллическом материале создается сжимающее напряжение с образованием слоя напряжения сжатия.

[0089] В некоторых вариантах осуществления ионы металлов представляют собой ионы одновалентных щелочных металлов (например, Na⁺, K⁺, Rb⁺, Cs⁺ и т. д.), ионный обмен осуществляется путем погружения стекла или стеклокристаллического материала в солевую ванну, содержащую по меньшей мере одну из расплавленных солей с более крупными ионами металлов, причем более крупные ионы металлов используются для замены более мелких ионов металлов в стекле. В качестве альтернативы другие ионы одновалентных металлов, такие как Ag⁺, Tl⁺, Cu⁺ и т. д., также можно применять для замены одновалентных ионов. Один или более ионообменных процессов, применяемых для химической закалки стекла или стеклокристаллического материала, могут включать без ограничения погружение стекла или стеклокристаллического материала в одну солевую ванну или в несколько ванн с одинаковыми или разными композициями, где между погружениями обеспечиваются стадии промывания и/или прокаливания.

[0090] В некоторых вариантах осуществления стекло или стеклокристаллический материал можно подвергать ионному обмену путем погружения в солевую ванну с расплавленной натриевой солью (например, NaNO₃) при температуре приблизительно 430-470°C на приблизительно 6-20 часов. Предпочтительный диапазон температур составляет от 435° до 460°, предпочтительный диапазон времени составляет 8-13 часов. В таком варианте осуществления ионы Na заменяют часть ионов Li в стекле или стеклокристаллическом материале с образованием слоев поверхностного сжатия и проявлением высоких механических свойств. В некоторых вариантах осуществления стекло или стеклокристаллический материал можно подвергать ионному обмену путем погружения в солевую ванну из расплавленной соли K (например, KNO₃) при температуре приблизительно 400-450°C на приблизительно 1-8 часов, где предпочтительный диапазон времени составляет 2-4 часа.

[0091] В некоторых предпочтительных вариантах осуществления при погружении в солевую ванну с расплавленной солью Na (например, NaNO₃) при 450° на приблизительно 8 часов ионообменный слой характеризуется глубиной 80 мкм или больше, предпочтительно 85 мкм или больше.

[0092] В некоторых вариантах осуществления предусмотрен способ ионной имплантации, заключающийся в имплантации ионов в поверхностный слой стекла или стеклокристаллического материала, и способ термической закалки, заключающийся в нагревании стекла и стеклокристаллического материала, а затем быстром их охлаждении.

[0095] Испытания по определению показателей качества композиции стекла, стеклокристаллического материала и/или изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению проводили с помощью следующих способов.

[0094] [Коэффициент теплового расширения]

[0095] Коэффициент теплового расширения (α_20°C-120°C ) определяли в соответствии с методиками испытаний из GB/T7962.16-2010.

[0096] [Показатель преломления]

[0097] Показатель преломления (nd) определяли в соответствии с методиками из GB/T7962.1-2010.

[0098] [Мутность]

[0099] Применяли устройство для определения мутности EEL57D для подготовки образца стекла толщиной 0,55 мм и проводили испытание в соответствии с GB2410-80.

[00100] [Размер микрокристаллов]

[00101] Размер микрокристаллов определяли с помощью SEM. Поверхность стеклокристаллического материала обрабатывали в HF кислоте, затем на поверхность стеклокристаллического материала напыляли золото и поверхность сканировали с помощью сканирующего электронного микроскопа (SEM) для определения размера микрокристаллов.

[00102] [Светопропускание]

[00103] Образец обрабатывали до толщины 1 мм, подвергали параллельной полировке его противоположных поверхностей и измеряли среднее значение светопропускания при 400-800 нм с помощью спектрофотометра Hitachi U-41000.

[00104] Образец обрабатывали до толщины 0,55 мм, подвергали параллельной полировке его противоположных поверхностей и измеряли среднее значение светопропускания при 550 нм с помощью спектрофотометра Hitachi U-41000.

[00105] [Температурный коэффициент показателя преломления]

[00106] Температурный коэффициент показателя преломления определяли в соответствии с методиками, указанными в GB/T 7962.4-2010, при этом температурный коэффициент показателя преломления измеряли при 20-40°C.

[00107] [Кристалличность]

[00108] Дифракционные пики согласно XRD сравнивали с дифрактограммами из базы данных. Кристалличность определяли путем расчета соотношения интенсивности дифракции кристаллической фазы и общей интенсивности дифрактограммы, при этом внутреннюю калибровку осуществляли с использованием чистых кристаллов кварца.

[00109] [Поверхностное напряжение] и [глубина ионообменного слоя]

[00110] Поверхностное напряжение определяли с помощью прибора для измерения поверхностного напряжения стекла FSM-6000LEUV.

[00111] Глубину ионообменного слоя определяли с помощью прибора для измерения поверхностного напряжения стекла SLP-2000.

[00112] В качестве условий измерения для расчета показатель преломления составлял 1,54, и оптическая константа упругости составляла 25,3 [(нм/см)/МПа].

[00113] [Высота при определении ударной прочности методом падающего шарика]

[00114] Полировали две поверхности образца размером 150×57×0,55 мм и помещали его на лист резины, бросали стальной шарик весом 132 г с заданной высоты, что является максимальной высотой при определении ударной прочности методом падающего шарика, при которой образец не разбивается и может выдержать удар. В частности, испытание начинают с высоты 650 мм, при этом, если не произошло разрушение, высоту постепенно увеличивают до 700 мм, 750 мм, 800 мм, 850 мм, 900 мм или больше. Для вариантов осуществления, предусматривающих «высоту при определении ударной прочности методом падающего шарика», в качестве объекта исследования использовали изделие из стеклокристаллического материала. В примерах, зарегистрированные данные исследований в 900 мм указывают на то, что даже если стальной шарик упадет с высоты 900 мм, изделие из стеклокристаллического материала может выдержать удар без разрушения.

[00115] [Трещиностойкость]

[00116] Применяя способ непосредственного измерения величины распространения трещины при надавливании, размер образца составлял 2 мм×4 мм×20 мм после снятия фасок, шлифовки и полировки, после завершения подготовки образца, использовали индентор твердости по Виккерсу для прикладывания нагрузки 49 Н к образцу в течение 30 с. После нанесения отпечатка измеряли прочность на излом методом трехточечного изгиба.

[00117] [Прочность при четырехточечном изгибе]

[00118] Использовали управляемый микрокомпьютером электронный универсальный прибор CMT6502; размер стекла составлял 150×57×0,55 мм; испытание проводили в соответствии с ASTM C 158-2002.

[00119] Композиция стекла по настоящему изобретению характеризуется следующими свойствами.

[00120] 1) В некоторых вариантах осуществления коэффициент теплового расширения (α_20℃-120℃) составляет 45×10^-7/K−70×10^-7/K, предпочтительно 50×10^-7/K-70×10^-7/K.

[00121] 2) В некоторых вариантах осуществления показатель преломления (nd) составляет от 1,500 до 1,530, предпочтительно от 1,510 до 1,525.

[00122] Стеклокристаллический материал по настоящему изобретению характеризуется следующими свойствами.

[00125] 1) В некоторых вариантах осуществления мутность для толщины 0,55 мм составляет 0,6 или меньше, предпочтительно 0,5% или меньше и более предпочтительно 0,4% или меньше.

[00124] 2) В некоторых вариантах осуществления размер микрокристаллов составляет 100 нм или меньше, предпочтительно 80 нм или меньше, более предпочтительно 60 нм или меньше, еще более предпочтительно 50 нм или меньше и наиболее предпочтительно 40 нм или меньше.

[00125] 3) В некоторых вариантах осуществления температурный коэффициент показателя преломления стеклокристаллического материала по настоящему изобретению составляет -0,5×10^-6/°C или меньше, предпочтительно -0,8×10^-6/°C или меньше и более предпочтительно -1,1×10^-6/°C или меньше.

[00126] 4) В некоторых вариантах осуществления кристалличность составляет 50% или больше, предпочтительно 65% или больше, более предпочтительно 70% или больше и еще более предпочтительно 75% или больше.

[00127] 5) В некоторых вариантах осуществления показатель преломления (nd) составляет от 1,520 до 1,550, предпочтительно от 1,530 до 1,545.

[00128] 6) В некоторых вариантах осуществления среднее значение светопропускания для толщины 1 мм при длине волны в диапазоне 400-800 мм составляет 80% или больше, предпочтительно 85% или больше и более предпочтительно 88% или больше.

[00129] 7) В некоторых вариантах осуществления светопропускание для толщины 0,55 мм при длине волны 550 нм составляет 80% или больше, предпочтительно 85% или больше, более предпочтительно 88% или больше и еще более предпочтительно 91% или больше.

[00130] В дополнение к вышеупомянутым свойствам стеклокристаллического материала изделие из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению дополнительно характеризуется следующими свойствами.

[00131] 1) В некоторых вариантах осуществления поверхностное напряжение составляет 200 МПа или больше, предпочтительно 250 МПа или больше и более предпочтительно 300 МПа или больше.

[00132] 2) В некоторых вариантах осуществления прочность при четырехточечном изгибе составляет 600 МПа или больше, предпочтительно 650 МПа или больше и более предпочтительно 700 МПа или больше.

[00133] 3) В некоторых вариантах осуществления глубина ионообменного слоя составляет 30 мкм или больше, предпочтительно 50 мкм или больше, более предпочтительно 60 мкм или больше, еще более предпочтительно 80 мкм или больше.

[00134] 4) В некоторых вариантах осуществления высота при определении ударной прочности методом падающего шарика составляет 700 мм или больше, предпочтительно 800 мм или больше, более предпочтительно 1000 мм или больше и еще более предпочтительно 1200 мм или больше.

[00135] 5) В некоторых вариантах осуществления трещиностойкость составляет 1 МПа·м^1/2 или больше, предпочтительно 1,3 МПа·м^1/2 и более предпочтительно 1,5 МПа·м^1/2.

[00136] 6) В некоторых вариантах осуществления среднее значение светопропускания для толщины 1 мм при длине волны в диапазоне 400-800 мм составляет 80% или больше, предпочтительно 85% или больше и более предпочтительно 88% или больше.

[00137] 7) В некоторых вариантах осуществления светопропускание для толщины 0,55 мм при длине волны 550 нм составляет 80% или больше, предпочтительно 85% или больше, более предпочтительно 88% или больше и еще более предпочтительно 91% или больше.

[00138] Благодаря вышеупомянутым превосходным свойствам стеклокристаллического материала и изделия из стеклокристаллического материала по настоящему изобретению они могут широко производиться в виде стеклянных закрывающих пластин или стеклянных компонентов; в то же время, стеклокристаллический материал, изделие из стеклокристаллического материала, а также стеклянная закрывающая пластина или стеклянные компоненты также могут использоваться в электронных устройствах или устройствах отображения, таких как мобильные телефоны, часы, компьютеры, сенсорные дисплеи и т. п.

[00139] Примеры

[00140] Следующие неограничивающие примеры представлены для более ясной иллюстрации и объяснения технических решений настоящего изобретения. В примерах, представленных в настоящем изобретении, было предпринято множество усилий по обеспечению точности значений (например, количества, температуры и т. д.), однако, необходимо учитывать некоторые погрешности и отклонения. Сама композиция указана в вес. % в пересчете на оксид и нормализована до 100%.

[00141] Примеры композиции стекла показаны в таблицах 1-3 ниже.

[00142] Таблица 1

[00143] Таблица 2

[00144] Таблица 3

[00145] Примеры стеклокристаллического материала показаны в таблицах 4-6 ниже.

[00146] Таблица 4

[00147] Таблица 5

[00148] Таблица 6

[00149] Примеры изделия из стеклокристаллического материала показаны в таблицах 7-9 ниже.

[00150] Таблица 7

[00151] Таблица 8

[00152] Таблица 9

1. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства, содержащее в качестве основной кристаллической фазы силикат лития и кристаллическую фазу кварца и характеризующееся композицией, содержащей в процентах по весу следующие компоненты:

SiO₂: 65-85%, Al₂O₃: 1-15%, Li₂O: 5-15%, ZrO₂: 0,1-10%, K₂O: 0-10%, MgO: 0-10%, ZnO: 0-10%, Na₂O: 0-5% и P₂O₅ от более чем 0,79% до менее чем 2,5%,

где (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 40-90, (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ составляет 8,5-20 и (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,7-1,2, и

высота при определении ударной прочности методом падающего шарика составляет 700 мм или больше, что свидетельствует о том, что при падении стального шарика массой 132 г с данной высоты при определении ударной прочности методом падающего шарика образец изделия из стеклокристаллического материала размером 150x57x0,55 мм не разбивается на куски.

2. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, дополнительно содержащее в процентах по весу следующие компоненты: SrO: 0-5%, ВаО: 0-5%, TiO₂: 0-5%, Y₂O₃: 0-5%, B₂O₃: 0-3% и осветляющее средство: 0-2%.

3. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 6-15, (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 40-80 или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,3-4,0.

4. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 8-13, (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 40-70, (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет45-85, (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,7-1,1 или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,5-3,5.

5. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, содержащее в процентах по весу следующие компоненты: SiO₂: 70-76%, Al₂O₃: 4-10%, Li₂O: 8-12,5%, ZrO₂: 1-5%, P₂O₅: 1-2,42%, K₂O: 0-3%, MgO: 0,3-2%, ZnO: 0-3%, Na₂O: 0-1% и дополнительно Sb₂O₃: 0-1%, SnO₂: 0-1%, SnO: 0-1% или CeO₂: 0-1%.

6. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ составляет 8,5-14; (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 45-60, (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 48-80 или (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 8,5-12.

7. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,8-1,0 или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,8-3,3.

8. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, которое содержит в процентах по весу Li₂O: от 8% до менее чем 10%, при этом не содержит SrO, не содержит ВаО, не содержит TiO₂, не содержит Y₂O₃, не содержит GeO₂, не содержит СаО, не содержит Cs₂O, не содержит PbO, не содержит B₂O₃, не содержит As₂O₃, не содержит La₂O₃ и не содержит Tb₂O₃.

9. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где кристалличность составляет 70% или больше.

10. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где высота при определении ударной прочности методом падающего шарика составляет 1000 мм или больше; или прочность при четырехточечном изгибе составляет 650 МПа или больше; или мутность для толщины 0,55 мм составляет 0,5% или меньше; или температурный коэффициент показателя преломления составляет -0,8×10^-6/°С или меньше; или светопропускание для толщины 0,55 мм при длине волны 550 нм составляет 88% или больше.

11. Стеклокристаллический материал для использования в изделии по п. 1, содержащий в качестве основной кристаллической фазы силикат лития и кристаллическую фазу кварца и характеризующийся композицией, состоящей из следующих компонентов в процентах по весу:

SiO₂: 65-85%, Al₂O₃: 1-15%, Li₂O: 5-15%, ZrO₂: 0,1-10%, K₂O: 0-10%, MgO: 0-10%, ZnO: 0-10%, Na₂O: 0-3% и P₂O₅ от более чем 0,79% до менее чем 2,5%,

где (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 40-90, (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ составляет 8,5-20 и (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,7-1,2; и мутность для толщины 0,55 мм составляет 0,5% или меньше.

12. Стеклокристаллический материал по п. 11, характеризующийся композицией, которая дополнительно содержит следующие компоненты в процентах по весу:

Sb₂O₃: 0-1%, SnO₂: 0-1%, SnO: 0-1%, CeO₂: 0-1%.

13. Стеклокристаллический материал по п. 12, где (SiO₂+Al₂O₃+Li₂O+ZrO₂)/P₂O₅ составляет 45-85; (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 8-13; (Al₂O₃+Li₂O)/P₂O₅ составляет 8,5-14; (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 40-70 или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,5-3,5.

14. Стеклокристаллический материал по п. 12, где SiO₂: 70-76%, Al₂O₃: 4-10%, Li₂O: 8-12,5%, ZrO₂: 1-5%, P₂O₅: 1-2,42%, K₂O: 0-3%, MgO: 0,3-2%, ZnO: 0-3% и Na₂O: 0-1%.

15. Стеклокристаллический материал по п. 12, где (K₂O+MgO)/ZrO₂ составляет 0,8-1,0 или Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,8-3,3.

16. Стеклокристаллический материал по п. 12, где кристалличность составляет 70% или больше; или размер микрокристаллов составляет 80 нм или меньше; или температурный коэффициент показателя преломления составляет -0,8×10^-6/°С или меньше; или среднее значение светопропускания для толщины 1 мм при длине волны 400-800 нм составляет 85% или больше.

17. Стеклянная закрывающая пластина для электронного устройства, предусматривающая изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1.

18. Стеклянная закрывающая пластина для электронного устройства, предусматривающая стеклокристаллический материал по п. 12.

19. Электронное устройство, содержащее изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1.

20. Электронное устройство, содержащее стеклокристаллический материал по п. 12.

21. Электронное устройство, содержащее стеклянную закрывающую пластину для электронного устройства по п. 17.

22. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где 43,35 < (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅≤80.

23. Стеклокристаллический материал по п. 12, где 43,35 < (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅≤80.

24. Стеклокристаллический материал по п. 12, где размер микрокристаллов составляет 50 нм или меньше.

25. Стеклокристаллический материал по п. 12, где размер микрокристаллов составляет 40 нм или меньше.

26. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где MgO составляет 0,3-10%.

27. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где K₂O составляет 0,5-1,1%.

28. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 26, где K₂O составляет 0,5-1,1%.

29. Изделие из стеклокристаллического материала для закрывающей пластины электронного устройства по п. 1, где (SiO₂+Li₂O)/Al₂O₃ составляет 6-15, (SiO₂+Li₂O)/P₂O₅ составляет 40-80 и Li₂O/(K₂O+ZrO₂) составляет 2,3-4,0.