Патент ссср 410458

Авторы патента:

G11C11/14 - тонкопленочных

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

4I0458

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 31.VI I.1972 (№ 182! 148/18-24) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 05.1.1974, Бюллетень № 1

Дата опубликования описания 14.V.1974

М. Кл. G 1lс 11/14

Государственный комитет

Совета й1иниотров СССР оо делам изобретений и открытий

УДК 681.327.3(088.8) Авторы изобретения

A. Д. Бех, В. В. Чериецкий, Б. И. Павлусь и Е. Г. Кратков

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР

Заявитель

МАГНИТОПЛЕНОЧНЪ|Й НАКОПИТЕЛЬ МАТРИЧНОГО ТИПА

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть применено при построении запоминающих устройств (ЗУ) на тонких магнитных пленках.

Запоминающие устройства на тонких магнитных пленках известны. Их недостатками являются большой разрядный ток и малая амплитуда считываемых сигналов.

В предложенном магнитопленочном накопителе эти недостатки устранены за счет того, что каждая пара шин одного разряда расположена над соответствующим запоминающим элементом.

На чертеже показан предложенный накопитель.

Магнитопленочный накопитель разделен на две идентичные части 1, каждая из которых содержит числовые шины 2, соединенные с формирователями адресных токов (на чертеже не указаны), разрядные шины 3 и 4, подключенные к разрядным формирователям 5 и усилителю считывания 6 и запоминающие элементы 7 и 8.

Запись информации в накопитель производится подачей импульса адресного тока в числовую шину 2 и разнополярных импульсов тока записи в разрядные шины 3 и 4 от формирователей 5. Положительный импульс тока в шине 4 создает такое же направление намагниченности запоминающих элементов 7 и 8, как и отрицательный импульс разрядного то ка, поступающий в шину 3. Направление намагниченности запоминающих элементов 7 противоположно направлению намагниченности элементов 8. Напряженность магнитного поля, достаточная для переключения запоминающих элементов 7 и 8, создается в результате действия разрядных токов в шинах 3 и

4. Поэтому величина разрядного тока вдвое

10 меньше тока переключения запоминающего элемента. Изменение направления намагниченности запоминающих элементов производится изменением полярности токов на противоположную в шинах 3 и 4.

1S Ток считывания, поданный в числовую шину

2, создает магнитное поле, устанавливающее намагниченность запоминающих элементов 8 и 7, параллельно разрядным шинам. В момент поворота вектора намагниченности запомина2о ющего элемента 7 на шинах 4 и 3 возникают разнополярные сигналы, которые складываются с индуцированными сигналами в результате переключения запоминающих элементов 8.

К противоположным плечам усилителя считы25 вания 6 одновременно прикладываются, таким образом, два сигнала противоположной полярности удвоенной амплитуды.

Одновременно с полезными сигналами ток считывания создает на разрядных шинах 4 и зо 3 импульсы напряжения помехи, которые не

4I0458

Предмет изобретения

Составитель В. Гордоиова

Техред Е. Борисова

Корректор 3. Тарасова

Редактор Т. Орловская

Заказ 1049/11 Изд. № 355 Тираж 591 Подписное

ЦНИИПИ Государствеш.ого комитета Совета Министров СССР по делам изобрете шй и открьгпш1

Москва, )I(-35, Раугпская наб., 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 усиливаются усилителем считывания, так как они имеют одинаковую полярность, В схеме запоминающего устройства обеспечена компенсация разрядных помех, действующих на входы усилителя считывания при работе формирователей тока записи 5. Импульсы любой полярности, создаваемые этими формирователями, вычитаются на выходе усилителя считывания 6, поскольку они одновременно действуют на разные его плечи.

Таким образом, в предложенной схеме достигается уменьшение вдвое величины разрядного тока записи и увеличение вчетверо амплитуды сигналов считывания.

Магнитопленочный накопитель матричного типа, содержащий токопроводящее основание

5 с расположенными на нем запоминающими элементами и числовыми и разрядными шинами, причем разрядные шины выполнены из двух токопроводящих полос на каждый разряд, отличающийся тем, что, с целью

10 уменьшения разрядного тока и увеличения амплитуды считанных сигналов, каждая пара шин одного разряда расположена над соответствующими запоминающими элементами.

Похожие патенты:

Патент 410457 // 410457

Патент 410456 // 410456

Запоминающее устройство на тонких л1агкитных // 404131

Способ записи и считывания информации в тонкоплеиочпом магнитном накопителе // 404130

Патент 402942 // 402942

Способ изготовления запол1инающей матрицы // 397968

Станок для плетения обмоток матриц накопителя на цилиндрических магнитных пленках // 395911

Элемент памяти // 394849

Устройство для контроля стержней, покрытых ферромагнитной пленкой // 385320

Запоминающая матрица // 382145

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)