Способ определения точки кюри в сегнетополупроводниках

 

366396

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Ссюв Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

М. Кл. б Oln 25/12

Заявлено 21.Х11.1970 (№ 1604321/26-25) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 16.1.1973. Бюллетень № 7

Дата опубликования описания 1б.III.1973

Комитет по делам изобретений и открытиЯ при Совете Министров

СССР

УДК 537.226.33:621.376..2341вава1, эМН1

Г }

Авторы изобретения

Б. С. Агаронов, H. М. Бездетный, А. Х. Зейналов, Н. Н. Лебедева и М. К. Шейнкман

Азербайджанский государственный университет им. С. М, Кирова

Заявитель

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТОЧКИ КЮРИ

В СЕГНЕТОПОЛУПРОВОДНИ КАХ йР АР dT

Изобретение относится к способу определения точки Кюри в сегнетополупроводниках, в особе1шости для сегпетополупроводпиков типа

A"B С периодической системы Менделеева.

В известных способах определения точки

Кюри из измерений температурной зависимости диэлектрической проницаемости в пьезоэффекту и др. в области фазового перехода наблюдается максимум величин е и y„.

Известен способ определения точки Кюри из измерений пиротока 1.

Пироток i связан с поляризацией соотношением. где Т вЂ” абсолютная температура; — время; — поляризация.

Этот способ наряду с основным пиротоком регистрирует ложный пироток и требует применения высокочувствительных измерительных устройств (электрометров), регистрирующи х ток пор яд к а 10 — 1 — 10 а А.

Ложный нироток связан с пьезоэффектом, возникающим при деформации кристалла в процессе изменения температуры.

Для повышения надежности регистрации фазового перехода по предлагаемому способу область фазового перехода определяют из измерения величины фотоотклика, возникающего при освещении конт.1кта металл — сегнетополупроводник видимыми импульсами света из области собственной фотопроводимости, и фиксируют максимальное значение фотоотклика.

Предлагаемый способ заключается в следующем.

На кристалл сегнетополупроводника, например SbSI, папыляют в вакууме контакты из Sh (сурьмы) или другого материала (Ац, Аg, Bi и т. д.), возможно применение серебряной и индийгаллиевой паст. Кристалл с нанесенными контактами закорачивают входом измерительного устройства (узкополосного усилителя) переменного тока. В области фазового перехода наблюдается резкое увеличение фотоотклика. Для SbSI точка Кюри лежит в интервале 19 — 22 С. Частота световых импульсов может меняться в широком интервале (100 — 5000 гц) .

Предмет изобретения

Способ определения точки Кюри в сегнетополупроводниках, например типа АвВ С, с нанесенными ъ .еталлпческпмп контактами, от.тича1ои ийся тем, что, с целью повышения надежности регистрации фазового перехода, освещают контакт металл — сегнетополупроводнпк пмпульсами света пз ооласти собст30 венной фотопроводимости и фиксируют максимальное значение фотоотклпка,