Способ изгоговления фотосопротивлений

 

Класс 21 g, 29 9883

АВТОРСКОЕ СВИДЕТЕЛЬСТВО kA ИЗОБРЕТЕНИЕ

ОГ1ИСАНИЕ способа изготовления фотосопротивлений.

К зависимому авторскому свидетельству О, В. Лосева, заявленному 21 января 1934 года (спр. о перв. ¹ 140876).

Основное авторское свидетельство на имя того же лица от 30 сентября 1933 года 34 32067.

0 выдаче зависимого авторского свидетельства опубликовано

30 ноября 1934 года. (30о) Авторским свидетельством № 32067 был предусмотрен способ изготовления фотосопротивлений, где применялись крис галлические порошки некоторых полупроводников, нанесенные в смеси с целлюлоидным клеем или цапоновым лаком на поверхность какого-либо диэлектрика. После соответствующей сушки получавшееся фотосопротивление давало эффект изменения сопротивления при освещении. Соответствующее воздействие на сетку первого каскада усилителя низкой частоты могло, например, быть получено при прерывистом освещении (например, с помощью фонического колеса).

Дальнейшее исследование показало, что значительно ббльший эффект может быть получен при воздействии на усилитель низкой частоты в том случае, если прерывистому освещению подвергаются порошки тех же самых полупроводников, но смешанные с веществами, весьма слабо проводящими, но обладающими электролитической проводимостью, например, с глицерином, пиридином или анилином. Далее выяснилось, что приготовленные таким способом фотосопротивления не дают какого-либо заметного изменения сопротивления при освещении, но дают изменение емкости между своими электродами.

Далее исследование показало, что применение жидких электролитов для получения эффекта изменения емкости необязательно; этот эффект получался также и при применении твердых слабо проводящих электролитических веществ. В качестве такого вещества можно было применять, например, жидкое стекло. Смесь. порошка полупроводника с жидким стеклом наносится тонким слоем между электродами фотосопротивления на поверхность какого-либо диэлектрика. После определенного, довольно длительного времени сушки смеси порошка полупроводника с жидким стеклом (в частности около 45 дней при температуре 20 ), в течение которого жидкое стекло постепенно изменяется и химически, поглощая из воздуха СО,, можно было получать требующуюся небольшую величину удельной проводимости затвердевшего жидкого стекла и наблюдать эффект изменения емкости при освещении.

Для изготовления фотосопротивлений, изменяющих емкость при освещении, можно было применять, например, поПредм ет и зо брет ения. щ тельно, химическое изменение электро- честве связующего вещ ства применены литически проводящего вещества весь- полупроводники, обладающие электрома незначительно. l литической проводимостью. рошки следующих полупроводников: кремния с примесями Al, Cu, Fe, прустита, молибденита, аргентита. Сопротивление таких фо,"осопротивлений можно было иметь в несколько десятков или сотен мегомов. При таких значениях сопротивления величина постоянной слагаю ей весьма мала, а следоваСпособ изготовления фотосопротивлений, согласно авторскому свидетельству № 32067, отличающийся тем, что, с целью использования эффекта изменения емкости под действием света, в каЭксперт В. А. Гуров

Редактор А. М. Свбуренков

7вв,,!lромпоавграф". Тамбовская, 12, Зак. 1444