Способ определения шумового напряжения в полупроводниках

 

640217

Rn SR

= 1 + — =1++0,12.

rn л

Rn R,„1 + И Rn IIPH И << R„, Формула изобретения

Составитель T. Дозоров

Текред С. Антипенко

Редактор И. Грузова

1(орректор С. Файн

Заказ 1136/40 Изд. № 353 Тираж !070 Подписиос

НПО Государственного комитета (.CCP по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушскаи наб., д. 4/5

Тип. Харьк. фпл. пред. «Патент»

fot его таким образом, чтобы отклонение OT единицы соотношений сопротивлений областей по,1упроводника, находящегося в состоянии до,и после фазового перехода, обусловливалось только изменением,их сопротивлений, вызванных перемещением границы фазового превращения при тепловой модуляции, а значения изменения сопрот41влеяия при модуляции выбирают значительно меньш значения сопротивления одной пз областей полупроводника, т. е. где о — значение изменения сопротивления низкопроводящей области .полупроводника при модуляции;

R„.и R„, — сопротивление областей до и после фазового превращения соответствен но.

Способ может быть осуществлен, например, следующим образом.

Шумовой генератор и исследуемый источн ик шума в виде тонкой пленки VOq последозательно подключают к входу селективного микровольтметра. Один из электродов испытуемого образца с помощью нагревательного зонда нагревают до 76 С и обес1течивают выполнение условия Т,<Т ф„.<Т,, т. е. 2О<68(76 С, где Т, — комнатная тема1ература; T4„— температура фазового перехода диоксида ванадия; и T2 — температура нагревательного зонда. Перепад тем ператур AT T2 — Т1 — — 56 С моделируют с периодом т= 1 с путем изменения температуры Т2 — нагревательного зонда. Амплитуду модуляции выбирают равной -3 С.

Для увеличения точности измерения уровня шумозвого напряжения фазового превращения диоксида ванадия перепад температур ,выбирают,равным T =564+.3 С, нагреватель при T=76 3 С располагают на одном из электродов, нанесепиных на пленку диоксида ванадия, и обеспечивают |выполнение условия

Для измерения уровня, шумового напря5 жения,после указанных операций определяют отклонение по выходному прибору селективного микрово IbTìåò ðà, которое соответствует шумам фазового превращения.

Увеличивают выходной шум шумовото генератора так, чтобы отиланение прибора микровольтметра удвоилось. Уровень шумовога напряжения фазового превращения определяют по индикатору шумового, генератора.

Способ определения шумового напряжения в полуцроводниках путем приложения напряжения, нагрева,полупроводника и изиерения уроиня шумового напряжения, о тл ич а ю щ и Й с я тем, что, с целью повышеагия TOBHocTiII,измерений, в полупроводнике создают перепад температур, охватывающий температуру его фазового превращения, и изменяют, величину перепада с периодом, превышающим время тепловой релаксации полупроводника, и амплитудой, обеспечивающей непрерывное перемещение границы,фазового превращения, при .этом под30 держизают равенство сопротивления двух фаз полупроводника путем подбора величины перепада температур и его расположения на полупроводнике.

Источники информации,,принятые во внимание при экспертизе:

1. Грехов И. В. и др. Микроплазменные явления в кремнии. — «Физика твердого

4О тела», 1966, т. 8, вып. 1,2, с. 3474.

2.,Ван дер Зил А. Флюктуационные явления в полупроводниках, М., «Мир», 1961, с. 36 —,39.

3. Васильев Г. П, и др. Письма в 5КТФ, 45 1976, вып. 13, с. 604,