Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИ

ИЗОБРЕТЕНИЯ (1) 591957

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 05.07.76 (21) 2381438/18-2 с присоединением заявки № (23) Приоритет (43) Опубликовано 05,02,78. Бюллетень №5 (45) Дата опубликования описания G. Я. (а. (51) М. Клх

g 1l С 11/14

Гасударственный комитет

Совета Министров СССР па делам изобретений и открытий (53) УДК 628.327..6 (088.8) (72) Авторы изобретения

В. В. Абрамов и С. Н. Смирнов (71) Заявитель

Институт эпектронных управляющих машин (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ СЧИТЫВАНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть применено в устройствах, где в качестве носителей информации используются цилиндрические магнитные домены (ЦМД).

Известны устройства для считывания цилиндрических магнитных доменов, содержащие магнитоодноосную пленку с ЦМД, на которой расположенны каналы продвижения UMQ на Ти 1-образных аппликациях с гальваномагнитными датчиками, включенными по мостовой схеме.

Известно устройство, которое содержит в качестве считывающего датчика полупроводниковый датчик Холла (1).

Известно также устройство, которое содержит в качестве считывающего датчика магниторезистивную пленку (2).

Недостатком этих устройств является их невысокая помехоустойчивость.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является устройство для считывания ЦМД, которое содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения ЦМД на Т- и 1-образных аппликациях, основной гальваномагнитный датчик, магнитно связанный с основным каналом продвижения

ЦМД и включенный по мостовой схеме с дополнительным гальваномагнитным датчиком (3) .

Однако это устройство имеет недостаточную надежность, так как дополнительный канал продвижения ЦМД уменьшает область устойчивой работы устройства для считывания

ЦМДЦелью изобретения является повышение надежности устройства.

Для этого устройство содержит аннигилятор

ЦМД, расположенный над серединой горизонтальной перемычки Т-образной аппликации в месте пересечения основного и дополнительного каналов продвижения ЦМД, а дополнительный гальваномагнитный датчик расположен над дополнительным каналом продвижения ЦМД.

На чертеже изображена принципиальная схема предложенного устройства.

Устройство содержит магнитоодноосную пленку 1 с ЦМД 2, на которой размещены Т- и

1-образные ферромагнитные аппликации 3, образующие пути основного 4 и перпендикулярного дополнительного 5 каналов продвижения

ЦМД, а также источник 6 ЦМД. Аннигилятор 7 ЦМД расположен над серединой горизонтальной перемычки Т-образной аппликации основного канала 4, находящейся в месте пересечения 8 основного и дополнительного каналов

2 продвижения ЦМД.

591957

Осно ой гальваномагнитный датчик 9 и дополнительный гальваномагнитный датчик

10 размещены соответственно над основным 4 и дополнительным 5 каналами и отстоят от места пересечения каналов 8 на одинаковом расстоянии.

Резисторы 11 и 12, соединенные с датчиками

9 и 10 в мостовую схему, находятся вне пленки

1. В основе работы предложенного устройства лежит известный метод управления перемещением ЦМД с помощью ферромагнитных аппликаций и вращающегося в плоскости магнитоодноосной пленки управляющего магнитного поля. Управляющее поле наводит в аппликациях магнитные полюса А, Б, В, Г, взаимодействие которых с ЦМД обеспечивает движение последних.

Устройство работает следующим образом.

По дополнительному перпендикулярному каналу 5 от источника ЦМД 6 на каждый период управляющего поля поступают домены

2, что соответствует поданной информационной единице.

По основному информационному каналу

4 может поступать единица или нуль, выраженные соответственно наличием или отсутствием доменов в канале продвижения.

В случае отсутствия домена в позиции

В основного канала 4 домен, находящийся в позиции В дополнительного канала 5, беспрепятственно проходит в позицию Г, находящуюся в месте пересечения 8 каналов, и далее по позициям А, Б, В, ... дополнительного кайала проходит под дополнительным датчиком 10.

Поле рассеивания ЦМД изменяет сопротивление датчика 10. На выходе мостовой схемы имеется сигнал «О» отрицательной полярности.

Когда в позиции В основного канала 4 присутствует домен (инФормационная единица), то в аннигилятор 7 подается импульс тока, обеспечивающий расширение домена и его сближение с доменом 2 дополнительного канала 5. При этом за счет магнитостатического отталкивания домен 2 дополнительного канала 5 оказывается в позиции В основного канала 4, находящейся за местом пересечения каналов. В следующий момент в аннигилятор 7 подается импульс тока и осуществляется стирание домена 2, находящегося под аннигилятором в основном канале 4

Таким образом домены из дополнительного канала 5 и основного канала 4 не проходят под дополнительным датчиком 10, а домен 2 дополнительного канала попадает в основной канал

4 и проходит под основным датчиком 9. Поле рассеивания ЦМД изменяет сопротивление датчика 9, и на выходе мостовой схемы имеется сигнал «1» положительной полярности.

Пути, проходимые ЦМД от места пересечения каналов 8 до датчиков 9 и 10, делаются равными, чтобы моменты прохождения ЦМД под датчиком 9, либо под датчиком 10 совпали с моментом считывания.

Предлагаемое устройство позволяет получить биполярные сигналы при считывании единицы и нуля, т. е. идентифицировать информационный сигнал не только по амплитуде, но и по полярности. Причем за счет указанных включения аннигилятора ЦМД и расположения дополнительного гальваномагнитного датчика повышается надежность работы устройства, так как расширенным доменам после взаимодействия с

1s ЦМД не нужно переходить в ЦМД, на что тратится определенное время, и поэтому уменьшается взаимовлияние следующих друг за другом доменов и повышается область устойчивой работы. Кроме того, поскольку не тратится времени на переход домена из полосового в

ЦМД, то повышается быстродействие устройства для считывания ЦМД.

Формула изобретения

Устройство для считывания цилийдрических магнитных доменов, содержащее" магнитоодноосную пленку с цилиндрическими магнитными доменами, на которой расположены основной и дополнительный каналы продвижения цилиндрических магнитных доменов на Т- и зо 1-образных аппликациях, основной гальваномагнитный датчик, магнитно связанный с основным каналом продвижения цилиндрических магнитных доменов и включенный по мостовой схеме с дополнительным гальваномагнитным датчиком, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, оно содержит аннигилятор цилиндрических магнитных доменов, расположенный над серединой горизонтальной перемычки Т-образной аппликации в месте пересечения основного и дополнительного каналов продвижения цилиндрических маг40 нитных доменов, а дополнительныи гальваномагнитный датчик расположен над дополнительным каналом продвижения цилиндрических магнитных доменов.

Источники информации, принятьц во внимаas ние при экспертизе:

1. W. Strauss «I. Арр1. Phus» 1971, 42, № 4, р. 1251.

2. 1. Appl. Phus» 1971, 42, № 4, р. 1268.

3. Авторское свидетельство .CCI ¹ 526017, кл. G 11 С 11 14, 197г.

591957

Составитель С. Смирнов

Корректор П.Макаревич

Подписное

Техред О. Луговая

Тираж гЛ

Редактор H.ÌàðxoBñêàÿ

Заказ 603/47

ЦИИИГ1И Государственного комитета Совета Мини«1ров СССР по делиев изобретений и открытий!

13035, Москва, Ж-35, Раушская наб. д. 4)5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов Устройство для считывания цилиндрических магнитных доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх