Патент ссср 341116

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

3416

Союз Советсиих

Соцналистичесних

Респуйлии

Зависимое от авт. свидетельства ¹

М. Кл, H 01l 7/50

Заявлено 07.Ч11.1970 (№ 1461356/26-25) с присоединением заявки №

Комитет по делам извороте!!ий и ст!1р!!тий чри Совете Министров! CGP

Приоритет

Опубликовано 05.V1.1972. Бюллетень _#_ 18

Дата опубликования описания 27Ч1.1972

УД К 621.382,002 (088.8) Авторы изобретегп!я

Заявитель

Е. В. Бузаиева, В. И. Стриха, В. И. Паничевская и А. Г. Кононенко

Киевский ордена Ленина государственный университет им. Т. Г. Шевченко

ВСЕСОЮЗНАЯ

БИБЛИО ЕИА, СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ П

НА КРЕМНИИ

Изобретение относится к способу получения то нких диэлектрических пленок на кремс нии толщи ной до 100 — 120А с диэлектри!чеокой проницаемостью,B,äIèàIïàçîíå 1,3 — 25 (широком диапазоне значений диэлектрической проницаемости),и может быть,и спользова но при разработке .полупроводнико вых приборов.

Известный способ получения диэлектричеcKoIH пленки на кремнии путем последователь ной обработки,в плав и ковой IKHcJ!оте и жи|дко»! окислителе, например на оанове орга!ни,ческих веществ, позволяет получать пленки в узкои диа|пазо не значений диэлектрической проницаемости и толщины.

Цель изобретения — созда ние способа, позволяющего управляемо изменять толщи ну d д иэлектрической,пленки и з начение ее диэле ктричес кой про ницаемости, в.

Для это го:пла стину кремния помысле механической или химической полировки обра баты!ватот IB пла!виковой кислоте, затем, IHe IBbIнимая,на во здух, !погружают в орга ничеокий слой IHa ocIHoâå насыщенного ра створа иода в хлороформе, после чего,п роводят процесс сушки при б0 — 70 С в течении, 20 — 30 мик.

Для изменения з на те ний д>иэлектрической IIloстоянной и толщины получаемой пле|нки в

paIcTBop йода IB хло роформе добавляют дитизон .или дитизонаты никеля и:меди.

П р и, м е р. Пласт|ину кремния марки

КДБ-0,04,,поверхность которого, пред варителыно полируют в тра вителе HF: HNOs (1: 5), обрабатывают в двухслойной с истеме

5 од ного .из IcocTaBOIB.

1. Верхний слой — пла викова!я кислота (48% ОСЧ): нижний;слой — насыщенный раствор йода (ЧДА) в хлороформе (фа рм.).

II. Верхний слой — пл а видовая,кислота

10 (48% ОСЧ); нижний слой —;насыщенный

paIcTBop йода (ЧДА);в хлороформе (фарм.) с добавле ниез! 0,01% раствора дитизона (ч., пере к ристалл изо ва!нный) в хлороформе (фар!м.) IB соот ношегнии 4: 1.

15 III. BeIpxHHH,слой — плавиковая кислота (48% ОСЧ); нижний слой — насыщенный раствор йода в хлороформе с добавлением

0,01 % раствора датизона в хлороформе:в Icoотношении 4:1,и с 0,05 мг/мл нижеля, еве20 денного в виде дитизоната.

IV. Верхний слой —.плав и кова я кислота (48%, ОСЧ): нижний слой — насы|ще!н ный раствор йода IB хлороформе,с до бавле ниез!

0,01% paICTBopa дитизо на в хлороформе в со25 отношении 4: 1 и с 0,05 мгlмл меди, в ве денной в виде дитазо ната.

Плавни кон!ую,кислоту берут в THIKOM количест ве, чтобы о на частично п оырывала ни>к ний слой, не растекансь по всей поверхности.

30 Пластину IKpeIA!IHIHIH погружают в верх!ний слой на 60 — 90 сек, затем опускают,в нижний слой

341116

Таблица

d (А) Двухслойная система

86 —:91

30 —:95

80-:-120

50 —:86

5,8 —: 7,4

7,5 †: 13,1

15 —:25

1,3 —;1,5

11

Ш

Составитель 5. Семенов

Текред Л. Богданова

Редактор А. Батыгнн

Корректор Е. Миронова

Заказ 1939/14 Изд. № 831 Тираж 448 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, SK-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2,на 5 — 10 сек, после чего извлекают из нижнего слоя через ту ча ст lIIolBspxHoicTH, которая не покрыта пла виковой кислотой, и сушат при

60 — 70 С в течение ЗО мин.

Получаемые значения тoJIIIIHIHbI д H диэлектриче ской про ни цаемости в представлены в таблице (величина d и е измерены посредстBoeI элипсометра).

Изменение толщины плен ки для,каждой из систем 1 — IV достигают изме нени ем времени нахож д ения oi6ipamà в нижнем слое от 5 до

10 сек.

Таким образом, предлагаемый, способ позволяет у пpBIBJIsleMQ иые нять толпищи!ну IB lIlpc4 о делах 30 — 120A и диэлектрическую про ницаемость iB пределах 1,3 — 25.

Предмет изобретения

1. С пособ получения диэлектрических пле нок на,кремнии путам по следо ватель ной обработки в пла вико вой кяслоте и жидко м oiKHcлителе, отличающийся тем, что, ic целью aIO10 лученья заданных значений диэлектрической про ницаемости и толщены, в качестве жидкого окислителя используют Hасыще н ный pBIcTвор иода в хлороформе.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в жвд кий окислитель добавляют 0,01% ра створ дитизо на в хлороформе (з соопношении 4: 1).

3. Способ по:п. 2, отличающийся тем, что в жидкий oKHlcJIHTBJIb добавляют 0,05 мг/мл никеля в виде дитизо ната.

4. Способ по п. 2, отличающийся тем, что в жидкий окислитель добавляют .0,05 мг/мл меди в виде дитизоната,