Библиотекл j
373770
ОПИСАНИЕ
ИЗОБРЕТЕНИЯ
К АВТОРСКОМУ СВКДЕТЕЛЬСТВУ
Фоюа Советским
Социалистическим
Республик
Зависимое от авт. свидетельства №
Заявлено 14.1Ч.1971 (Эй 165ОО77/18-24) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 12Л1!.1973. Бюллетень № 14
Дата о публикования описания 24 Ч.1973
М. Кл. G 11с 11/40
Комитет но делам иаобретений и открытий при Совете Министров
СССР
УДК 681 327.67(088.8) Авторы изобретения
Ю. В. Беленький и Г. И. Берлинков
Заявитель
ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ HA МДП-ТРАНЗИСТОРАХ
Изобретение относится к области запоминающих устройств.
Известна ячейка памяти на МДП-транзисторах, содержащая информационные транзисторы, затворы и стоки которых соединены перекрестно, а истоки соединены с общей шиной, вентильные транзисторы, стоки которых подключены к стокам информационных транзисторов, истоки — к разрядным шинам, а затворы — к адресной шине.
Недостатком известной ячейки памяти является большая величина потребляемой ею мощности.
Описываемая ячейка памяти отличается от известной тем, что к стокам информационных транзисторов подключены конденсаторы, соединенные с шинами импульсного питания.
Указанные отличия позволяют уменьшить мощность, потребляемую ячейкой памяти.
На фиг. 1 представлена принципиальная схема ячейки памяти на МДП-транзисторах; на фиг. 2 — диаграмма импульсов питания ячейки памяти (для P-канальных транзисторов) .
Ячейка памяти содержит информационные транзисторы 1 и 2, затворы и стоки которых соединены перекрестно, вентильные транзисторы 8 и 4. К стокам транзисторов 1 и 2 подключены конденсаторы 5 и б, соединенные с шинами 7 и 8 импульсного питания. Истоки транзисторов 8 и 4 подключены к разрядным шинам. 9 и 10, а затворы их объединены и присоединены к адресной шине 11. Паразитные конденсаторы 12 и 18, образованные за5 творами транзисторов 1 и 2, показаны на фиг. 1 пунктиром. Истоки транзисторов 1 и 2 соединены с общей шиной 14.
Ячейка памяти работает следующим образом.
10 Запись информации в ячейку памяти осуществляется при поступлении на адресную шину 11 сигнала, открывающего вентильные транзисторы 8 и 4. Для записи в ячейку памяти уровня «1» на шину 9 поступает сиг15 нал «0», а на шину 10 — сигнал «1». Для записи уровня «0» входные сигналы на шинах имеют инверсные значения.
Хранение информации, записанной в ячейке памяти, осуществляется за счет импульсов
20 питания (см. фиг. 2).
Пусть на конденсаторе 12 был записан уровень «1» (что соответствует высокому по абсолютной величине отрицательному напряжению). Тогда импульс питания, поступающий
25 на шину 7, не меняет низкого уровня напряжения на конденсаторе 18, так как транзистор
1 открыт и коэффициент передачи делителя, образованного конденсаторами 5 и 18 и сопротивлением открытого транзистора 1, шунтиру30 ющего конденсатор 18, близок к нулю. При
373770
Предмет изобретения
Фиа1
Фиг. 2
Составитель В. Рудаков
Техред Л. Богданова
Корректор Т. Гревцова
Редактор Б. Нанкина
Заказ 1440/13 Изд. № 1306 Тираж 576 Подписное
ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР
Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2 поступлении импульса на шину 8 фронт его передается через конденсатор б на конденсатор 12, так как коэффициент передачи в этом случае зависит от соотношения конденсаторов б и 12 (транзистор 2 закрыт). Если произведение амплитуды импульса питания на коэффициент передачи превышает уровень «1», то по окончании фронта импульса на конденсаторе
12 окажется потенциал общей шины 14 источника питания. Изменение полярности напряжения на конденсаторе 12 не может произойти в связи с шунтирующим действием р — и-перехода стока транзистора 2.
Спад импульса питания на шине 8 также передается на конденсатор 12, в результате чего по окончании импульса на конденсаторе 12 окажется уровень потенциала, равный произведению амплитуды импульса питания на коэффициент передачи делителя, образованного конденсаторами б и 12. Так как эта величина постоянная, открывается возможность восстановления уровня сигналов на стоках информационных транзисторов (которые при отсутствии регенерации могут изменяться из-за влияния утечек). Частота следования импульсов питания может быть выбрана сравнительно небольшой (20 кги,) .
Считывание информации осуществляется при подаче уровня «1» на шины 9 и 10. Если на конденсаторе 12 был записан уровень «1», то в цепи, образованной транзисторами 2 и 4, ток не потечет, так как транзистор 2 закрыт, а падение напряжения на транзисторе 1 при всех условиях должно быть ниже величины порогового напряжения.
Если на конденсаторе 12 был записан уровень «О», то в цепи транзисторов 2, 4 потечет ток, который может регистрироваться с помощью, например, усилителя считывания.
При этом необходимо, чтобы падение напряжения на транзисторе 2 за счет протекания тока также не превышало бы порогового напряжения.
Ячейка памяти на МДП-транзисторах, содержащая информационные транзисторы, за20 творы и стоки котор.ых соединены перекрестно, а истоки соединены с общей шиной, вентильные транзисторы, стоки которых подключены к стокам информационных транзисторов, истоки — к разрядным шинам, а затворы — к
25 адресной шине, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, к стокам информационных транзисторов подключены конденсаторы, соединенные с шинами импульсного питания.
