Патент ссср 340129

 

ОПИСАН И Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ

340I29

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимый от патента №

Заявлено 17Л1.1969 (№ 1305929/23-26) М. Кл. В Old 5/00

С 23с 7/00

Приоритет

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 546.881.4.62-416 (088.8) Опубликовано 241/т1972. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 27.VI.1972

Авторы изобретения

Иностранцы

Роберт О. Тииг и Роберт В. Халлман (Соединенныс Штаты Америки) Иностранная фирма

«Тииг Рисерч Инк» (Соединенные Штаты Америки) Заявитель

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НЕДООКИСИ

ВАНАДИЯ

Изобретение относится к способам получения тонких пленок недооклси ванадия.

Известен способ получения тонких пленок соединений путем испарения и конденсации на подложку в вакууме при повышенных температурах.

Целью изобретения является получение тонких пленок недоокиси ванадия общей формулой ЧО.„где х равен 1,5 — 2,02. Для этого в качестве исходного материала используют ванадийсодержащий материал, испарение и конденсацию ведут при давлении 10 — 4 — 10 — мм рт. ст. с последующей обработкой пленки, полученной на подложке при давлении 10 —

10-4 мм рт. ст. и температуре 400 — 600 С.

В качестве исходного материала используют пятиокись ванадия и процесс испарения ведут при температуре 500 — 850 С с последующим восстановлением пленки, полученной на подложке при непрерывном разрежении воздуха или в присутствии материала, имеющего большее сродство к кислороду, чем более высокая окись ванадия. Восстановление пленки, полученной на подложке, осуществляют в присутствии ванадия или окиси ванадия, имеющей большее сродство к кислороду, чем более высокая окись ванадия.

При использовании в качестве исходного материала металлического ванадия процесс ведут при температуре 1700 — 2000 С с последующим окислением пленки, полученной на подложке в атмосфере кислорода при давлении, равном давлению пара над недоокисью ванадия, а кислород получают путем нагревания

5 более высокой окиси ванадия.

Пример. Пятиокись ванадия общей формулы V205 помещают в инертную лодочку из тунгстена или в другой подходящий сосуд, оснащенный устройством для нагрева лодочки

IO подложки,,на которой конденсируется тонкая пленка.

В качестве подложки используют тонкополированную пластину, например, из стекла или кварца, которую предварительно тщатель15 но очищают, например, промывкой в слабом кислом растворе, а затем — в дистиллированной воде и высушивают в струе инертного газа. Атмосферу колпака разрежают до давления 10 — мм рт. ст.

20 Подложку нагревают до температуры 350 С, а лодочку с пятиокисью ванадия — до температуры 650 С. Пятиокись ванадия, испаряясь, осаждается на установленной подложке. Подложку с отложенной на ней тонкой пленкой

25 пятиокиси ванадия удаляют из испарительного колпака и помещают в другой колпак. Атмосферу разрежают до 10 — мм рт. ст. и подложку нагревают до температуры 500 С. Процесс ведут до полного восстановления пленки

30 пятиокиси ванадия в недоокись ванадия.

340129

Предмет изобретения

Составитель Т. Кузьмина

Редактор Н. Корченко Техред 3. Тараненко Корректор Л. Царькова

Заказ 1840(15 Изд. Ко 784 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, K-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

1. Способ получения тонких пленок недоокиси ванадия путем испарения и конденсации на подложку в вакууме при повышенных температурах, отличающийся тем, что, с целью получения тонких пленок недоокиси ванадия общей формулы ЧО„, где х равен 1,5 — 2,02, в качестве исходного материала используют ванадийсодержащий материал, испарение и конденсацию ведут при давлении 10-4 — 10 — мм рт. ст. с последующей обработкой пленки, полученной на подложке при давлении 10 —

10 — мм рт. ст. и температуре 400 — 600 С.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве исходного материала используют пятиокись ванадия и процесс испарения ведут при температуре 500 — 850 С с последующим восстановлением пленки, полученной на подложке при непрерывном разрежении воздуха или в присутствии материала, имеющего большее сродство к кислороду, чем более высокая окись ванадия.

3. Способ по п. 2, отличающийся тем, что

5 восстановление пленки, полученной на подложке, ведут в присутствии ванадия или окиси ванадия, имеющей большее сродство к кислороду, чем более высокая окись ванадия.

4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что

10 в качестве исходного материала используют металлический ванадий и процесс испарения ведут при температуре 1700 — 2000 С с последующим окислением пленки, полученной на подложке в атмосфере кислорода при давле15 нии, равном давлению пара над недоокисью ванадия.

5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что кислород получают путем нагревания более высокой окиси ванадия.