Матрица запоминающего устройства

Авторы патента:


 

!

f P г,- .. -..„„. 1

О ИСАИИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

292!9! ьоюа Советскиа

Социдлистичеоких

Реоптбдик

Зависимое от авт. свидетельства №

МПК 6 11с 11/14

Заявлено 13.Ч111.1969 (№ 1356702/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 06Л.1971. Бюллетень № 4

Дата опубликования описания 26.II.1971

Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 681.327.66(088.8) Автор изобретения

Э. P. Пилипосян

Заявитель

МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Изобретение относится к области запоминающих устройств.

Известна матрица запоминающего устройства ассоциативного типа (АЗУ), выполненная на цилиндрических пленках, основные операции в которой производятся посредством передачи информации по подложке, т. е. по проволоке, на которую осаждена пленка.

Матрица известного АЗУ обладает как конструктивными, так и электрическими недостатками. Конструктивные недостатки этой матрицы заключаются в том, что требуется очень прецизионное изготовление, что понижает ее технологичность. Каналы, в которых лежат проволоки с пленкой, должны иметь в этой матрице минимальную ширину, чтобы индуктивность контура слова АЗУ была бы минимальной. К электрическим недостаткам следует отнести сложность ввода информации в такую матрицу. После сборки матрицы под шинами «единиц» и «нулей», которые используются в каждом цикле работы АЗУ, должны быть записаны «единицы» и «нули» во всех словах матрицы. Для этого либо один конец проволоки нужно отключить от матрицы и подать в него ток, достаточный, чтобы в присутствии поперечного поля записать под соответствующими шинами «единицы» и «нули», либо использовать какой-то другой сложный метод. Кроме того, одновременное протекание токов записи по большинству проволок можег вызвать появление динамически меняющихся полей в матрице, так как все эти токи замыкаются через матрицу. Это ухудшает надежность работы матрицы и ограничивает ее размеры.

Для упрощения конструкции матрицы АЗУ на цилиндрических пленках и повышения надежности ее функционирования проволоки, составляющие контуры слов предложенной матрицы, установлены вплотную друг к другу и подсоединены свободными концами к проводящим плоским контурам, под которыми размещена плоская зигзагообразная проводящая шина. Контур и шина отделены друг от друга тонким диэлектрическим слоем.

На чертеже изображена предлагаемая матрица АЗУ.

Контур слова содержит проволоку 1 пз бериллиевой бронзы без пленки, такую же проволоку 2 с пленочным покрытием и плоский печатный контур 8. (Места паек зачернены).

Под печатными частями контуров всех слов проходит зигзагообразная шина 4. Перпендикулярно проводам отделенные тонким слоем 5 проходят шины 6 поперечного поля, обхватывая проволоки сверху и снизу. Две из этих шин являются шинами «единиц» и две «нулей» (т. е. в запоминающих элементах, находящих292191 ся под этими шинами, во всех словах записаны соответственно «единицы» и «нули»).

Первоначальная запись информации в эти элементы производится следующим образом.

Возбуждается шина «единиц», затем на зигзагообразную шину подается импульс напряжения определенной полярности. Это напряжение трансформируется в контур слова за счет взаимоиндукции его плоской части с зигзагообразной шиной. Ток, протекающий по контуру, в результате этого запишет под шиной

«единиц» во всех словах «единицы». Аналогично записываются «нули».

Передача информации в контуре слова, являющаяся основой выполнения таких операций АЗУ, как поиск, считывание, мультизапись, производится следующим образом.

Предположим, что во всех словах матрицы под шиной Б нужно записать «нули» в зависимости от информации элементов под шиной В.

Вначале возбуждается шина Б, затем одна из шин *нулей» и шина В. В тех контурах слов, где под шиной В были «нули», течет ток, достаточный, чтобы записать «нули» в элементы под шиной Б. В тех контурах слов, где под шиной

В были «единицы», по контуру ток протекать не будет, и поэтому состояния элементов этих слов под шиной Б не изменятся.

Считывание информации в такой матрице производится следующим образом. После поиска в одном из разрядов слова, подлежащего считыванию, предположим под шиной Г, записывается «единица», а в том же разряде всех остальных слов — «нули». Затем в шины всех разрядов, подлежащих считыванию, подается небольшое смещение. После этого возбуждаются одновременно шина Г и одна из шин «единиц». В контуре считываемого слова будет протекать ток, а во всех остальных словах тока не будет. Ток, протекающий по контуру считываемого слова, отклонит еще на небольшой угол векторы намагничивания считываемых разрядов, и на разрядных шинах появится сигнал, положительный или отрицательный, в зависимости от записанной информа10 ции. Предлагаемая конструкция хороша тем, что в разрядную шину не будет наводиться помеха при протекании тока по контуру слова, так как по проволокам контура течет ток разных направлений (под разрядной шиной). Это д также является преимуществом данной конструкции, Матрица изготовляется из пластмассы, технологична, проста, не требует прецизионного исполнения.

Предмет изобретения

Матрица запоминающего устройства ассоциативного типа на цилиндрических пленках с

2 легкой осью намагничивания, направленной по окружности, содержащая проволоки с пленкой и проволоки без пленки, присоединенные с одной стороны друг к другу, отличаюи аяся тем, что, с целью упрощения конструкЗ0 ции и повышения надежности матрицы, проволоки, составляющие контуры слов, установлены вплотную друг к другу и подсоединены свободными концами к проводящим плоским контурам, под которыми размещена плоская

35 зигзагообразная проводящая шина, отделенная от них диэлектрическим слоем. (:оставитель А. Соколов

Редактор В. Ф. Смирягина Техред А. А. Камышникова Корректор Г. С. Мухина

Изд. № 167 Заказ 330/7 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр, Сапунова, 2

Матрица запоминающего устройства Матрица запоминающего устройства Матрица запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх