Способ гальванического осаждения

 

I и с

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Союз Советсиин

Социалистнчесинн

Реслуолии (1и 711186 (61) Дополнительное к авт. свид-ву (51)М. Кд. (22) Заявлено 13.01,78 (21) 2574018/22-02 с присоединением заявки М

С 25 О 21/12

G 11 С 11/00

Гннуднрстнннньй кнмнтнт

СССР ао ленам нзабратеннй н етнрытнй (23) Приоритет

Опубликовано 25.01.80. Бюллетень:% 3 (53) 3 ДК 621.357. .2 {088.8) Дата опубликования описания 25.01.80 (72) Авторы изобретения

В. П. Гогин и В. A .? Кадкин (71) Заявитель (54) СПОСОБ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ

Изобретение относится к гальванике и может быть использовано для осаждения на проволочную подложку-катод многокомпонентных магнитоанизотропных цилиндрических магнитных пленок (ЦМП), применяемых в цифровых вычислительных машинах в качестве запоминающей среды.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к предложенному является способ гальванического осаждения цилиндрических магнитных пленок, включающий погружение цилиндрической подложки-катода в ванну с электролитом и пронускание через нее тока. Согласно данному способу одинаковые концы анода и подложкикатода, погруженных в ванну с электролитом, присоединяют к плюсу н минусу соответственно источника тока элек1роосаждения, причем анод и подложку-катод также подключают идейтично обеими концами к источнику вспомогательного тока и источнику тока подмагничнвания соответственно через переменные резисторы и амперметры. При этом вспомогательный ток, протекающий по аноду, расположенному параллельно катоду, обуславливает падение напряжения той же величины и знака, что и падение напряжения, создаваемое нг катоде током подмагничивания (1).

Однако нали-ще трех независимых источников тока влияет на процесс электроосаждения, ведет к нестабильности работы устройства и снижению однородности химического состава и надежности получаемых пленок..

Целью изобретения является повышение качества осаждаемых пленок.

Поставленная цель достигается тем, что катод и анод подсоединяют к источнику тока противоположными концами, а другие концы соединяют между собой через переменный резистор и амперметр, причем сопротивление анода выбирают большим сопротивления катода

На чертеже изображена схема устройства для осуществления способа.

Схема устройства содержит ванну 1, наполненную электролитом 2, цилиндрическую подложку-катод 3, анод 4, источник тока 5, переменный резистор 6 и амперметр 7, пеЦНИИПИ

Тираж 698

Заказ 8604/20

Подписное

3 71 ременный резистор 8 и амперметр 9 в цепи подмагничивания, а также переменный резистор 10, включенный параллельно аноду.

Переменным резистором 10 регулируют отношение падений напряжений на аноде 4 и катоде 3, причем сопротивление анода выбирают большим сопротивления катода.

При помощи резисторов 6, 8 подбирают необходимые токи злектроосаждения Э и подмагничивания "J à при йЬмощи. резистора 10 устанавливают практически равные величины падений напряжений на аноде и катоде, обеспечивающие получение однород-, ного гальванического покрьпия на катоде, Проверку однородности гальванического покрытия производят по степени постоянства магнитного потока пленки осажденной в неподвижном состоянии. При этом магнитный поток можно измерить при помо1ци ферротеcrepa, снабженного в качестве шщикатора вольтметром средних значений.

Анод для улучшения однородности гальванического покрытия по окружности нодложки-катода выполняют в форме "беличьего колеса", состоящего из платиновых проволок, соединенных на концах снаружи ванны металлическими кольцами, причем подложкукатод пропускают внутри по оси "беличьега колеса".

Данный способ обеспечивает при помощи одного источника постоянного тока гальваническое осаждение магнитной пленки, подмагничивание подложки-катода, а также постоянство разности потенциалов между противо1 nodrtrr.

1186 положньАаг точками анода и подложки-катода по всей Wrrrre. Кроме того, наличие одного источника тока облегчает установление и нодцержание наружного режима электроосаждения.

Данный способ обеспечивает также ста.бильность процесса электроосаждения, в частности, колебание силы тока в цепи не изменяет величины отношения падений напряжений на аноде и катоде.

Все зто позволяет удешевить устройсгво для получения цилиндрических магнитных пленок, упростить процесс его эксплуатации, улучшить однородность гальванического покрытия и повысить надежность пленок.

Формула изобретения

Способ гальванического осаждения цито . линдрических магнитных пленок, включающий погружение Илиндрической подложкикатода в ванну с электролитом и пропускание через нее тока, отличающийся тем, что с целью повышения качества осажраемых пленок, подложку-катод и анод подсоединяют к источнику тока противоположными концами, а другие концы соединяют между оэбой через переменный резистор и амперметр, причем сопротивление анода выбирают щ большим сопротивления катода.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Франции Р 2041163, кл. 6 11 С 11/06, 1971.

Филиал ППП Патент", r. Ужгород, ул. Проектная,4