Способ очистки графитовых изделий
О ll M C À Й И Е
ИЗОБРЕТЕНИЯ
И АВТОРСИОМУ СВЙДЕ:. ЕЛЬЮ ВУ
Со?оз Советских
Социалистических
Республик
Зависимое от авт. свидетельства ¹â€” иР
Ф.Ч, Кл. С Olb 31;04
Заявлено 15.111.1971 (№ 1031908.23-26) с присоединением заявки ¹â€”
Приоритет
Of?iб",èêîâàíî 22.Vill.1973. Б?ог?легень ¹ 34
Гасударстеенный комитет
Сонета Ыинистраа СССР па делам изобретений и открытий з ДК 621.039.546(088.8) Дата опубликования описания 28.ХП.)973
Авторы изобретения
M. А. Авдеенко и 11. В. Ларионов
Заявитель
СПОСОБ ОЧИСТКИ ГРАФИТОВЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание элемента в пробе, вес.,,, Место марганремн .ii, медь ! отбора пробы железо м?,ни;! пир
4?? зр магний х.ч и)?
3.10 * 1 10 1 10
;) Из объема
2.10
3-10
Проба от изделия, llзготовленного и з з а г0To B IC I I
ОЧ??ЩЕННОй I?0 !I3вестному способу
1 10
3.10
3 10
1 1Π—
5 10 7.10 3 10 !
5 10 8 10
С поверхности
5 10
3 10 — 51
<110 j<110 !..110 5 110" -1.10-" -.110;110
Из об.ьема
=-1 10
<1 10
Проба от изделия, очищенного ио пред ?агаемиму способу!
=1.10 !- 1 10!.110 -.1.10 110 "- 110
Споверхностп
- 1.1Î вЂ”
Изобретение GTHoclHTñÿ ?к технологии о ?истки графитовых надели"?, например тиглей, лодочек, используемых в пол!упр!Своди??ково?! технике !в условиях, пде неизбежен непосредственный конта?кт особо чистого расплава полупроводниковых материало!в с прафитоз?, Известен olloñof? оч!иcTIKiH прафитовых изделий для полупроводниковой техник и нагрев??нием !в среде инертного газа, затем,в смеси с галоидсодержащим газом с последующим охлаж!дениса? в восстано!вительной среде, например в углеродсо;?ержащей засыпке.
Повышение !ка1?ества очистьаи графитов,fx изде?аий обеспечивается тем, что процесс ох.,?аждени?! очищенных надел!ий ?ведут .в ваку, ме. При этом необходимо процесс нагревания и охлаждения вести iB раздельных объех???х, ITG позволяет устранить явление обратIIG: о загрязнс?и?я о«???ц и.,ых ??здс.Ill!I ??)?!??!з сС?!. !I l?, ВЫ,?C .. i !Iil. Ш(?llзf !iñ>1 и И)i! ??сссс ???IГPСВа:Illï.
Пример. Гра!ритсвый тигег?ь, предназначенный,?ля очистки, поз?еща?от в гера?ет?ически зчкрьлвающуюся камеру и нагревают в атмосфере гелия .до 1000 — 1100 c., а затем в смеси гелия с фреоном — 12 до темпе)?а?т )?!
10 .".400 . После выдержки при э?ой тех?!??сратуре в тече?ы с 0 л??!н фрео;? и . illil гсрс!крыBQIoT, очищснный тите.!ь пор!.носят il .?1?е)?у
G лажден?Iя, Где создают )зазря и:енl,с иoij?я,.?, ) ка 1 10 - ?!.?! рг, OT. Содсиж llllil If,. èi5?åoåll в
15 Огпп?цЕННО .!? I13.1Е,!!ill КОНтрО.???)1, IOI С;?ЕКт)>а.?ЬIIым анализом. Резуль.?аты; нзлиза приве гены в таблице.
Из таолицы видно, Гго содержа IHf. IlpимеceiI fi пРСОах, OTG0P2iiHIH. f Hç c 5 Нс !f2,fi с ве ркности издел ия, очи!цепного пред 12;2емы>м с!1тосооом, в 10 — 100 раз ниже, чем в про 2X, гилятЫХ От !!Здспцш, .ИЗГОТСВЛЕННЫК:13
О liffiffefllfbfx ГIО извест:leìó сиосоо, зжгoтовок, Кол!и!естг0 х.iîpà:è фтора Е3 î-Ièë2efiHCÿ по ирод.lаГяемому спОсОО иззел::!и сни I;eito:IÎ величины менее 1 10 — ieес. ;,.
Предмет изооретения
СHоссб очистки графитовык изделий для полупроводниковой текни!к!и путем нагре",2.1ця в феде инсртHcl 0 Гяза, а 2тем в смес!1 с l ал01lдсодержаи1им 1!!Зовl с Ilcc. ie !т 10гцll .. охлаждением, отличаютиийся тем, что, с це1!ь!О повышения качества о 1ис"..ы, охл а и дение ведут в вакууме.
С«шгавптслп В. Ларионов
Pc!!i!if i ор К. Шанаурова Тсхре.! T. Усковы Коррскiоры Л. Новожилова
Г. Михеева
3 а и:i; 3 1!14!/!! Иад, Л 1231 Т и и! /к 5 i, I П о i i i i i c i i (! 2
ЦНИИПИ Государственного комитета Совета й1!ин!!стров СССР по делам и"обретений и открытий
Москва, 5К-З5, Раушская наб., д. 4/5
Типография, пр. Сапунова, 2
