Разностный элемент управления

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

00 528696

Йовз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свпд-ву 500599 (22) Заявлено 09.01.74 (21) 1989658/24 (51) Ч. Кл."- Н 03К 5/02 с присоединением заявки ¹

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (23) Приоритет

Опубликовано 15.09.76. Бюллетень № 34

Дата опубликования описания 08.09.76 (53) УДК 681.325(088.8) (72) Авторы изобретения

С. А. Бирюков и И. В. Ханова (71) Заявитель (54) РАЗНОСТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ УПРАВЛЕНИЯ

Изобретение относится к усилительной технике, в частности к формирователям импульсов напряжения, и может быть использовано в вычислительных машинах.

Одно из известных устройств аналогичного назначения содержит транзистор, между эмиттером и коллектором которого подключен диод (1). Это устройство потребляет сравнительно большую мощность при формировании импульса напряжения. Наиболее близким по схеме и аналогичным по назначению является разностный элемент управления, содержащий входной и выходной транзисторы, цепочку диодов, а также диод, включенный между базой входного транзистора и катодом одного из диодов цепочки (2). Однако это устройство потребляет значительную мощность.

Целью изобретения является снижение потребляемой мощности.

В предложенном разностном элементе управления это достигается тем, что в него введен диод, включенный между эмиттером и коллектором входного транзистора.

На чертеже показана схема предложенного элемента.

Он содержит входной транзистор 1, выходной транзистор 2, цепочку диодов 3, 4, 5 и 6, диод 7, резисторы 8, 9, 10 и 11, входную 12 и выходную 13 клеммы.

При низком потенциале на входной клемме

12 входной транзистор 1 открыт, выходной транзистор 2 закрыт и на выходной клемме

13 — высокий потенциал. При подаче положи5 тельного фронта на входную клемму 12 транзистор 1 запирается, за счет прохождения входного сигнала через емкость эмнттерного перехода транзистора 1 диод 6 отпирается и напряжение на базе транзистора 1 фиксирует10 ся на уровне падения напряжения на диодах

3, 4 и 5. Емкость коллекторного перехода входного транзистора 1 заряжается входным сигналом через открывшийся диод 7, выходной транзистор 2 заперт и на вь1ходной клем15 ме 13 — по-прежнему высокий потенциал.

Прн подаче отрицательного фронта напряжение на базе входного транзистора 1 за счет заряженных емкостеи эмиттерного и коллекторного перехода снижается, и транзистор 1

20 остается запертым, а выходной транзистор 2 открывается и на выходной клемме 13 напряжение снижается почти до нуля.

Длительность формируемого выходного им25 пульса определяется временем, в течение которого выходной транзистор 2 остается включенным, а оно в свою очередь определяется временем, в течение которого входной транзистор 1 — заперт. зависящим от начального на30 пряжения на базе входного транзистора 1.

528696

Составитель И. Шелипова

Текред Е. Подурушина

Редактор Л. Тюрина

Корректор А. Дзесова

Заказ 1964/13 Изд. № 1587 Тираж 1029 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, К-35, Раушская наб., д. 4, 5

Типография, пр. Сапунова, 2

Начальное напряжение на базе входного транзистора 1 зависит от напряжений, до которых заряжаются емкости коллекторного и эмиттерного перехода входного транзистора 1 во время действия положительного импульса на входной клемме 12.

Емкость коллекторного перехода входного транзистора 1 заряжается током входного сигнала через диод 7, благодаря чему напряжение, до которого она заряжается, определяется только амплитудой входного сигнала и не зависит от параметра элементов схемы.

Потребляемая мощность значительно уменьшается за счет увеличения величины резистора 10, так как его величина не влияет на напряжение заряда емкости коллекторного пе4 рехода входного транзистора 1, которая заряжается через диод 7.

Формула изобретения

Разностный элемент управления по авт. св.

500599, о тл и ч а ю щи и ся тем, что, с целью уменьшения потребляемой мощности, в него введен диод, включенный между эмиттером и коллектором входного транзистора.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Косов О. А. Усилители мощности на транзисторах в режиме переключений. М., Энер15 гия, 1971, с. 59 — 62, рис. 2 — 5.

2. Авт. св. № 500599, Ч. Кл. Н ОЗК 5)02, 1974.