Устройство для измерения статического коэффициента усиления по току транзисторов

 

347700

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

K АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сова Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 02.VI.1970 (№ 1445493!26-25) М. Кл. G 01г 31/26 с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 1ОХ111.1972. Бюллетень № 24

Дата опубликования описания 27.IX.1972

Комитет пс делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

УДК 620 1(088.8) Автор изобретения

Е. А. Пецюх

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СТАТИЧЕСКОГО

КОЭФФИЦИЕНТА УСИЛЕНИЯ ПО ТОКУ ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники и предназначено для контроля параметров полупроводниковых приборов.

Известно устройство для измерения статического коэффициента усиления по току транзисторов, содержащее источник постояннопо напряжения, подключенный к коллектору испытуемого транзистора, источник импульсного напряжения, подключенный к эмиттеру транзистора через сопротивление, сопротивление, включетгное в базовую цепь испытуемого транзистора, усилитель и регистрирующий пр,ибор.

Известное устройспво имеет обратный характер шкалы измерения, а при перевороте фазы испытуемо|го транзистора устройство может давать ложное значение .измеряемого параметра.

Цель изобретения — получение линейной шкалы, устранение ложных измерений, а также повышение точности измерения путем более эффективного устранения выброса на переднем фронте базового импульса.

Цель достигае тся тем, что устройство содержит две цепи, состоящие из последовательно соединенных зарядного,сопротивления, токового ключа, конденсатора и разрядного сопротивления, одна из которых соединена с выходом усилителя (на выходе цепи подключена пороговая схема, соединенная через триггер и узел задержки с источником импульсного напряжения), а вторая включена между источником постоянного напряжения и регистрирующим прибором.

На чертеже представлена блок-схема устройства.

Описываемое устройство работает следующим образом.

Импульс эмиттерного тока задается от

10 эмиттсрного источника импульсного напряжения 1 через эмнттерпое сопротивление 2 в эмнттер испытуемого транзистора 8.

На базовом сопротивлении 4 создается падение напряжения, которое усиливается уси15 лителем,5. На выходе усилителя 5 подключена цепь, состоящая из зарядного сопротивления 6, токового, ключа 7, выполненно го на двух диодах, конденсатора 8 н разрядного сопротивления 9. На выход цепи подключена

20 пороговая схема 10, а к ней — триггер 11.

Для установления триггера 11 в исходное положение используется передний фронт импульса эмпттерного источника импульсного напряжения 1, который подводится к входу

25 триггера 11 через узел задержки 12. Триггер

11 управляет токо|вымн ключами 7 и 18.

К источнику постоянного напряжения 14 подключена цепь,,точно такая же как и на выходе усилителя 5, состоящая из зарядного

30 сопротивления 15, токового ключа 18, выпол347700 у 1п п х т Ю

R3 Rp

U0 п 1вых—

Уу ненного на двух диодах, конденсатора 16 и разрядного сопротивления 17. На выход цепи подключен вольтметр постоянного напряжения 18.

При приходе переднего фронта импульса эмиттерного источника импульсно го напряжения 1 триггер 11 устанавливается в такое положение, при котором токовые ключи 7 и 18 открыты и| конденсатор 8 заряжается выходным напряжением U; усилителя б, а,конденсатор 16 — от источника постоянного напряжения U 14. Если на конденсаторе 8 напряжение У„ достигает величины порога пороговой схемы 10, то на выходе пороговой схемы появляется импульс, который устанавливает триггер 11 в положение, при котором токовые ключи 7 и 13 закрыты.

В установиншемся режиме в течение каждого импульса трипгер 11 открывает и закрывает токовые ключи 7 и 18.

Таким образом, на,конденсаторах 8 и 16 появляется постоянное напряжение с наложенными на нето сверху треугольными импульсами, амплитуда которых выбирается в зависимости от чувствительности пороговой схемы и требуемой линейности шкалы и составляет приблизительно один процент от величины постоянного напряжения.

Так ка к средний з а рядн ый ток должен р авнятья среднему разрядному току, то для первой цепи можно запи сать следующее равенст,во: где т — время, за которое происходит заряд конденсатора;

Т вЂ” частота следования базовых импульсо,в.

Для другой цепи аналогично можно записать:

>В вых, вых у (2) 1 в 1 р где U»» — напряжение на конденсаторе 16.

Решая совместно эти уравнения, получим выражение:

iHo как известно: б у где IE — эмиттериый ток транзистора, который поддерживается постоянным;

К вЂ” коэффициент усиления усилителя.

Зо

Подставив выражение 4 в выражение 3 получим: o U„ вых — (»е + 1) II. 1 6 K

Отсюда видно, что выходное напряжение

Увв» прямо пропорционально параметру

1 »+ 1.

На практике, чаще всего ври измерении лараметра h»+1 транзисторов в камерах, .иногда наступает переворот фазы, приводящей в известных устройствах к ложным показателям при измерениях. Это связано с тем, что при пов ороте фазы на выходе усилителя

5 тоже появляется импульс задан ной полярности, но сдвинутый относительно базового и.мпульса.

В описываемом устройстве измерение происходит только во вовремя действия базового .импульса, и поэтому ложные показания исключаются.

Для повышения точнссти измерения в данном устройстве учитывается только неискаженная часть базовюго импульса. Выброс на переднем фронте базового им пульса исключается благодаря тому, что триггер 11 подключает на заряд конденсаторы 8 и 1б усиленным базовым импульсом не вначале его действия, а спустя некоторое время, которое равно длительности выброса на переднем фронте базового импульса и задается узлом задержки 12.

Предмет изобретения

Устройство для измерения статического коэффициента у силения,по току транзисторов, включенных по схеме с общей базой, содержащее источник постоянного напряжения, источник импульсного напряжения, усилитель и регистрирующий прибор, отличающееся тем, что, с целью по|вышения точности измерений и получения линейной шкалы, оно содержит две цепи, состоящие из последовательно соединенных зарядного сопротивления, токовото ключа, конденсатора и разрядного сопротивления, одна из которых соединена с выходом усилителя, на выходе цепи подключена по рото вая схема, соединенная через трипгер и узел задержки с источником импульсного напряжения, вторая цепь включена между источником постоянного напряжения и регистрирующим прибором.

Составитель 3. Челнокова

Редактор Л. Мазуронок Техред Л. Богданова Корректор Е. Миронова

Заказ 3212/12 Изд. ¹ 1308 Тираж 406 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий прп Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Устройство для измерения статического коэффициента усиления по току транзисторов Устройство для измерения статического коэффициента усиления по току транзисторов Устройство для измерения статического коэффициента усиления по току транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх