Устройство для измерения времени рассасывания транзисторов

 

о и Й.&:А-:-:н-"-и в

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советских

Социалистических

Республик (1 1) 489050 (61) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заявлено 03.05.72(21) 1780451/26-25 (51) М л 01г З1/26 с присоединением заявки № (23) Приоритет. Гввудврстввнный нвмнтвт

6ввата Мннввтрвв СЫР вв двввм нввврвтвннв н втнритнй

Опубликоваво25.10.75.Бюллетень № 39

Дата опубликования описания 17.01.76 (ЬЗ) УДК 621.382.2 (088.8) (72) Автори изобретения

В. И. Кириллов и Н. И. Шатило (71) Заявитель

Минский радиотехнический институт (54) .УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ РАССАСЫВАНИЯ

ТР АНЗИСТОРОВ

Известное устройство содержит блок формирования испытательных сигналов, источ» ник питания и блок оценки результатов.

В известном устройстве измерение вре мени рассасывания транзистора 1 осно26

P&C вано на непосредственном измерении длительности уменьшения коллекторного тока транзистор 1 при подаче в базу периода запипаюшего тока. М

Это достигается тем, что б.г ок формктх вания испытательного сигнала выполнен в виде кольпевого генератора, состояшего из однотипных логических схем, И-ИЛИ-НЕ, в одну из которых включен нспь:туемый тран эистор, и способного изменять период сг.сих

I колебаний прямо пролорпионально времени рассасывания транзистора, а блоком опенки

Изобретение относится к области радиотехнических измерений элементов радиоап:паратуры, а именно транзисторов, широко сиспользуемых в радиотехнических. устройст вах различного назначения, и может быть использовано, например, з установках вы,ходного : технологического контроля на предприятиях, нзготавливаюших транзистор>I ры в дискретном и микросхемном исполне нии, на:предприятиях-потребителях трек» щ эисторов в установках входного контроля, а также в научно-исследовательских лабо раториях при разработке импульсных схем на транзисторах.

В известном устройств. при измерении времени рассасывания транзисторов, например, поря;.ка 10 нсек и меньше формнрова ние подаваемого в базу транзистора перепада тока с очень малой длительностью перед него фронта сложно. Например, для измерения L с погрешностью не хуже 10% рас длительность переднего фронта перепада должна быть меньше 1 нсек. Однако обеспечить ,формирование перепадов базового тока в транзис горе с такими параметрами невозможно.

Oem изобретения - упростить устройство для измерения времени рассасывания транзис горов, повысить точность измерений и уменьши.гь его габариты и стоимость.

4е9О5О 4

Испытуемый транзистор является сменным элементом логической схемы И-ИЛИНЕ, в которой в качестве входных диодов

Д использовалась ьиодная сборка типа вх \» 5

2П173 микросхем серии 217, а в качеств ве смешающего диода Д диод КД401Б. см

Время рассасывания измерялось известным х способом с использованием стробоскопн19 ческого осциллографа С1-39 и импульсного генератора типа Г5-19, а период колебаний кольцевого генератора измерялся цифровым частотомером 43-40. Резуль- таты экспериментов с высокой точностью, I 15 подтверждают правильность соотношения (2-) результатов измерения является устройство измерения периода. колебаний, например частотомер, подключенный к выходу одной из логических схем.

На фиг. 1 показана блок-схема устройс ва иа фиг. 2 логическая схема И-ИЛИ, НЕ с испытуемым транзистором.

Блок формирования испытательных сигналов выполнен в виде генератора импульснь колебаний, состояшего из замкнутой в кольцо цепочки:однотипных логических схем ИИЛИ НЕ 1 (кольцевой генератор) и логи чаской схемы 2, в которой испытуемый транзистор является сменным элементом.

Кольцевой генератор подключен к измерителю периодов электрических колебаний 3.

При включении испытуемого транзистора в одну иэ логических схем И-ИЛИ-НЕ кольцевого гейератора a последнем возникают импульсные колебания, период следо- щ вания которых определяется суммой времени задержки распространения информации в каждой логической схеме, .Можно показать, что при правильно выбранных электрических параметрах логической схемы, время восста-;25 новления обратного сопротивления входного диода А;по крайней. мере в 3-5 раз вх меньше, а смешающего диода Д - в см

3-5 раз больше, чем время рассасывания 30 испытуемого транзистора Т . Время задержки распространения информации в логической, ! схеме с испытуемым транзистором при переходе выходного напряжения из одного логическо состояния ("Лог,O") вдругое ("Лог.1 ) 2 Of, с р, оказывается прямо пропорциональным ремени рассасывания транзистора T м « +д

i ée ОС, и Д8 постоянные коэффициенты.

В свою очередь, время задержки распространения информации g в кольцевом

of генераторе определяется следуюшим образом: где „ э - частота кольцевого генератора при коротком замыкании между входом и выходом логической схемы с испытуемым тран-. зистором; fg - частота кольцевого генера- тора при нормальном включении логической схемы, содержащей испытуемый транзистор.

Следовательно, при выполнении указанных выше условий время рассасывания транэисто-I ра 7 может быть определено нэ выражения

Ф.,— "„-и-=-. (— + -А -.О) (г) " в результате двух измерений частоты (периода) колебаний кольцевого генератора.

j в

Для калибровки предлагаемого устройства, т.е. для определения постоянных коэффициентов 0 и М 8, входящих в основное выражение (2), достаточно измерить частоту колебаний кольцевого генератора

У

r увФ и „ при включении двух тран / зисторов с известными значениями рас и, определяемы с по оговоренной рас в ТУ методике.

Погрешность иэи фения 8 предларас гаемым устройством определяется погрешностью собственного измерительного уст ройства, которая в диапазоне значений ,® 10-50 нсек ие хуже 0,5-1%, рас и погрешностью калибровки.

Формула изобретения

Устройство для измерения времени рассасывания транзисторов, содержашее блок формирования испытательных сигналов, источник питания, блох оценки результатов, о т л и ч а ю m е е с я тем, что, с целью повышения точности измерений и упрошения измерительного устройства, блок формирования испытательного сигнала выполнен в виде кольцевого генератора, состояшего нэ однотипных логических схем

И-ИЛИ-НЕ„причем выход последней логической схемы через диодный переключатель тока соединен с контактом для базы испытуемого транзистора, а контакт для коллектора соединен со входом первой логической схемы кольцевого генератора и через эталонное сопротивление - с источником питания, при этом блоком оценки результатов измерения является частотомер, подключенный к выходу одной иэ логических схем.

489050 авиа 2

Составитель В. Авдонин

Редактор О. Стенина Техред,Я. Лещщкаи Корректор jH. Бабурка

) ,Зак&э 1 1 59 Тираж 902 Подписное

БНИИПИ Государствеинотъ комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж35, Раушскаа наб., д,4/5 ф ППП П, . У род, у . Гр, 101