Однокомпонентный датчик градиента магнитного поля

 

1.1) 495622

Со1оз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свпд-ву (22) Заявлено 15.07.74 (21) 2046143 26-21 (51) М. Кл. 6 01г 33, 06 с присоединением заявки М

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

OIëблпковано 15.12.75. Бюллетень ¹ 46 (53) УДК 621,317.4 (088.8) Дата опубликования описания 03.03.76 (72) Автор изобретения

В. С. Егоров (71) Заявитель (54) ОДНОКОМПОНЕНТНЫИ ДАТЧИК ГРАДИЕНТА

МАГНИТНОГО ПОЛЯ

Изобретение относится к области магнитных измерений и может быть использовано для измерения локальных градиентов магнитного поля, в частности при исследовании доменной структуры.

Известен датчик градиента магнитного поля, содержащий подложку с полупроводниковым элементом.

Однако, такой датчик имеет достаточно высокий нулевой сигнал, порождаемый неодинаковостью датчиков, и достаточно»алую разрешающую способность.

Целью изобретения является уменьшение нулевого сигнала и увеличение разрешающей способности.

Поставленная цель достигается с помощью того, что полупроводниковый элемент предлагаемого датчика имеет Н-образную форму.

На че р1теже представлена схема предлагаемого датчика.

Датчик состоит из подложки 1, на которой расположен полупроводниковый элемент 2, имеющ11й Н-сбразную форму. с токовыми электродами 3 и выходными электродамп 4.

Датчик работает следующим образом.

При помещен1:и датчика в исследуемое

5 маг1:итное поле:1а боковых гранях его половин появляется э. д. с. Холла. Если через половины датчика протекают встречные токи, то на выходных электродах 4 элемента 2 появляется э.д. с., пропорциональная градиенту

10 магнитного поля. Так как датчик изготавливаcò0ÿ 113 ОднОГО кp IIсталла В едп110ы те HОлогическом цикле, то нулевой сигнал его минимален.

Формула изобретения

Однокомпонснтный датчик градиента маг1-. "и т и 0 Г О и О л я . с 0 д е р ж ". щ11 и и О д л О ж и v 0 II 0;I проводниковым элементом, 0 тл и ч а ю щ и йся тем, что, с целью уменьшения нулевого

20 cèï.àëà и увеличения разрешающей способности, полупроводниковый элемент имеет

H-образную форму.

495622

Со тавитсль Е. Измайлов

Техред Е. Митрофанова

Редактор И. Шубина

Корректор Е. Хмелева

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 302, 18 Изд. М 2048 Тираж 902 Подписное

Ц1-1ИИПИ Государственног» комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, 5К-35, Раугиская наб., д. 4 5