Резистивный материал

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

283366

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 22.1Ч.1969 (№ 1325381/26-9) Кл 21с 55/01 с присоединением заявки №

Приоритет

МПК Н 01с 7/00

УДК 621.316.8:621.315. .592 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 06.Х.1970. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 22.XII.1970

@- :С". х:,"1.б 11

Б. П. Соколов, Э. А. Бондаренко, lO. П. Юсов н Л. Г флфрдн;ц.;1р„

Московский авиационный технологический ин титут " " - "

В1тЗЛкк! 6Т„"-уд

Авторы изобретения

Заявитель

РЕЗИСТИВНЬ!Й МАТЕРИАЛ

Предмет изобретения

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано,при производстве резисторов.

Известны резистивные материалы на основе валентных полупроводников, изготовленных из солей щелочноземельных металлов и ортокислот с примесью в виде металлических соединений.

Однако электропроводность этих материалов невысока, что не позволяет изготавливать из них электросопротивления с широким диапазоном номиналов.

Целью изобретения является расширение диапазона номиналов электросопротивлений и повышение стабильности параметров.

Для этого резистивный материал изготовляют на основе валентных полупроводников, основным веществом которых является ортосиликат цинка, а в качестве .примеси используют 2 вЂ” 4 вес. % хлористого марганца.

Предлагаемый материал изготовляют следующим образом. Шихту, состоящую их ортосиликата цинка и хлористого марганца, замешивают на органической связке, прессуют для

5 создания затотовок электросопротивления и обжигают до температуры 1400 С в течение

2 вЂ” 3 час.

10 Резистивный материал электросопротивления на основе валентных полупроводников, изготовленных из солей щелочноземельных металлов и ортокислот, активированных примесью в виде металлических соединений, от15 личаюи1ийся тем, что, с целью расширения диапазона номиналов и повышения стабильности параметров, в качестве основного вещества использован ортосиликат цинка, в который в качестве примеси введен хлористый

20 марганец 2 вЂ” 4 вес. %.

Высоковольтное нелинейное сопротивление // 282485

Патент 277910 // 277910

Способ изготовления сажесодержащих композиций // 276214

Способ изготовления печатных резисторов // 275201

Патент 267725 // 267725

Устройство для окраски и сушки резисторов // 266902

Токопроводящий материал для металлопленочных резисторов // 240820

Патент 235146 // 235146

Печатных схем // 208085

Резисторный элемент // 2105372

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред

Резистивно-проводящий материал // 2117348

Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Варистор и способ его изготовления // 2118006

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Композиция для электрического резистивного элемента, электрический резистивный элемент и способ его изготовления // 2120146

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Тонкопленочный терморезистор // 2120679

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Разрядник от перенапряжения // 2121724

Прецизионный тонкопленочный чип-резистор // 2123735

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Устройство для защиты от перенапряжений // 2125309

Устройство для защиты от перенапряжений // 2125747

Устройство для защиты от перенапряжений // 2125748

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений