Высокочастотный дроссель

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ, 73I479

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 21.04.77 (21) 2477856/24-07 (51) М. Кл.-

Н 01 F 15/04 с присоединением заявки №вЂ”

|Ъсударственный комитет

СВСР (23) Приоритет (43) Опубликовано 30.04.80. Бюллетень ¹ 16 (45) Дата опубликования описания 30.04.80 (53) УДК 621.3.042 (088.8) ао делам изобретений и открытий (72) Авторы изобретения

И. Д. Хайтун, В. Е. Бобкин, А. Х. Зияев, В. Я. Иванов и Т. А. Коган (71) Заявитель (54) ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ДРОССЕЛЬ

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к высокочастотной технике, к конструированию высокочастотных магнитопроводов для индуктивностей.

Известен индуктивный элемент, содержащий магнитопровод, на который намотана обмотка. Устройство охвачено экранирующей оболочкой поверх обмотки (1).

Недостатком этого устройства является возрастание активных потерь, вносимых 10 экранирующей оболочкой, а также усложнение конструкции. При использовании его в магнитозаписывающих головках установка такой экранирующей оболочки затруднена, а эффективность ее снижается вслед- 15 ствие малого зазора между магнитной лентой и головкой.

Известен также высокочастотный магнитопровод преимущественно для индуктивностей из порошковых материалов (магнптодиэлектриков или ферритов) (2).

Данное устройство является наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату.

Недостаток такого устройства заключается в больших индуктивных потоках рассеяния вследствие недостаточно высокой магнитной проницаемости материала сердечника, а также в конечной толщине диэлектрического каркаса. 30

Цель изобретения — уменьшение индуктивных потоков рассеяния.

Это достигается тем, что высокочастотный магнитопровод из порошковых материалов снабжен экраном, выполненным в виде токопроводящего покрытия, нанесенного с щелевидным зазором вдоль образующей на внешнюю поверхность магннтопровода по крайней мере в местах размещения нр ней обмоток индуктивности.

На фиг. 1 изображен высокочастотный дроссель разомкнутого типа с диэлектрическим каркасом и центральным ферромагнитным магнптопроводом; на фиг. 2 — бескаркасная конструкция с тороидальным магнитопроводом; на фиг. 3 — конструкция с броневым магнитопроводом; на фиг. 4, а и 4, б схематически показано распределение магнитных силовых линий для случая без экрана и с нанесенным токопроводящим покрытием — экраном соответственно.

Высокочастотный магнитопровод 1 подвижно установлен в диэлектрическом каркасе 2, на внешней поверхности которого нанесено токопроводящее покрытие 3 с щелевидным зазором 4 вдоль образующей. На фиг. 2 и 3 каркас отсутствует, вследствие этого токопроводящее покрытие 3 нанесено непосредственно на внешнюю поверхность

731479

А-А

У мапштопровода 1 в места-; размещения на магнитопроводе обмоток индуктивности.

В магнптопроводе 1 действие вихревых токов, возбуждаемых в токопроводящем покрытии, приводит к существенному возрастанию магнитного сопротивления в направлении, перпендикулярном поверхности покрытия. В результате (см. фиг. 4,б) магнитные силовые линии 5, индуктнруемые током обмотки 6, по сравнению со случаем IO без покрытия (см. фиг. 4,а) «вытягиваются» вдоль продольной осп магнитопровода, в большей степени охватывая витки другой обмотки 7.

Описанная конструкция прошла экспери- 15 ментальную проверку. В частности, исследовались стержневые разомкнутые магннтопроводы диаметром 2 мм и длиной 10 мм из материала P-100, а также торопдальные магнитопроводы из материалов P-100, 20ВЧ 20 и ЗОВЧ. Гальваническое покрытие (медь толщиной 40 — 60 мкм, затем серебро толщиной 6 мкм) наносилось на предварительно обработанную поверхность магнитопровода.

Эта обработка, обеспечивающая достаточ- 25 ную проводимость, может быть выполнена разными способами. Например, напылением металла в вакууме и химическим никелированием. В последнем случае поверхность магнитопровода предварительно активиру- ЗО ют в растворе палладия. Достаточной толщиной химически осажденного никеля является толщина в 0,1 — 1 мкм. Щелевидный зазор в покрытии тороидальных сердечников достигается снятием внутренней фаски З5 с помощью цилиндрической алмазной головки.

Индуктивные потоки рассеяния оцениваются по величине коэффициента индуктивной связи между двумя обмотками, выпал- 4p неннь1мп каждая в один слой с равномерным шагом проводом марки ПЭЛШО 0,1—

0,3 мм. Расстояние или угол между центрами обмоток составляли в случае стержневого магнитопровода 4 мм, в случае торо,- 45 ндального магннтопровода — 180 (каждая пз обмоток занимала прп этом 3 мм пли сектор 90 для стержневого и тороидального магнитопроводов соответственно.

Величина активных потерь в магнптопроводе оценивалась по добротности индуктнвности обмоток. Измерение коэффициента сьязи и добротности производилось на рабочей частоте в диапазоне 40 — 120 МГц.

Для стержневых разомкнутых сердечников из материала Р-100 коэффициент индуктивной связи возрастает со значения 0,13 без покрытия до 0,45 с покрытием. Соответствующие значения в случае тороидальных магнитопроводов следующие: для магнитопроводов К5 3 1 из материала P-100: 0,20 и 0 65; для магнитопроводов К7к,4)(2 из материала 20Вч: 0,35 и 0,80; для магнитопроводов К12 6;к,4 из материала ЗОВч: 042 и 0,88.

При этом снижение добротности не превышало 300 0 для магнитопроводов из материала P-100 и 20Вч. Для магнитопровода из материала ЗОВч добротность составляла не менее 60 в диапазоне 40 — 90 МГц.

Формула изобретения

Высокочастотный дроссель, содержащий магнитопровод, из порошковых материалов, имеющий обмотки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения индуктивных потоков рассеяния, снабжен экраном, выполненным в виде токопроводящего покрытия, нанесенного с щелевидным зазором вдоль образующей на внешнюю поверхность магнитопровода по крайней мере в местах размещения на ней обмоток индуктивности.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Великобритании № 1024424, кл. Н 1 Т, 1966.

2. Белевцев A. Т. Технология производства радиоаппаратуры. М.— Л., «Энергия», 1964.

731479

b-b

Фиг.2

Составитель В. Мясникова

Техред А. Камышникова Корректор В. Посельский

Редактор В. Фельдман

Заказ 542/17 Изд. № 272 Тираж 857 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2

Высокочастотный дроссель Высокочастотный дроссель Высокочастотный дроссель 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано при конструировании измерительных трансформаторов напряжения высоких и сверхвысоких напряжений с изоляционным заполнением

Изобретение относится к области электротехники, в частности к источникам питания различных электрофизичеких устройств и накопителей энергии

Изобретение относится к технике сильных импульсных магнитных полей и может быть использовано для получения коротких импульсов магнитного поля

Изобретение относится к области электротехники, в частности к трансформаторостроению, и может найти применение в конструкциях высоковольтных трансформаторов

Изобретение относится к электротехнике, в частности к высоковольтному аппаратостроению, и может найти применение в высоковольтных трансформаторах тока с литой эпоксидной изоляцией

Изобретение относится к области электротехники, в частности к бесконтактным размыкателям для формирования мощных импульсов тока за счет обострения его фронта с использованием материалов, имеющих свойства фазового перехода металл-изолятор или металл-полупроводник под действием температуры

Изобретение относится к магнитометрии и может быть использовано при создании объемов с магнитным вакуумом, т.е
Наверх