Способ фотолитографии

 

«i) б бВЗ.a

ЧЗОБ@PTEН R

Союз Советских

Социалистических

Республик (б1) Дополнительное к авт. саид-ву (22) Заяв.".ено14.03 75 (2)) 211714= i 04 с присоединением заявки М (23) Приоритет (43) Опубликовано 25.08.76. Бюллетень № 31 (45) Дата опубликования описания 13.12.76 (51) М Кл

603 С 5/-+8

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 621.382. .022 (088.8) (72) Авторы И.А. Фокина, Б.М. Аюпов, E.Ï. Фокин и Н.П. Желнова изобретения

c °

Институт неорганической химии Сибирского отделения (71) Заявитель

АН СССР .-4 (54) СПОСОБ ФОТОЛИТОГРАФИИ

Изобретение относится с электронному приборостроению, преимущественно к изготовлению микроэлектронных приборов и может быть использовано для проведения фотолитографического процесса непосредственно на пленках нитрида кремния, используемого в электронных и оптических приборах.

Известен способ фотолитографии на пленке нитрида крез..ноя, включающий нанесение на нее пленки металлов или диэлектриков, получение рельефа на фоторезисторе, травление открытых участков диэлектрических слоев, вскрытие и удаление фоторезистора (1), Недостатками известного способа являет— !

5 ся сложность технологического процесса, не— высокий процент выхода годных приборов на стадии фотолитографии из-за неполного стравливания пленок нитрида кремния в о-фосфорной кислоте (180оС).

Целью изэбретения является улучшение качества пленок и упрощение процесса фотоли— тографии.

Для этого фоторезист наносят непосредственно на пленку нитрида кремния и электро2 химически локально переводят нитрид кремния в дву окись кремния.

Пример . На кремниевую пластину с пленкой нитрида кремния, центрпфугпрованием наносят слой фоторезиста группы ФСН

1фотэрезисты негативные) . Пленку фоторезистэра сушат на вэздухе дэ этлипания { "1 5 мин), 15 мин в сушильнэм шкафу при 65эС и экспонируют на кадрэпрэектэре "Горизонт или "ЛЭТИ" при эсвещеннэстп 50 000 люкс в течение 1-2 лин. В сушильном шкафу при температуре 98 С проводят термообработку и проявляют в изо-пропиловом спирте в течение 1-2 мин. Задубливают э в сушильном шкафу в течение 1 ч при 170 С и травят в растворе, состоящем из одной части пирофосфорной кислоты и десяти частей тетрагидрофурфурилового спирта, Проводят электрохимическое окисление открыть|х участков нитрида кремния при постоянном токе, плотностью 10 мА/см2. Образец является анодом. После пяти ми ну тной обр аботки образец промывают в деионизованной воде и травят в буферном травителе (9 мл 48%ной фтористоводородной кислоты, 30 г фто525918

Составитель В. Матросов

Редактор В, Дибобес Техред Н. Андрейчук КоРРектоР В. Микита

Заказ 5149, Тираж 575 Подписное

Изд. K 475

UHHHfIH Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

Москва, !13035, Раушская наб., 4

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4 ристого аммония, 60 мл воды). Если пленка нитрида кремния стравилась неполностью, электрохимическое окисление повторяют. Процесс длится не более 40 мин.

Способ позволяет сократить число технологических операций при производстве приборов, исключить высокотемпературные операции при 7 00-800о С и 1 80 С, повысить выход годных приборов исключением контак— та пленки нитрида кремния с кислотой, который приводит к появлению в нитриде кремния сквозных отверстий.

Формула изобретения

Способ фотолитографии на пленках нитрида кремния путем получения рельефа на фото5 резисторе, травления открытых участков диэлектрических слоев и удаления фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и упрощения процесса, фоторезист наносят непосредствен39 но на пленку нитрида кремния и электрохимически локально переводят нитрид кремния в двуокись кремния,