Преобразователь изображения

 

ОПИСAНИЕ БВ786

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскик

Сониалистическнх

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 07.06.74 (21) 2031468!25 с присоединением, заявки № (23) Приоритет (51) М. Кл 2 H 01J 31/50

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР (53) УДК 621.383.811 (088.8) ло делам иаойретений Опубликовано 30.06.76. Бюллетень № 24 и открытий

Дата опубликования описания 21.07.76 (72) Авторы изобретения (71) Заявители

10. E. Гордиенко, И. T. Чужиков, В. И. Булах и Л. Э. Цырлин

Харьковский институт радиоэлектроники и Всесоюзный научно-исследовательский институт электроннолучевых приборов (54) ПPЕОБРАЗОВАТЕЛb ИЗОБРА)КЕН ИЯ

Изобретение относится к преобразователям изображения, а именно к электролюминесцентным преобразователям изображения с управляющим электродом.

Известны преобразователи изображения с управляющей сеткой, в которых в фотопроводящий слой введен дополнительный управляющий электрод в виде мелкоструктурной сетки, которая позволяет свободно изменять рабочие характеристики преобразователя и значительно расширить возможности его применения (1), Такой преобразователь имеет ограниченные область спектральной чувствительности, разрешающую способность и динамический диапазон в результате того, что управляющая сетка, размещенная внутри фоточувствительного слоя, оказывает шунтирующее действие на фотопроводннк.

Наиболее близким аналогом предлагаемого устройства является преобразователь изображения, содержащий источник питания и приемник излучения, выполненный на стеклометаллической планшайбе с фотопроводящим слоем на ее входном торце, с управляющей сеткой, проводящими элементами, электролюминесцентным слоем и прозрачным электродом на выходном торце (2J

Целью изобретения является увеличение разрешающей способности и динамического диапазона преобразователя.

С этой целью между выходным торцом планшайбы и проводящими элементами устройства размещены последовательно резистпвный слой и диэлектрический слой, а между управляющей сеткой и прозрачным электродом подключен источник постоянного нанряжения.

На фиг, 1 показана конструк!Ièя прсдл lrасмого преобразователя; на фиг. 2 — электрическая схема.

Преобразователь содержит фотопроводящий слой 1, внешний проводящий слой 2 коаксиальных элементов планшайбы, внутренние стержни 3 коаксиальных элементов;

15 стекло 4, проводящую управляющую сетку 5, резистивный слой 6, электроизолирующий слой 7, проводящие элементы 8, электролюминесцентный слой 9 и прозрачный электрод 10.

Все элементарные ячейки преобразователя

20 включены в мостовую схему, в одно из плеч которой подключено ф ото сопротивление в другое — резистивный слой Йр, в третье— источник питания Uq, в четвертое — источник постоянного тока У„, а в диагональ мо25 ста — электролюминесцентный слой R;а.

Благодаря размещению электроизолирующего слоя между резистивным слоем ипроводящими элементами мозаики устраняется возможность растекания потенциального релье30 фа между соседними элементами и, следова519786 тельно, обеспечивается высокая разрешающая способность преобразователя. В предлагаемой конструкции независимо от значения сопротивления резистивного слоя растекание потенциального рельефа между соседними элементами практически отсутствует, так как линии токов в резистивном слое, идущие от внутреннего стержня каждого элемента, замыкаются на прилегающем к данному элементу соответствующем электроде управляющей сетки 5. Таким образом, величина сопротивления резистивного слоя должна выбираться из условия получения максимального изменения яркости свечения экрана при данном изменении облученности приемника.

Предложенная конструкция преобразователя допускает использование как высокоомных, так и низкоомных по сравнению с электролюминофором фотопроводников, а сопротивление резистивного слоя для обеспечения максимального изменения яркости свечения экрана при данном изменении облученности приемника выбирается близким по величине к сопротивлению фотопроводящего слоя.

Благодаря тому, что обеспечивается эффективное преобразование свет — сигнал и в случае, когда R@«R>., предлагаемая конструкция может быть особенно эффективной для создания преобразователей, чувствительных в инфракрасной области спектра.

Преобразователь изображения с управляющим электродом работает следующим образом.

При отсутствии падающего излучения для возможности работы электролюминофора в области максимальной крутизны вольт-яркостной характеристики электролюминофора путем изменения величины и знака напряжения источников питания U> и U> подбирается оптимальное смещение на фотопроводящем и электролюминесцентном слоях. Когда преобразуемое изображение проектируется на входное окно, сопротивление фоточувствительного элемента уменьшается за счет продольной фотопроводи мости в соответствии с распределением интенсивности падающего излучения. Это приводит к возрастанию напряжения на прилегающем к данному элементу участке электролюминофора и увеличению интенсивности его свечения в соответствии с энергетической яркостью преобразуемого изображения.

Формула изобретения

Преобразователь изображения с управляющим электродом, содержащий источник питания и приемник излучения, выполненный на

20 стеклометаллической планшайбе с фотопроводящим слоем на ее входном торце, с управляющей сеткой, проводящими элементами, электролюминесцентным слоем и прозрачным электродом на выходном торце, о т л и ч а ю25 щийся тем, что, с целью увеличения разрешающей способности и динамического диапазона работы, между выходным торцом планшайбы и проводящими элементами последовательно размещены резистивный слой и ди30 электрический слой, а между управляющей сеткой и прозрачным электродом подключен источник постоянного напряжения.

Источники информации, принятые во вни35 мание при экспертизе:

1. Деркач В. и др. Электролюминесцентные устройства, Киев, «Наукова думка», 1968, стр. 221.

2. Авт. св. СССР М 458296, кл. Н 01J 31/50, 40 1972.

519786

8 Я rO аг 1

5 6 7

Фиг 2

Составитель Я. Герчиков

Техред A. Камышникова

Корректор Л. Брахнина

Редактор Т. Рыбалова

Типография, »р. Сапунова, 2

Заказ 1515/9 Изд. № 1441 Тираж 963 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, М(-35, Раушская наб., д. 4(5