Цифровое устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов

 

н

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

К.. (i)) 548814

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 06.06.74 (21) 2030732/25 с присоединением заявки М (23) Приоритет

Опубликовано 28.02.77, Бюллетень _#_ 8

Дата опубликования описания 22.03.77 (51) М Кп "- G OIR 31/26

Государственный комитет

Совета Министров СССР (3) ЧК 621 382 3 (088.8) ло делам изобретений и открытий (72) Автор изобретения

В. А. Бунин (71) Заявитель (54) ЦИФРОВОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ

СТАТИЧЕСКОГО КОЭФФИЦИЕНТА ПЕРЕДАЧИ ТОКА

ТРАНЗИСТОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники и может быть применено при измерении параметров транзисторов при их массовом производстве, а также при лабораторных испытаниях.

Известно устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов (11, содержащее источник задания режимов, усилитель, клапан, генератор импульсов, схему вычитания «1».

Известно устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов (2), содержащее источник задания режима, токосъемный резистор в цепи базы, подключенный к нему усилитель, амплитудновременной преобразователь, генератор импульсов, схему «И», счетчик, схему вычитания

«1», линию задержки, соединенную со входом амплитудно-временного преобразователя.

Недостатком известных устройств является низкая точность измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов.

Целью изобретения является повышение точности измерения.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство введена схема фиксации уровня, состоящая из конденсатора, включенного между выходом усилителя и входом амплитудно-временного преобразователя, и ключа, шунтирующего вход амплитудно-временного преобразователя.

На чертеже представлена схема цифрового устройства для измерения статического ко5 эффициента передачи тока транзисторов. Она содержит источник задания режимов 1, состоящий из генератора тока эмиттера 2, ключа

3, генератора напряжения коллектора 4, токосъемного резистора 5, линию задержки 6, уси1Q литель 7, схему фиксации уровня 8, состоящую из,конденсатора 9, ключа 10, амплитудно-временной преобразователь 11, генератор импульсов 12, клапан 13, схему вычитания

«1» 14, счетчик 15.

1б Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии испытуемый транзистор 16 отсутствует. Ключ 3 источника задания режима 1 разомкнут, ключ 10 схемы фиксации уровня 8 замкнут, клапан 13 заперт, 20 При подключении испытуемого транзистора

16 к источнику задания режимов 1 н появления сигнала «пуск» на входе линии задержки

6 происходит запуск последней. Через коллекторно-базовый переход транзистора 16 начинает течь обратный ток 1но, который создает на токосъемном резисторе 5 падение напряжения, усиливаемое усилителем 7. Запоминающий конденсатор 9 заряжается через малое выходнос сопротивление усилителя 7 н замк548814 нутые ко(пакты ключа 10 до значения выходНОГО па!!1?ЯжспиЯ yc(((II(åëß Ьвы..-!.

1.1вых — 1о э 1(1ко 1 61 (1) гд". U,i> — напря?кение, до которого зарядился конденсатор 9, 1; — — îýôôèöèåíò усиления усилителя, Ii,-, — вели нша сопротивления измерительного;резистора 5.

Е !Омон гу окоll Инlя заряда !конденсатора

9 н;! l:!)!хо,(с 1нн!сc 3 ((!ущепнО(1 линии задс1?жкll 6 ((Оявл((стся Одиночный импульс, Вызываюп,нп замыкание ключа 3 источника задания режимов 1, размыкание ключа 10, а также запуск амплитудно-временного преобразователя 11. Г11?п этом от генератора тока эмиттера

2 через ключ 3 один импульс тока поступает в эмнттер транзистора 16, часть импульса тока ответвляется в базу и создает на резисторе 5 новос значение падения напряжения: - выхв — 1(@(5 1б (2) К(К!

"— V..., „.,„= К Л,(,+1,.) (4) где К! — постоянный коэффициент преобразования. где с(во.х — амплитудное значение напряжения па выходе усилителя 7, 1б — амплитуда импульса тока базы транзистора 16.

К моменту появления импульса с амплитудой Ui,rixg кл(0 1 10 1?азом!кнут, следовательно, амплитуда импульса на выходе схемы фиксации уровня 8 U»...х.ф. представляет собой сумму двух напряжений:

Uâûõ сх ф — вых в + 11о в — R(I Iá+ 1(Iê î R(!— — Йб(1б+1к о) (3) (де 1 (вктх.2 U(i ОП1?ЕдЕлЯютсЯ из ВЫ1?ажений (1), (2).

Амплитуда импульса на выходе схемы фиксации пропорциональна сумме токов 1б и 1ко, что необходимо для получения точного отсчета измеряемого статического коэффициента.

Получение числа импульсов на входе счетчика, равного значению статического коэффициента передачи тока транзисторов, достигается с помощью амплитудно-временного преобразователя 11, генератора импульсов 12, клапана 13, схемы вычитания «1» 14.

Амплитудно-временной преобразователь 11 формирует на выходе импульс, длительность которого обратно пропорциональна амплитуде входного импульса.

При появлении на входе преобразователя

11 импульса с амплитудой U»»,,ф, на его выходе формируется импульс с длительноCThIO tii.

Импульс с выхода преобразователя 11, nocTупая Н3 вхОд Kc(HHHHB 13, oTHHp3CT e(o H B течение гременп т„, импульсы с генератора импульсов 12 через клапан 13 поступают на

5 вход счетчика 15. Схема вычитания «1» 14 запрешаст прохождение на счетчик 15 одного счетного импульса.

С учетом выражения (4) и изложенного вы(не, можно записать:

10 тк 1К

K á(I6 (ко) (О) где . 5 - — число импульсов на выходе клапана 13, т, f — период и частота импульсов (e((cpaтора 12.

При калибровке устройства выполняется соотношение

20

f K(= I,=const б (6) С учетом выражения (6) выражение (5) имеет вид:

25 1э — 1+т 1 — от

o+ ко

Таким образом, измерение статического коэффициента передачи тока транзисторов осу30 ществляется при подаче одного импульса тока эмиттера. Учет величины обратного тока испытуемого транзистора позволяет производить измерение с высокой точностью при любых значениях I,,о, 1„1б.

Формула изобретения

Цифровое устройство для измерения стати40 ческого коэффициента передачи тока транзисторов, содержащее источник задания режима, токосъемный резистор в цепи базы, подключенный к нему усилитель, амплитудновременной преобразователь, генератор им45 пульсов, схему «И», счетчик, схему вычитания

«1», линию задержки, соединенную со входом амплитудно-временного преобразователя, о тличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения, в него введена схема

5р фиксации уровня, состоящая из конденсатора, включенного между выходом усилителя и входом амплитудно-временного преобразователя, и ключа, шунтирующего вход амплитудновременного преобразователя.

55 Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1. Авт. св. № 385246, кл. G 01R 31/26, 1973.

2. Авт. св. № 331342, кл. G 01R 31/26, 1970 (прототип) .

) „ //ушак

Составитель В. Немцев

Техред А. Камышникова

Корректор О. Тюрина

Редактор Н. Коляда

Типография, пр. Сапунова, 2

Заказ 363/20 Изд. № 239 Тираж 1054 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К-35, Раушская наб., д. 4!5

Цифровое устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов Цифровое устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов Цифровое устройство для измерения статического коэффициента передачи тока транзисторов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх