Запоминающее устройство

 

Союз Советских

Социалистических

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВ)4ДЕТЕЛЬСТВУ iii705520 (61) Дополнительное к авт. свид-ву—

1 (22) Заявлено 27.09.77 (21) 253261?/18-24 (51) М. Кл. с присоединением заявки № —, б 1(С l l/14

Вщднротеенный комитет

СССР ае делам наобретеннй н нткрытнй (23) Приоритет—

Опубликовано 25.12.79. Бюллетень № 47 (53) УДК 681.327..6G (088.8) Дата опубликования описания 26,12.79 (72) Авторы изобретения

В. Б. Смолов, Л. В: Гловацкий,.А. А. Зельдин и Л, А. Шумилов (71) Заявитель (54) ЗАПОМИНАЮЩЕЕ УСТРОИСТВО

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств хранейия дискретной информации иа цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известны запоминающие устройства (ЗУ) на ЦМД, содержащие магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены генератор ЦМД, соединенный с входом регистра сдвига, выход которого подключен к аннигилятору ЦМД через компрессор. UM3. t l j .

Недостатком ЗУ является ограничеийая область применения.

Наиболее близким техническим решением к данному изобретению является ЗУ на

ЦМД, которое содержит магнитоодиоосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены адресные и разрядные шины, генераторы ЦМД, подключенные к входам разрядных компрессоров ЦМД, выходы которых подключены к разрядным аннигиляторам ЦМД (2).

Недостатками указанного устройства являются его ограниченные функциональные возможности. Оно способно только хранить

-"-жеаФ -ецФлФ- жу М4Мюуьс;ласт/"- -," : ìóæ»

1 информацию и не способно осуществлять ни логическую, ни арифметическую обработ :.ку ее, что в значительной степени сужает область его использования, Целью настоящего изобретения являетs ся расширение функциональных возможностей устройства путем выполнения в нем арифметических операций.

Поставленная цель достигается тем, что

ЗУ содержит элементы продвижения ЦМД, расположенные между выходами смежных разрядных компрессоров ЦМД, и управляемые, аннигиляторы ЦМД, расположенные между смежными элементами продвижения

ЦМД на расстоянии не более трех диаметров ЦМД от соответствующих разрядных

15 аннигиляторов ЦМД.

На чертеже изображена структурная схема ЗУ.

ЗУ содержит магнитоодноосную пленку с ЦМД, на поверхности которой расположены адресные А — А» и разрядные (иа чертеже не показаны) шины, генераторы ЦМД

 — B>, подключенные к входам разрядных компрессоров ЦМД (;> — С, выходы которых подключены к разрядным аннигилято05520 циях 1 и 1 появятся ЦМД. Далее они перейдут в позиции 2 и 2 . При направлении ДО поля ЦМД стремятся занять позиции 3 и

3, но это им не удается, так как в динамических ловушках также находятся ЦМД, стремящиеся перейти из позиций 7 и 7 в позиции 8 и 8 . Вследствие магнитостатического взаимодействия ЦМД входящих с

ЦМД, находящимися в динамических ловушках, первые направляются не в позиции 3 и 3, а в позиции 4 и 4, расположенные на находящиеся в динамических ловушках, стремятся попасть в позиции 8 и 8, но туда перейти они не могут, вследствие магнитостающими в-позиции 4 и. 4, так как расстояние

7 рам UM3, D) — Dn. Ìåæäó выходами смежных разрядных компрессоров расположены элементы продвижения ЦМД Е) — En н F< — Fn между которыми расположены управляемые аннигнляторы б) — G>, причем расстояния между управляемыми аннигиляторами G — б„и соответствующими разрядными аннигиляторами Р) — Dn не превышают трех диаметров ЦМД. Аннигиляторы D — Dn и G>бп магнитосвязаны с шиной H управления аннигиляторами.

Стрелкой S показано направление вра- 1 аннигиляторах.. С другой стороны, UMJI„ щения управляющего поля, стрелками ))—

Sn — направление движения ЦМД из ячеек памяти Кк„— К)к в разрядные компрессоры.

ЗУ работает следующим образом.

Если в ячейках памяти К)4„— К))) находятся ЦМД, т. е. там записаны «1», то при вращенйи вектора управляющего поля, от направления ОС к направлению ОД возбуждается шина An. ЦМД покидают ячейки памяти и поступают в разрядные компрессоры

С) — Cn. При направлении ОВ вектора управляющего поля.на выходе разрядных компрессоров в позициях 1 и 1 появляются

ЦМД. Далее, при повороте вектора поля в направлении ОС ЦМД перейдут соответственно в позиции 2 и 2, а при повороте вектора поля в направление ОД ЦМД перейдут в позиции 3 и 3, так как магнитные полюса в этих позициях сильнее чем полюса в позициях 4 и 4 . При направлении ОА поля

ЦМД переходят в позиции 5 и 5 и входят в динамические ловушки, образованные позициями 5 — 8 и 5 — 8 соответственно; где индицируются магниторезисторнымИ датчиками L) — Ln остаются циркулировать до прихода импульса управления аннигиляторами. Если необходимо осуществить стирание этой информации, то в момейт, когда

ЦМД находятся в позициях 8 и 8 в шину

Н подается импульс тока, и при направлении

ОА вектора поля ЦМД переходят не "в позиции 5 и 5 как ранее, а в позиции 9 и 9, где остаются при дальнейшем враще " -- нии поля и аннигилируются при направлении. ОС поля.

Процесс арифметической обработки ин.. формации может быть продемонстрирован на" примере сл ожения содержимого n - ãо и (и — 1)-го разрядов любой пары чисел в накопитель. Пусть в и и (и — 1) разрядах первого.и второго слагаемого содержатся «1».

Процесс сложения осуществляется путем

--- —:--- последовательного считывания слагаемых.

Предположим, что считано первое слагаемое; Это значит, что "в динамических ловушках находятся ЦМД. Теперь, подавая ток в - нужную адресную шину, считывают второе слагаемое, в результате чего при направлении ОВ управляющего поля в позимежду аннигиляторами и, соответственно, позициями 4 и 8, 4 и 8, как указывалось ранее, меньше трех диаметров ЦМД. Таким образом, ЦМД из позиций 7 и 7 будут вынуждены перейти в позиции 10 и 10 соответственно. Далее, ЦМД из позиции 10, проходя последовательно через позиции 11, 1, !2 и 3, входит в динамическую ловушку (п — 1)-го разряда и там остаются, а

ЦМД из позиции 10 таким же образом отправляется на динамическую ловушку следующего (и — 2)-го разряда и вступает илн не вступает во взаимодействие с находящимися там ЦМД в зависимости от наличия или отсутствия последнего в этой ловушке. зо

Сложение в первых двух разрядах можно считать оконченным. Результат сложения двух кодов 11 и 11 дает код 10 плюс едийица переноса в следующий разряд, что соответствует истине. д Предложенное устройство выгодно отличается от известного, так как благодаря своим новым функциональным возможностям оно имеет более широкую область применения, позволяет организовывать однородные вычислительные среды и сравнительно деше4в вые устройства обработки информации, что в свою очередь приведет к общему снижению стбимости систем, в которых предложенное устройство может быть использовано.

4S

Формула изобретения

Запоминающее устройство, содержащее магнитооднобсную пленку с цилиндрическими магнитными доменами (ЦМД), на по верхности которой расположены адресные и разрядные шины, генераторы ЦМД, подключенные к входам разрядных компрессоров ЦМД, выходы которых подключены к разрядным аннигилятора м ЦМД, отличают и!ееея teM, что, с целью расширения функциональных возможностей путем выполнения арифметических операций, оно содержит элементы продвижения ЦМД, распо705520 ° ° °

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Б. Герцен Техред М. Левицкая Корректор Г. Назарова

Заказ 8040/55 f Тираж 68 1 Подписное

U,Н И И ПИ Государственного комнтета СССР

ho делам изобретений и открытий

113035, Москва, )К вЂ” 35, Раушская наб„д. 4)5

Филиал ППП «Патент>, г. Ужгород, ул. Проектная. 4 ложенные между выходами смежных разрядных комп1зессоров ЦМД, и управляемые аниигиляторы ЦМД, расположенные между смежными элементами продвижения ЦМД на расстоянии не более трех диаметров ЦМД от соответствующих разрядных аннигиляторов ЦМД.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США № 3873542, кл. 340 — 174, опублик. 02.03.74.

2. Авторское свидетельство СССР по заявке № 2408659/24, кл. G 11 С 11/14, от

27.09.76 (прототип) .