Способ производства гофрированных профилей

 

СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ГОФРИРОВАННЫХ ПРОФИЛЕЙ, предусматривающий формовку профиля последовательно по , участкам, начиная с центрального гофра, с переходом к периферийным участкам, и последующую осадку, о тличающийся тем, что, с целью улучшения качества профилей, формовку периферийных гофров производят одновременно с осадкой уже отформованных центральных.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„„Я0„„474185

3(5)) B 21 D 13/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

ОЛИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ н авто скоюм свидкт льстам (21) 1948162/25-27 (22) 25.07.73 (46) 23,10.83. Бюл. 11 39 (72) И.С.Тришевски", Я,В.Хижняков, Э.С.Дахновский, Д.Н.Икарлат, А.А,Ситарчук и Ю.Д.Рогачев (71) Украинский научно-исследователь" ский институт металлов (53) 621.981,3(088.8) (54)(57) СПОСОБ ПРОИЗВОДСТВА ГОФРИP0BAHHhIX ПРОФИЛЕЙ, предусматривающий формовку профиля последовательно по участкам, начиная с центрального гофра, с переходом к периферийным участкам, и последующую осадку, о т" .л и чающий с я тем, что, с целью улучшения качества профилей, формовку периферийных гофров производят одновременно с осадкой уже отформованных центральных.

474185

Изобретение относится к области обработки металлов давлением, в част" ности к производству гофрированных профилей на профилегибочных станах.

Известен способ производства гофрированных профилей, предусматриваю" щий формовку профиля последовательно по участкам, начиная с центрального гофра с переходом к периферийным участкам, и последующую осадку. 10

Основным недостатком этого способа является то, что размеры гофров готовых профилей нестабильны по ширине ввиду прогиба рабочих валков.

Целью изобретения является улуч- !5 шение качества профилей. Для этого по предложенному способу формовку периферийных гофров ведут одновременно с осадкой уже отформованных центральных. 20

На фиг.1 показано производство гофрированных профилей известным способом осадки волнистой заготовки;на фиг.2 - то же, по предлагаемому способу. 25

На фиг.1-1-8 - клети, формующие волнистую заготовку, 9-12 - клети, осаживающие волнистую заготовку в трапециевидный профиль; и - глубина гофров.

На фиг.2 - 1-2 клети, формующие центральную волну; 3-8 - клети, формуиМцие волны и одновременно осаживающие волнистую заготовку в трапециевидный профиль, 9- ll - клети, осаживающие крайние волны в трапециевидный профиль. 1

А.Б, 6 - индексы волн (гофров);

i; - глубина гофров.

Для осуществления предложенного способа после отформовки центральной волны A в клетях 1 и 2 (см.фиг.2) производят ее осадку в клетях 3, 4 одновременно с формовкой в этих же клетях соседних волн Б. После отформовки волн Б в клетях 3, 4 производят их осадку в клетях 5-6 одновременно с формовкой соседних волн 8 и т.д, В результате в клети 8, где по старой технологии будет окончательно сформована волнистая заготовка, по предлагаемой технологии центральная группа гофров будет отформована до конфигурации готового профиля. Оставшиеся два крайних гофра могут быть сформованы в трех осадочных клетях (см.фиг.2, клети 9- 11> что по условиям нагрузок на стан по старой технологии с осадкой всех волн одновременно требовало бы не менее четырех клетей (см,фиг. 1, клети 9- 12).

Кроме того, за счет равномерного распределения нагрузок на стан размеры глубины гофров h по ширине готового профиля, изготовленных по предлагаемой технологии (см.фиг.2 ), будут более стабильны по ширине, чем в случае одновременной осадки (см. фиг.1). Аналогичную операцию (осадку и формовку ) можно производить не с одной волной, а и с группой:, состоящей из двух и более волн, осаживая группу волн, и одновременно формовать соседние волны.