Запоминающая матрица

 

(i>) 533986

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 27.01.75 (21) 2099908/24 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 30.10.76. Бюллетень № 40

Дата опубликования описания 21.10.76 (51) М. Кл. G 11C 11/14

Государственный комитет

Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий (53) УДК 681.327.66 (088.8) (72) Авторы изобретения Ю. В. Остапенко, В. А. Степанов, В. В. Головатенко, Б. Д. Яценко и Ю. П. Панев

Ордена Ленина институт кибернетики АН Украинской ССР (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩАЯ МАТРИЦА

Формула изобретения

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении запоминающих устройств.

Известна запоминающая матрица, содержащая разрядные проводники с ферромагнитной пленкой и адресные проводники, отделенные от разрядных проводников зажимом-разделителем (1). Недостатком этой матрицы является невозможность ее миниатюризации.

Наиболее близкой по технической сущности к изобретению является запоминающая матрица, которая содержит разрядные проводники с ферромагнитной пленкой, установленные в одной плоскости параллельно друг другу, и адресные проводники, расположенные перпендикулярно к разрядным проводникам и разделенные киперами (2).

Такая матрица характеризуется малой технологичностью.

Цель изобретения — повышение технологичности запоминающей матрицы.

Это достигается тем, что в предлагаемую запоминающую матрицу введены гофрированные листы изоляционного материала, образующие в одной плоскости параллельные друг другу трубчатые отверстия, в которых расположены разрядные проводники с ферромагнитной пленкой, адресные проводники и магнитные киперы расположены на внешней поверхности гофрированных листов изоляционного материала.

На фиг. 1 показана предлагаемая запоминающая матрица; на фиг. 2 — сечение по А — А на фиг. 1; на фиг. 3 — матрица в разрезе; на фиг. 4 — то же, общий вид.

Запоминающая матрица содержит разрядные проводники 1 с ферромагнитной пленкой

2, помещенные в расположенные в одной плоскости параллельно друг другу трубчатые отверстия, образованные гофрированными листами 3 изоляционного материала, склеенными в местах 4 соприкосновения. На внешней поверхности гофрированных листов изоляционного материала расположены адресные проводники 5 и магнитные киперы 6.

15 Применение гофрированных листов изоляционного материала повышает технологичность матрицы: упрощаются укладка и замена разрядных проводников, укладка адресных проводников и киперов, отпадает необходи2О мость в установке перемычек между адресными проводниками, т. е. улучшается качество матрицы и снижаются затраты на ее изготовление.

Запоминающая матрица, содержащая разрядные проводники с ферромагнитной пленкой, расположенные в одной плоскости парал30 лельно друг другу, и адресные проводники, расположенные перпендикулярно к разрядным

533986

У

Ф

Фиг. (A-А

Составитель Ю, Розенталь

Редактор Т. Рыбалова

Корректор T. Добровольская

Текред 3. Тараненко

2268 12 Изд. J¹ 1694 Тираж 723 Подписное

11НИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

1!3035, Москва, )l(-35, Раугпская нао., д. 4, 5

Заказ

Типография, ир. Сапунова. 2 проводникам и разделенные киперами, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения технологичности матрицы, она содержит гофрированные листы изоляционного материала, образующие в одной плоскости параллельные друг другу трубчатые отверстия, в которых расположены разрядные проводники с ферромагнитной пленкой, адресные проводники и магнитные киперы расположены на внешней поверхности гофрированных листов изоляционного материала.

5 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авт. св. № 282428, G 11С 11/14, 07.04.71.

2. Авт. св. № 237202, G 11С 11/14, 30.06.69.

Запоминающая матрица Запоминающая матрица 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх