Способ разделения изотопов кремния

Изобретение может быть использовано в химической технологии. Разделение стабильных изотопов кремния методом химического изотопного обмена между газообразными галогенсодержащими соединениями кремния с общей формулой SiHnX4-n, где X - атом галогена, и их жидкими молекулярными комплексными соединениями вида SiHnX4-n-D, где D - молекула комплексообразователя, осуществляют в противоточных массообменных колоннах с нижним и верхним узлами обращения потоков. В качестве комплексообразователя используют фосфорсодержащие соединения c общей формулой R1R2R3(O)mPOq, где R1, R2, R3 - углеводородные радикалы, причем R1=R2=R3≠СН3; R1=Cn1H2n1+1, число атомов углерода n1=2-5 или R16Н5; R2=Cn2H2n2+1, число атомов углерода n2=2-5 или R26Н5; R3=Cn3H2n3+1, число атомов углерода n3=2-5 или R36Н5; m - число атомов кислорода, связанных с одной стороны с углеводородным радикалом, с другой - с атомом фосфора, m=0, 2, 3; q - число атомов кислорода, соединенных двойной связью с атомом фосфора, q=0, 1, причем m≠q. Изобретение позволяет увеличить сорбционную ёмкость комплексообразователя, уменьшить количество циркулирующего в установке комплексообразователя, повысить концентрацию изотопа 28Si и производительность установки для разделения изотопов кремния при концентрировании 28Si. 6 табл., 5 пр.

 

Изобретение относится к технологии получения стабильных изотопов кремния, в частности к способу концентрирования изотопа кремний-28, и может быть использовано для разделения изотопов методом химического обмена с термическим обращением потоков фаз.

Известны способы разделения изотопов кремния методом ректификации соединений кремния общего состава SiHnX4-n, где X - атом галогена - F или Cl (Девятых Г.Г., Борисов Г.К., Павлов A.M. О разделении изотопов кремния ректификацией моносилана // Доклады Академии Наук СССР - 1961. - 138. - №2. - С. 402-404; Brunken R., Lentz. Η., Schneider G., Wagner H.Gg. Anreicherung der schweren siliziumisotope durch destination von siliziumtetrachlorid // Z. Phys. Chem. Neue Folge – 1966 - 48. - №1-2. - S. 120-122 (нем.); Thomas R. Mills Silicon isotope separation by distillation of silicon tetrafluoride // Separation Science and Technol. - 1990. - 25. - №3. - P. 335-345).

Недостатком способов, основанных на методе ректификации, является низкое значение коэффициента разделения изотопов кремния, находящееся для пары изотопов 28Si - 30Si в диапазоне 1,00036-1,00183, что определяет низкую экономическую эффективность способов при их практической реализации для получения высококонцентрированных изотопов.

Известен способ разделения изотопов кремния методом химического изотопного обмена между газообразными галогенсодержащими соединениями кремния SiHnX4-n и их жидкими молекулярными комплексными соединениями вида SiHnX4-n⋅D, где D - молекула комплексообразователя. При этом в качестве комплексообразователя используют легкие алифатические спирты ROH (метанол, этанол, пропанол, бутанол) и простые эфиры ROR, где R – углеводородный радикал. Способ характеризуется высокими значениями коэффициента разделения изотопов кремния для пары изотопов 28Si - 30Si, равными 1,015-1,021, и реализуется в установках для разделения изотопов кремния, основными элементами которой являются: противоточная газожидкостная массообменная колонна; верхний и нижний узлы обращения потоков (Enrichment of silicon or germanium isotopes. Пат. 6146601 США, МПК7 C01G 17/04 Eagle - Picher Ind., Inc., Abesadze Teimuraz, Saunders William E., Wachs Marrin Y., Manning Dennis K. №09/428373; заявл. 28.10.1999; опубл. 14.11.2000) - прототип.

Недостатками известного способа разделения изотопов кремния являются:

- малая сорбционная емкость комплексообразователя D по газообразному рабочему веществу SiHnX4-n, выражаемая, как правило, величиной мольного отношения r (моль SiHnX4-n/моль D), задающего наряду с коэффициентом разделения (обогащения) необходимый поток циркулирующего в установке комплексообразователя;

- нестабильность рабочей системы SiHnX4-n(газ) - SiHnX4-n⋅Dжидкость), выражающаяся в частичном разложении рабочего газа в нижнем узле обращения потоков, что существенно осложняет задачу получения высококонцентрированных изотопов кремния и может сделать ее практически неосуществимой.

При использовании для разделения изотопов кремния методом химического обмена тетрафторида кремния SiF4 и температуре 20°С мольное отношение г составляет:

- для метанола, как первого представителя гомологического ряда алифатических спиртов ROH r=0,127 моль SiF4/моль метанола, а для других алифатических спиртов в ряду этанол - бутанол-1 r=(0,20-0,22) моль SiF4/моль ROH (Хорошилов А.В., Чередниченко С.А. Фазовое и изотопное равновесие в системах SiF4 - комплексные соединения SiF4 с алифатическими спиртами применительно к процессу разделения изотопов кремния // Химическая технология - 2007. - 8. - №2. - С. 53-58.);

- для дибутилового эфира (ДБЭ), как представителя простых эфиров ROR, r=0,039 моль SiF4/моль ДБЭ (Чередниченко С.А. Разделение изотопов кремния методом химического обмена с термическим обращением потоков между SiF4 и его комплексными соединениями донорно-акцепторного типа // Диссертация на соиск. уч. ст. канд. техн. наук. - М: РХТУ им. Д.И. Менделеева. - 2006. - 199 С., С. 56).

Главной причиной нестабильности рабочих систем SiF4(г) - комплексные соединения SiF4 с алифатическими спиртами ROH является дегидратация алифатических спиртов ROH в результате каталитического воздействия четырехфтористого кремния SiF4 (Топчиев А.В., Богомолова Н.Ф. Каталитические свойства четырехфтористого кремния // Докл. Акад. Наук СССР. - 1953. - 88. - №3. - С. 487-489). Вода, образующаяся в результате дегидратации спиртов, гидролизует SiF4, катализирующий процесс дегидратации, то есть, катализатор разлагается под воздействием продукта реакции. Протекание указанных процессов в установке для разделения изотопов кремния приводит к неконтролируемому дополнительному отбору SiF4 на обогащенном по изотопу 28Si конце установки (нижний узел обращения потоков), что крайне отрицательно влияет на процесс разделения изотопов кремния в целом, приводя к уменьшению концентрации целевого изотопа 28Si и снижению производительности установки для разделения изотопов кремния.

Цель заявляемого технического решения заключатся в увеличении сорбционной емкости комплексообразователя, уменьшении количества циркулирующего в установке комплексообразователя, стабилизации рабочей системы SiHnX4-n(газ) - SiHnX4-n⋅D(жидкость), повышении концентрации изотопа 28Si и производительности установки для разделения изотопов кремния при концентрировании 28Si.

Поставленная цель достигается тем, что в способе разделения стабильных изотопов кремния методом химического изотопного обмена между газообразными галогенсодержащими соединениями кремния с общей формулой SiHnX4-n, где X - атом галогена, и их жидкими молекулярными комплексными соединениями вида SiHnX4-n⋅D, где D - молекула комплексообразователя, осуществляемый в противоточных массообменных колоннах с нижним и верхним узлами обращения потоков, при этом в качестве комплексообразователя используют фосфорсодержащие соединения общей формулой:

R1R2R3(O)mPOq

где:

R1, R2, R3 - углеводородные радикалы,

причем R1=R2=R3 ≠ СН3;

R1=Cn1H2n1+1 - число атомов углерода n1=2-5 или R16Н5;

R2=Cn2H2n2+1 - число атомов углерода n2=2-5 или R26Н5;

R3=Cn3H2n3+1 - число атомов углерода n3=2-5 или R36Н5;

m - число атомов кислорода, связанных с одной стороны с углеводородным радикалом, с другой - с атомом фосфора (m=0, 2, 3);

q - число атомов кислорода, соединенных двойной связью с атомом фосфора (q=0, 1), причем m ≠ q.

Применение указанных фосфорсодержащих соединений приводит к увеличению мольного отношения r практически без снижения коэффициента разделения (обогащения) изотопов кремния, стабилизации рабочей системы SiHnX4-n(газ) - SiHnX4-n⋅D(жидкость), где D – R1R2R3(O)mPOq, повышению концентрации изотопа 28Si и производительности установки для разделения изотопов кремния методом химического обмена между газообразными галогенсодержащими соединениями кремния SiHnX4-n и их жидкими молекулярными комплексными соединениями вида SiHnX4-n⋅D, реализуемого в противоточных газожидкостных насадочных массообменных колоннах с верхним и нижним узлами обращения потоков.

Пример 1. Для разделения изотопов кремния методом химического обмена между газообразными галогенсодержащими соединениями кремния SiHnX4-n и их жидкими молекулярными комплексными соединениями вида SiHnX4-n⋅D, где D - молекула комплексообразователя, реализуемого в противоточных газожидкостных насадочных массообменных колоннах с верхним и нижним узлами обращения потоков, в качестве комплексообразователя используют следующие фосфорсодержащие соединения:

а) m=0, q=0,

класс веществ - фосфины R1R2R3P.

Частный случай:

n1=n2=n3=2 (R1=R2=R32Н5) триэтилфосфин (С2Н5)3Р;

б) m=3, q=0,

класс веществ - фосфиты R1R2R3O3P.

Частный случай:

n1=n2=n3=1 (R1=R2=R3=СН3) триметилфосфит (СН3О)3Р;

в) m=0, q=1,

класс веществ - окись фосфинов (фосфин-оксиды) R1R2R3PO.

Частный случай:

n1=n2=n3=2 (R1=R2=R32Н5) окись триэтилфосфина (С2Н5)3РО;

г) m=2,q=1,

класс веществ - сложные эфиры, образованные фосфоновой кислотой R1R2R3(O)2PO.

Частный случай:

n1=n2=n3=1 (R1=R2=R3=СН3) диметиловый эфир метанфосфоновой кислоты СН3(СН3О)2РО;

д) m=3, q=1,

класс веществ - сложные эфиры, образованные ортофосфорной кислотой - алкилфосфаты R1R2R3(O)3PO или эфиры фосфорной кислоты.

Частный случай:

n1=n2=n3=1 (R1=R2=R3=СН3) триметиловый эфир фосфорной кислоты (СН3О)3РО.

Пример 2. Комплексообразующая способность фосфорсодержащих соединений - алкилфосфатов или эфиров фосфорной кислоты (триметилфосфат - ТМФ, трипропилфосфат - ТПФ, трибутилфосфат - ТБФ) и алифатических спиртов (этанол - октанол-1) определялась весовым методом по разности масс жидкой фазы до и после насыщения комплексообразователя газообразным кремнийсодержащим соединением, в качестве которого используют тетрафторид кремния SiF4. Насыщение проводят в термостатируемой равновесной ячейке при температуре 20°С (результаты даны в табл. 1).

Величина мольного отношения r для алкилфосфатов в 1,5-2 раза превышает аналогичное значение для алифатических спиртов, что при прочих равных условиях позволяет уменьшить поток комплексообразователя в установке для разделения изотопов кремния в соответствующее число раз.

Пример 3. Определение коэффициента разделения изотопов кремния выполнено методом однократного уравновешивания

комплексообразователя D и газообразного SiF4 в термостатируемой ячейке при температуре 20°С. Коэффициент разделения изотопов кремния α28-30 определен как отношение концентраций 28Si и 30Si в тетрафториде кремния до и после уравновешивания (результаты даны в табл. 2).

Значения коэффициента разделения изотопов кремния α28-30 для газожидкостных систем на основе газообразного SiF4 и его комплексных соединений с триметиловым эфиром фосфорной кислоты и алифатическими спиртами (бутанол-1 - гексанол-1) практически одинаковы в пределах погрешности измерения этой величины.

Пример 4. Исследование стабильности рабочей системы SiHnX4-n(газ) - SiHnX4-n⋅D(жидкость) и эффективности массообмена при разделении изотопов кремния методом химического обмена выполнено с использованием противоточной насадочной массообменной колонны диаметром 11 мм и высотой слоя насадки 148 см с верхним и нижним узлами обращения потоков. Колонна заполнена спирально-призматической насадкой с размером элемента 1x1x0,2 мм и термостатируется при 20°С. На орошение ерхнего узла установки подавали поток комплексообразователя D с расходом, обеспечивающим равенство в колонне потока газа SiHnX4-n, поступающего в нижнее сечение колонны из нижнего узла обращения потоков. В качестве газообразного соединения кремния используют тетрафторид кремния SiF4, а в качестве D - триметиловый эфир фосфорной кислоты (ТМФ) и алифатические спирты (бутанол-1 - гексанол-1). Данные по стабильности рабочей системы приведены в табл. 3, а данные по эффективности массообмена даны в табл.4.

Представленные данные показывают, что применение триметилового эфира фосфорной кислоты (СН3)3О3РО не приводит к разложению SiF4 (его потери равны нулю, таблица 3) и характеризуется высокой скоростью массообмена, аналогично системам на основе алифатических спиртов (значения ВЭТС при использовании (СН3)3О3РО и пентанола-1 практически равны, таблица 4).

Стабильность рабочей системы SiHnX4-n(газ) - SiHnX4-n⋅D, где SiHnX4-n - SiF4, D - (СН3)3О3РО, в отличие от систем на основе алифатических спиртов ROH, объясняется, скорее всего, отсутствием процесса образования воды из-за протекания побочных химических реакций.

Пример 5. Получение изотопа 28Si методом химического обмена с использованием противоточной насадочной массообменной колонны с верхним и нижним узлами обращения потоков. В качестве газообразного соединения кремния используют тетрафторид кремния SiF4, а в качестве D - триметиловый эфир фосфорной кислоты (СН3)3О3РО, а для сравнения применяют алифатический спирт - пентанол-1. Характеристики колонн и результаты процесса разделения изотопов кремния представлены в табл. 5 и табл. 6.

Результаты табл. 5 показывают, что при равных габаритах колонн и равной производительности по изотопу Si использование в качестве комплексообразователя ТМФ позволяет получить высококонцентрированный 28Si (99,9 ат.%), в то время как применение пентанола-1 позволяет сконцентрировать 28Si лишь до 96,6 ат.%. Это объясняется разложением SiF4 со скоростью 1% от скорости его циркуляции в установке при использовании в качестве комплексообразователя пентанола-1, в то время как в случае применения (СН3)3О3РО разложение SiF4 отсутствует.

Как следует из табл. 6, при равных габаритах колонн и одинаковой концентрации 28Si в продукте (96 ат.%) использование в качестве комплексообразователя (СН3)3О3РО или ТМФ по сравнению с применением пентанола-1 позволяет существенно повысить производительность установки по изотопу 28Si - с 0,68 моль/ед. времени до 1 моль/ед. единицу времени или почти на 50%.

В целом, использование в качестве комплексообразователя соединения (СН3)3О3РО или ТМФ как представителя фосфорсодержащих соединений общего вида R1R2R3(O)mPOq позволяет повысить сорбционную емкость комплексообразователя по кремнийсодержащему газу в 1,5-2 раза, уменьшить количество циркулирующего в установке комплексообразователя, получить высококонцентрированный изотоп 28Si (99,9 ат.%) и увеличить производительность установки по изотопу 28Si примерно на 50%.

Способ разделения стабильных изотопов кремния методом химического изотопного обмена между газообразными галогенсодержащими соединениями кремния с общей формулой SiHnX4-n, где X - атом галогена, и их жидкими молекулярными комплексными соединениями вида SiHnX4-n-D, где D - молекула комплексообразователя, осуществляемый в противоточных массообменных колоннах с нижним и верхним узлами обращения потоков, отличающийся тем, что в качестве комплексообразователя используют фосфорсодержащие соединения c общей формулой

R1R2R3(O)mPOq,

где

R1, R2, R3 - углеводородные радикалы,

причем R1=R2=R3≠СН3;

R1=Cn1H2n1+1 - число атомов углерода n1=2-5 или R16Н5;

R2=Cn2H2n2+1 - число атомов углерода n2=2-5 или R26Н5;

R3=Cn3H2n3+1 - число атомов углерода n3=2-5 или R36Н5;

m - число атомов кислорода, связанных с одной стороны с углеводородным радикалом, с другой - с атомом фосфора (m=0, 2, 3);

q - число атомов кислорода, соединенных двойной связью с атомом фосфора (q=0, 1), причем m≠q.



 

Похожие патенты:

Изобретение может быть использовано при получении исходного сырья для создания элементов для электроники и оптики, в промышленном производстве композиционных материалов, в биотехнологии, биомедицине, фармакологии. Для получения наночастиц кварца в качестве сырья используют жильный кварц шунгитовых пород, который измельчают в шаровой мельнице до порошка с размером частиц менее 50 мкм, отстаивают в воде при соотношении 1:10 в течение суток, фильтруют и обрабатывают в воде ультразвуком мощностью 300 Вт при частоте 22 кГц в течение 30 мин.

Изобретение относится к способам получения кварцевого стекла высокой степени чистоты по золь-гель-процессу и может быть использовано для производства изделий электронной и оптической, в частности лазерной, промышленности. Предложен способ получения гранул особо чистого диоксида кремния гидролизом тетраэтоксисилана (ТЭОС) с особо чистым водным раствором азотной кислоты, при этом вначале в раствор азотной кислоты предварительно добавляют этанол, затем при перемешивании в течение 10-25 мин проводят гидролиз ТЭОС в соотношении ТЭОС:водный раствор азотной кислоты с этанолом 1:(2-2,5) с рН от 3,5 до 6, далее добавляют разбавленный раствор аммиака с доведением рН до 9-10 и продолжают перемешивание в течение 8-15 мин при температуре 20-60°С, после чего проводят сушку полученной в виде геля гидроокиси кремния при перемешивании с одновременной отгонкой водно-спиртовой смеси с образованием твердых частиц ортокремниевой кислоты, после чего удаляют остатки органических веществ и основной массы гидроксильных групп веществ путем термообработки ортокремниевой кислоты при температуре от 200 до 250°С в течение 50-80 мин, а затем проводят отсев твердых частиц ортокремниевой кислоты с размером менее 0,05 мм, а оставшиеся твердые частицы прокаливают при температуре от 1100 до 1300°С в течение от 3 до 5 ч с получением гранул особо чистого диоксида кремния размером от 0,05 до 0,50 мм.

Изобретение относится к получению наноразмерных упорядоченных частиц кремния при электролизе расплавленных солей, который может быть использован для изготовления анодов на основе кремния при создании новых безопасных литий-ионных аккумуляторов с улучшенными энергетическими характеристиками. Способ включает электролиз расплава KCl с кремнийсодержащей добавкой K2SiF6 при температуре 790-800°C.
Изобретение относится к металлургии редких металлов, а именно к способам переработки цирконового концентрата, и может быть использовано для получения бадделеитового концентрата – сырья для производства цирконийсодержащих продуктов: керамического диоксида циркония и металлического циркония и его сплавов, а также диоксида кремния в виде товарного продукта.
Изобретение относится к способам очистки гексахлордисилана, используемого в микроэлектронике для ряда перспективных процессов тонкопленочного осаждения в области изготовления полупроводниковых чипов памяти, микросхем, микропроцессоров. Предложен способ очистки гексахлордисилана от хлоридов металлов, включающий стадии: а) предварительного очищения гексахлордисилана путем перегонки до получения 98-99 %-ного гексахлордисилана при содержании примесей хлоридов металлов до 350 ppm; б) насыщения перегнанного гексахлордисилана газообразным тетрафторидом кремния при температуре 3-6°С при перемешивании; в) повышения температуры смеси до 15-25°С; г) фильтрации через полимерные микрофильтрационные мембраны для очистки гексахлордисилана от образовавшихся нерастворимых фторидов металлов и д) удаления растворенного тетрафторида кремния путем ректификации гексахлордисилана при атмосферном давлении.

Изобретение относится к электролитическому получению кремния, который может быть использован в чистых и относительно безопасных отраслях малой энергетики, например, в литий-ионных аккумуляторах с анодами на основе кремниевых нано-композитных структур и солнечных батарей, которые обладают улучшенными эксплуатационными характеристиками.
Изобретение может быть использовано при получении керамики, абразивного инструмента, высокотемпературных нагревательных элементов, восстановителя при производстве черных и цветных металлов. Способ получения карбида кремния восстановлением шихты из кварцевого песка нефтяным коксом в печи сопротивления включает загрузку шихты на подину печи, формирование керна из нефтяного кокса над слоем шихты, загрузку шихты с боков от керна и над керном, ведение плавки карбида кремния.

Изобретение относится к самонесущей синтетической полимерной водонепроницаемой мембране со свойствами самовосстановления, применяемой в строительном секторе для гидроизоляции крыш и подземных сооружений (полы, стены и т.п.), а также к области гражданских строительных работ, герметизации мусорных свалок, каналов, туннелей, водохранилищ, дорог, стен, мостов и т.п.

Изобретение может быть использовано при изготовлении катализаторов и сорбентов. Предложен гидроксид циркония, включающий в пересчете на оксид до 30% вес.

Изобретение относится к способу получения инертного газа ксенон 12854Хе. Способ получения ксенона 12854Хе из чистого йода 12753J основан на ядерной технологии, по изобретению, химически чистый кристаллический йод 12753J помещают в сосуд из материала, не поглощающего нейтроны и химически нейтрального к йоду 12753J и ксенону 12854Хе, оставляя малую часть объема свободным.
Изобретение относится к способам очистки гексахлордисилана, используемого в микроэлектронике для ряда перспективных процессов тонкопленочного осаждения в области изготовления полупроводниковых чипов памяти, микросхем, микропроцессоров. Предложен способ очистки гексахлордисилана от хлоридов металлов, включающий стадии: а) предварительного очищения гексахлордисилана путем перегонки до получения 98-99 %-ного гексахлордисилана при содержании примесей хлоридов металлов до 350 ppm; б) насыщения перегнанного гексахлордисилана газообразным тетрафторидом кремния при температуре 3-6°С при перемешивании; в) повышения температуры смеси до 15-25°С; г) фильтрации через полимерные микрофильтрационные мембраны для очистки гексахлордисилана от образовавшихся нерастворимых фторидов металлов и д) удаления растворенного тетрафторида кремния путем ректификации гексахлордисилана при атмосферном давлении.
Наверх