Полупроводниковая подложка

Авторы патента:

H01L27 - Приборы, состоящие из нескольких полупроводниковых или прочих компонентов на твердом теле, сформированных на одной общей подложке или внутри нее (способы и аппаратура, предназначенные для изготовления или обработки таких приборов или их частей, H01L 21/70,H01L 31/00-H01L 49/00; конструктивные элементы и особенности таких приборов H01L 23/00, H01L 29/00-H01L 49/00; блоки, состоящие из нескольких отдельных приборов на твердом теле, H01L 25/00; блоки, состоящие из нескольких электрических приборов, вообще H05K)

36I487

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ссиз Ссветсхих

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №вЂ”

Заявлено 04.VI.1970 (№ 1445677/26-9) с присоединением заявки №вЂ”

ПриоритетвЂ”

М. Кл. Н Olt 7/06

Комитет ио делом изобретений и открытий ори Совете Министров

СССР

УДК 621.382(088.8) Опубликовано 07.Х111972. Бюллетень № 1 за 1973

Дата опубликования описания 16.III.1973

Автор изобретения

А. А. Гаврилкин

Заявитель

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПОДЛО)ККА

Изобретение относится к технологии производства интегральных схем и полупроводниковых приборов и может быть использовано в устройствах для совмещения топологических рисунков фотошаблона и полупроводниковой пластины.

Известная полупроводниковая подложка для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов, на поверхности которой расположены выполненные в виде канавок отметки совмещения рисунка подложки с рисунком фотошаблона, имеет низкую точность совмещения рисунка подложки с рисунком фотошаблона.

Цель изооретения вЂ” повысить точность фотоэлектрического совмещения рисунка подло кки с рисунком фотошаблона.

Для этого канавки расположены в просветах мсжд интегральными схемами и полупроводниковыми приборами на поверхности подложки, противоположной относительно поверхности подложки, на которой размещены интегральные схемы и полупроводниковые приборы, и заполнены непрозрачным веществом, например ситаллом.

Сущность изобретения поясняется чертежом, где показано поперечное сечение полупроводниковой подложки с реперным знаком совмещения на ее поверхности.

Полупроводниковая подложка 1 с расположенными на ее поверхности структурами интегральных схем содержит штриховой репсрный знак в виде глубинной канавки ?, заполняемой ситаллом 4, который изолирован от материала подложки маскирующим (изолирующим) слоем 5.

Реперный знак 8 обладает контрастом как в отраженном видимом свете, так и в проходящих лучах для ближней ИК вЂ” области спектра. Однако он изменяет положение своих фотометрических осей при несимметричном заполнении его профиля различньв|и вещеcTвами, например фоторезистом, в процессе технологических операций изготовления интегра IьHûx схем.

Стабильность фотометрической оси глубинного реперного знака достигается благодаря тому, что канавка заполняется химически Нр-активным материалом полупроводниковой

IIoдлОж кн веществом 4 и значительно Отличающимся Оптическими свойствами как для видимого сВ-та, TBK и для ИК вЂ” области спектра. Таким требованиям удовлетворяет ситалл, который совершенно непрозрачен в

ИК вЂ” области спектра и обладает диффузным Отражением для видимой области, После заполнения канавки спталл спекястся с

ЗО материалом подложки. При этом для предо361487

Предмет изобретения ф р

Составитель Ю. Еркин

Редактор В, Фельдман Техред А, Евдонов Корректоры Т. Гревцова и Г. Запорожец

За,каз 954 Изд. № 11 Тираж 404 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб, д. 4/5

Типография № 24 Союзполиграфпрома, Москва, Г-19, ул. Маркса вЂ” Энгельса, 14 хранения полупроводниковой подложки от проникновения в нее ситалла и диффузии возможных в нем химических примесей, т. е. для стабилизации границ реперного знака 8, а отсюда и стабилизации его фотометрической оси, ситалл изолирован от полупроводниковой подложки маскирующим слоем б.

Для кремниевой подложки таким слоем может быть двуокисыкремния (Si02). Предлагаемая полупроводниковая подложка позволяет расположить реперные знаки как на лицевой, так и на обратной ее стороне, что особенно важно для работы фотоэлектрических систем совмещения в ИК вЂ” области спектра. В последнем случае знаки совмещения должны быть расположены в просветах между структурами интегральных схем, расположенных на поверхности подложКи, как это показано на чертеже.

Полупроводниковая подложка для изготовления интегральных схем и полупроводниковых приборов, на поверхности которой расположены выполненные в виде канавок отметки совмещения рисунка подложки с рисунком фотошаблона, отличающаяся тем, что, с

1р целью повышения точности фотоэлектрического совмещения рисунка подложки с рисунком фотошаблона, канавки расположены в просветах между интегральными схемами и полупроводниковыми приборами на поверхности подложки, противоположной относительно поверхности подложки, на которой размещены .интегральные схемы и полупроводниковые приборы, и заполнены непрозрачным веществом, например ситаллом.

Похожие патенты:

Интегральная микросхема // 339070

Патент 327884 // 327884

Всесоюзная мшш4?х;-;^'^г-шб'тисг';--"^ // 320862

Всесоюзная 5nai;lht!w->&^-xu.rt.{;as|б'-^ л 1-ю г на // 310597

Управляемый линейный резистор // 299874

Патент 284046 // 284046

Многослойная // 274839

Патент 256091 // 256091

Полупроводниковая твердая схема «не—или» // 248847

Полупроводниковое устройство // 243076

Интегральная схема с двумя типами моп-транзисторов // 2100874

Микрополосковый направленный ответвитель // 2101808

Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в радиотехнических устройствах различного назначения в качестве элементной базы тонкопленочных интегральных высокочастотных узлов таких как разделительно-суммирующие устройства, радиочастотные мультиплексеры, фазовращатели, фильтры и другие

Способ прямого нанесения пленочного рисунка // 2103847

Изобретение относится к области технологии микроэлектроники, в частности, к технологии формирования на подложках тонкопленочных рисунков с помощью лазерного луча и к устройствам, позволяющим реализовать такую технологию

Полупроводниковая интегральная схема // 2104601

Способ изготовления моноп-ячейки памяти, ячейка памяти и матричный накопитель на ее основе // 2105383

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для создания ЭРПЗУ с повышенной информационной плотностью на основе МОНОП-транзисторов, в частности, перепрограммируемых инжекцией горячих носителей заряда

Бикмоп-прибор и способ его изготовления // 2106719

Линия передачи // 2108639

Изобретение относится к области электронной техники и микроэлектроники, а именно к линиям передачи

Комплементарная биполярная транзисторная структура интегральной схемы // 2111578

Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно к разработке комплементарных биполярных транзисторных структур при производстве интегральных схем

Полупроводниковое устройство, обладающее двухслойной силицидной структурой и способы его изготовления /варианты/ // 2113034

Изобретение относится к MOS полупроводниковому запоминающему устройству, в частности к полупроводниковому устройству, повышающему высокотемпературную стабильность силицида титана, применяемого для изготовления вентильной линии полицида в DRAM (памяти произвольного доступа)

Интегральный логический элемент // 2115998

Изобретение относится к области вычислительной техники и интегральной электроники, к интегральным логическим элементам БИС