Устройство для испытания интегральных схем

 

О,П б А "Й= Е

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

Союз Советскнх

Социалмстмческиа

Реслублнк "734833

4i

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТ8У (6 I ) Дополнительное к авт. свин-ву (22) Заявлено21.03,77 (21) 2463621/13-21 с присоединением заявки № (23) Приоритет

Опубликовано 15.05 80 6юллетень № 18 (51) М. -Кл.

Н 01 Ь 21/70

Н 05 К 1/04

Государственный комитет по делам изооретений и открытий (53) УДК 621..396.049 (088.8) Дата опубликования описания 18.05.80 (72) Авторы изобретения

В. И. Домеников, А. F.. Кудрявцев и Н. В. Михайлов (73) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИСПЫТАНИЯ

ИНТЕГРАЛЬНЬИ СХЕМ

Изобретение касается испыгания ин;тегральных микросхем на воздействие климатических и электрических нагрузок, и может быть применено на автоматических и технологических линиях при массовом производстве интегральных схем.

Известно устройство для испытания интегральных схем, содержащее корпус с подвижно закрепленными гребенками с установленными в них пружинными контак30 тами и неподвижное основание с контактам и fl)

Однако такое устройство не обеспечивает надежной работы в условиях повышен ных температур.

Известно также усгройство для испытания интегральных схем, содержащее корпус с подвижно закрепленными гребенками с размещенными в них пружинными контактами, неподвижное основание с контактами, планки с направляющими парами и прижимную крьыку $2j

Недостатком этого устройства является невозможность испьггания интегпаль,2 ных схем различных типоразмеров без изменения конструкции корпуса устройстBB„

Цель изобретения — повышение надежности контактирования и расширение функциональных воэможностей - достигается тем, что предлагаемое устройство для испытания интегральных схем снабжено поворотными крышками с размещенными

Г в них пружинными контактами, установленными с возможностью взаимодействия с пружинными контактами подвижной гребенки, а планки с направляющими пазами закреплены на неподвижном основании с возможностью перемещения.

На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 3; на фиг. 3, - устройство без крышки, вид сверху.

В корпусе 1 размещены подвижные гребенки 2 с пружинными контактами 3, нагреватель 4 с медной теплопередающей пластиной 5, температурные датчики 6 и 7 задания и контроли температуры.

Устройство для испытания интегральных схем, содержащее корпус с подвижно закрепленными гребенками с размещенными в них пружинными контактами, неподвижное основание с контактами, планки с направляющими. пазами и прижимную крьпику, о т л и ч а ю ш е е с я тем, 55 что, с целью повышения надежности контактирования и расширения функциональных воэможнос ;тей, оно снабжено поворотными крь|шкам11 с размещенными в

Вверху находится прижимная крышка 8 с теплоизолированным слоем и аналогичной теплопередающей пластиной. Выводы испытуемой микросхемы 9 находятся в

" направляющих пазах подвижных планок

10 и 11 на встроенных в них контактах

12. В верхней части платы находятся поворотные крышки 13 с пружинными контактами 14 для правой планки и 15 для левой планки, число которых соответ- 1О ствует количеству выводов испытуемых

ИС. Для перемещения левой и правой планок с направляющими пазами используются пазы 16, 17, Для прижатия по" воротных крышек используется защелка

18 и уплотнительная резиновая прокладка

19 для плотной посадки крышки 8, Стопорные винты обозначены позицией 20, контактные выводы - 21 и оси - 22.

Устройство работает следующим об- 2о разом, Интегральные схемы укладываются выводами в направляющие пазы подвижных планок 10 и 11 на контакты 12. В зависимости от ширины корпуса расстоя1 ние между подвижными планками регулируется путем перемещения их по направляющим пазам 16 и 17 и стопорится винтами 20, Затем спускают вниз подвижные гребенки 2 с пружинными контакта30 ми 3, которые выходят из зацепления с контактами 14 и 15 и, повернув крышки

13 вокруг осей 22, укладывают испытуемые интегральные схемы своими выводами на контактах 12, обеспечивая пер35 вое контактирование. Крышки 13 закрывают на защелки 18, и пружинные контакты 14 и 15, вмонтированные в поворотные крышки 13 прижимают выводы исЭ

40, пйтуемых микросхем к контактам 12 подвижных планок 10 и 11. Затем поднимают вверх гребенку 2 и контакты 3, которые своими торцами поджимаютСя к пружинным контактам 14 и 15, обеспечи45 вая этим самым второе контактирование.

Затем крышка 8 закрывается и выводы от пружинных контактов 3 и выводы 21 от контактов 12 образуют линию для проверки двойного контактирования от каждого вывода испытуемой микросхемы. При закрытии крышки 8 она дополнительно поджимает поворотйые крышки

1.3 и их контакты 14 и 15 к выводам испытуемых ИС. Далее устройство поди1ючается через разъем к внешнему устройству регулирования и поддержания температуры. Электрический испытательный режим на испытуемые микросхемы

33

4 задается через контакт 3 и вывод 21 и, . таким образом, интегральные схемы проверяются на безотказность, долговечность и т.п.

При измерении статических или динамических параметров электрический испытательный режим снимается, а температурный режим остается без изменения.

Температура во внутреннем объеме термостатируюшего устройства регулируется от + 40 до +150 С и более. Это осуо о ществляется за счет нагревателей 4 и датчиков задания температуры 6, контроль температуры осуществляется датчиком 7, медная теплопроводяшая пластина 5 служит для выравнивания температуры в полезном объеме термостатирующего устройства, Перед измерением статических пара» метров исследуемых микросхем проверяется наличие контакта, после чего измерительная головка контрольно-измери» тельного прибора устанавливается непосредственно на выводы 21, идущие от выводов первой микросхемы, После замера параметров аналогичная операция повторяется со всеми последующими микро схемами, находяпг1имися внутри термостатируюшего устройства. При измерении динамических параметров свыше 1 мГц подвижные гребенки 2 после проверки наличия контакта опускаются вниз, тем самым, исключается дополнительная емкость, Устройство позволяет испытывать все .типы схем с планарными выводами с шагом 1,25 на теплоустойчивость, надежность, а также при конструктивных и параметрических испытаниях в условиях повышенных температур и электрических нагрузок, используя при этом только один тип термостатируюшего устройства.

Формула изобретения

833!

3 15

13 11

5 734 них пружинными контактами, установленными с возможностью взаимодействия с пружинными контактами подвижной гребенки, а планки с направляющими паза- . ми закреплены на основании с возможностью перемещения. б

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1, Авторское свидетельство СССР

¹ 479274, кл. Н 05 К 7/12, 1974.

2. Авторское свидетельство по заявке

¹ 2385730) от 19,07,76.

734833

Составитель О. Кудрявцева

Редактор H. Каменская Техред О. Аидрейко Корректор Т. Скворцова

М

Заказ 2099/55 Тираж 8 4 Подписное

0НИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открьпий

113035, Москва, 2К-35, Раушская наб., д. 4/5 филиал ППП Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Устройство для испытания интегральных схем Устройство для испытания интегральных схем Устройство для испытания интегральных схем Устройство для испытания интегральных схем 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния
Наверх