Устройство для отклонения пучка электромагнитного излучения

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

< >4700)8

Союз Соеетскнх

Соцнвлнстнческнх

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву— (22) Заявлено 08.02.74 (21) 1993472/26-25 (5!) М. Кл. Н 01j 31/50 с присоединением заявки— (23) Приоритет—

Опубликовано 05,05.75. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 17.11.75

Государственный комитет

Совета Мнннстров СССР по делам нэобретеннй н открытий (53) УДК 535.3 (088.8) (72) Авторы изобретения

Н. А. Гусак и В. Е. Лепарский

Ордена Трудового Красного Знамени институт физики

АН Белорусской CCP (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОТКЛОНЕНИЯ ПУЧКА

ЭЛ ЕКТРОМАГН ИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ (2) R=Ji2 R,.

Изобретение относится к устройствам, применяемым в квантовой электронике, физической оптике, локационных и телевизионных системах и вычислительной технике.

В настоящее время для управляемого отклонения светового пучка от первоначального направления и спользуют электрооптический кристалл, в котором создают неоднородное элекгрическое поле за счет приложения разности потенциалов к электродам. Последние имеют четыре цилин|дрических поверхности, причем все направляющие этих поверхностей — равнобочные гиперболы.

Создаваемое квадр упольное поле обеспечивает постоянство градиента показателя преломления п и вызывает отклонение линейно поляризованного луча, распространяющегося в направлении оси Y.

Недостаток известного устройства состоит в том, что оно содержит четыре электрода.

С целью упрощения отклоняющего устройства в нем используется два электрода, один из которых представляет собой две пересекающиеся плоскости а другой имеет цилиндрическую поверхность, направляющая которой является ветвью гиперболы (Z - -, R, )""- -— — у"- = 2Я,"-, 5 =j где е;, е; — диэлектрические проницаемости кристалла вдоль главных осей на частоте управляющего поля, величина Rp связана с расстоянием R от линии пересечения плоскостей до вершины гиперболы соотношением:

15 Такая геометрия электродов обеспечивает постоянство градиента показатечя преломления и направленность его вдоль оси Z. .Поперечный к первоначальному направлению луча разрез электрооптического кристал2о ла (плоскость YZ) с нанесенными на него электродами представлен на чертеже.

Пересечение электрода 1 плоскостью YZ представляет собой две прямые линии, а направляющая цилиндрической поверхности есть ветвь гиперболы, описываемой уравнением (2), поскольку распределение потенциала электрического поля в кристалле, которое обеспечивает постоянство градиента показаЗ0 теля преломления, направленность его вдоль

4700! 8 где-;ие;—

Составитель Н. Ефремова

Тех ред Т, Миронова

Редактор Т. Орловская

Корректор В. Гутман

Заказ 999/1421 Изд. . и 850 Тираж 833 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, jK-35, Раушская наб., д. 4/5

Тнп. Харьк. фнл. пред. «Патент»

Z и, . следовате.л ьно, .отклонение луч: вдоль

Z, описывается уравнением где gp — разность потенциалов, пр;Iêëàäûçàåмых к электродам.

Линейно поляризованное излуче1:1е падает на кристалл вдоль оси Х. HB электрод

1 подается напряжение, например, с положительным потенциалом, а на электрод 2 — с отрицательным потенциалом. Создаваемое неоднородное поле в кристалле обеспечивает постоянство градиента показателя преломления, направленность его по оси Z:и вызывает отклонение луча в том же направлении. Изменение полярности подаваемого на электрод напряжения приводит к отклонению луча в противоположном направлении на такой же угол.

Предмет изобретения

Устройство для отклонения пучка электро.!аг!нитного излучения под воздействием неодноро-,íîãî электрического поля, содержащее электрооптический кристалл, одна из главных осей которого Х„перпендикулярна оптической оси устройства, отличающееся тем, что, с целью упрощения конструкции устройства, оно содержит два электрода, од!!И из которых представляет собой две пересе1 а1ощиecs плос! .Ости, прОходя!цие через Осп

1О выполнсн в виде цилиндрической поверхности с направляющей в форме ветви гиперболы с

Г эксцентриситетом,, +

=j

2-0 диэлектрические проницаемости кристалла вдоль главных осей Х; и Х;;

Z — переменная координата по оси Х;; у— переменная координата по оси Х!ь перпендикулярной оси Х; и оптической оси устройства.