Патент ссср 403431

Авторы патента:

C30B25/14 - средства для подачи или выпуска газов; изменение потока реакционноспособных газов

ОПИСА ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

40343l

Союз Советских

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕПЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства ¹

Заявлено 30.1V.1971 (№ 1652525/23-26) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.Х.1973. Бюллетень;% 43

:"1. Кл. В 011 17/28

Государственный комитет

Совета Министров СССР аа делам изабретении и аткоытий

УДЕ. 621.315.592 (088.8) Дата опубликования описания 20.III.1974

Авторы изобретения

A. Г. Петрик, В. В. Селин и В. И. Бакуменко

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕН ИЯ

ПАРОГАЗОВОЙ СМЕСИ

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для испарения и получения парогазовых смесей различных летучих соединений, и может найти применение в технологии полупроводниковых материалов.

Известно устройство для получения парогазовой смеси, например, полупроводниковых материалов, содержащее испаритель и обогреваемые трубопроводы для подвода и отвода получаемой парогазовой смеси.

Недостатком испарителя является то, что получение гомогенных смесей с заданной концентрацией испаряемого вещества зависит от нескольких факторов: количества тепла, подводимого от нагревателя, количества залитой в сосуд жидкости, величины поверхности испарения, количества подаваемого газа и его температуры. Этот испаритель не предусматривает получение парогазовой смеси с определенной температурой перегрева. Поэтому затруднено регулирование и стабилизация состава смеси.

Цель изобретения вЂ” обеспечение однородности парогазовой смеси.

Для этого предложено испаритель выполнять в виде эжектора, соединенного с трубопроводами патрубками, причем патрубок расположен преимущественно тангенциально по отношению к трубопроводу.

На чертеже изображена схема устройства.

Оно содержит обогреваемый трубопровод 1 для подвода газа, эжектор 2 и обогреваемый трубопровод 3 для отвода газа. Эжектор соединен с трубопроводами патрубками 4 и 5.

5 Устройство работает следующим образом.

Газ подогревается в трубопроводе и смешиВается B эжекторе с дозир емым количеством испаряемого вещества. В обогреваемом трубопроводе образующаяся парогазовая смесь

10 подогревается до требуемой температуры. На выходе из трубопровода парогазовая смесь имеет однородньш состав.

15 Предмет изобретения

1. Устройство для получения парогазовой смеси, например, полупроводниковых материалов, содержащее испаритель и обогревае20 мые трубопроводы для подвода газа и отвода получаемой парогазовой смеси, отличающееся тем, что, с целью обеспечения однородности парогазовой смеси, испаритель выполнен в виде эжектора, соединенного с трубопровода25 ми патрубкамн.

2. Устройство по и. 1, отличающееся тем, что патрубок, соединяющий эжектор с трубопроводом для отвода парогазовой смеси, расположен тангенцпальпо по отношению к rpy30 бопроводу.

403431

Составитель А. Петрик

Техред Е. Борисова

Корректор E. Зимина

Редактор Н. Джираггтти

Типография, пр. Сапунова, 2

3;.каз 615 11 Изд. № 161 Тираж 678 По qt :снос

Ц11ИИПИ Государствен ого комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, К-35, Раушская наб., д. 4 5

Способ изготовления исходного поликристаллического кремния в виде пластин с большой площадью поверхности и камера для осаждения кремния // 2158324

Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния в процессе его осаждения из пара или парогазовой фазы силанов на нагретые основы

Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления // 2162117

Способ изготовления пластин и/или листов фольги анизотропного пиролитического нитрида бора, лист фольги, изготовленный этим способом, изделие из анизотропного пиролитического нитрида бора в виде пакета пластин и/или листов фольги и способ его получения // 2179204

Изобретение относится к технологии изготовления изделий из высокотемпературных диэлектрических, электроизоляционных материалов и технологии их получения методом химического осаждения из газовой фазы для изготовления различных деталей для СВЧ-техники и интегральных микросхем

Реактор для получения широких пластин исходного поликристаллического кремния // 2222648

Изобретение относится к получению полупроводниковых материалов и может быть использовано для производства исходного поликристаллического кремния осаждением на нагретые подложки (основы) в процессе водородного восстановления хлорсиланов или из газовой фазы моносилана

Устройство для подачи паров хлорида галлия при газофазном осаждении соединений а3в5 // 2311498

Изобретение относится к получению полупроводниковых соединений А3В5, используемых для изготовления подложек GaN, GaAs, GaP и др

Устройство для получения слоев из газовой фазы при пониженном давлении // 2324020

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии осаждения полупроводниковых, диэлектрических и металлических слоев при пониженном давлении

Устройство для выращивания кристаллов карбида кремния // 2341595

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов карбида кремния на подложках

Устройство для выращивания кристаллов // 2358044

Изобретение относится к конструкции устройств, специально предназначеных для выращивания кристаллов из газовой фазы путем химических реакций реакционноспособных газов

Cvd-реактор и способ синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии // 2394117

Изобретение относится к технологии производства гетероэпитаксиальных структур карбида кремния на кремнии, которые могут быть использованы в качестве подложек при изготовлении элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур

Способ выращивания кристаллов нитридов металлов iii группы // 2405867

Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых приборов путем нанесения полупроводниковых материалов на подложку и может быть использовано в полупроводниковой промышленности