Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов

 

Союз Советских

Сов1иаиистнческих

Республик р >748250

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт, саид-ву (22) Заявлено 04,1177 (21) 2541173/18-25 с присоединением заявки No (51)М. Кл.2

G 01 R 31/26

Государственный комитет

СССР оо делам изобретений и открытий (23) Приоритет (53) УДН 821. 382. .2(088.8) Опубликовано 150780 Бюллетень Но 26

Дата опубликования описания 150780 (72) Авторы изобретения

A.Â.Ïèñàðñêèé, Г.А.Райхцаум, А.Н.Смирнов и A.A.Óâàðîâ

Специальное конструкторское бюро Ордена Ленина физикотехнического института им. A.Ô.Èîôôå AM СССР (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ HEOCHOBHhlX

НОСИТЕЛЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использЬвано для измерения парамет - * " ров мощных диодов и тиристоров, йа- 5 пример для экспресс-контроля временных характеристик.

Известны способы и устройства (1) для определения времени жизни неосновных носителей Ср в диодах, однако все они предназначены для измерения Фр в быстродействующих маломощных диодах.

Известно устройство (2) для иэмеренкя времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов, содержащее генератор тока, генератор переключающих импульсов, .подключенный к аноду испытуемого прибора, токосъемный элемент, вход которого подключен к катоду йспйтуемого полупроводникового прибора, а выход — к последовательно соеди- . ненным усилителю и блоку регистрации.

Недостатком этого устройства является его сложность при обеспечении высокой точности измерения.

Цель изобретения — упрощение устройства.

Эта цель достигается тем, что в устройство, введен электронный ключ, вход которого соединен с генератором тока, выход — с анодом испытуе- мого полупроводникового прибора, а управляющий вход — с усилителем.

На фиг.1 представлена структурная схема описываемого устройства; на фиг. 2 — временные диаграммы работы блоков устройства при определении р путем измерения времени рассасывания.

Генератор тока 1 подключен ко входу электронного ключа 2, выход которого соединен с анодом испытуемого полупроводникового прибора 3.

Катод испытуемого полупроводникового прибора через токосъемный элемент 4 подключен к общей шине. Выход токосъемного элемента 4 подключен к усилителю 5. один выход которого соединен с управляющим входом элект- ронного ключа 2, а другой выход— с блоком регистрации б. Генератор переключающих импульсов 7 подключен к аноду испытуемого полупроводникового прибора 3.

Устройство работает следующим образом.

748250

В исходном состоянии с генератора 1 импульса тока не поступают, электронный ключ 2 открыт, испытуемый полупроводниковый прибор 3 закрыт

I сигнала на токосъемном элементе 4 и усилителе 5 нет.

При поступлении импульса прямого тока от генератора"1 импульс тока положительной полярности проходит через электронный ключ 2, поступает на испытуемый полупроводниковый прибор 3 и токосъемный элемент. Испы- ® туемый прибор 3.открывается и через него начинает протекать прямой ток.

В и. †ба испытуемого полупроводни кового прибора происходит накопление заряда. )5

По окончании импульса прямого тока с генератора 7 переключающих импульсов поступает импульс отрицательной полярности. При этом в и -базе испытуемого полупроводникового прибора начи- () нается рассасывание неосновных носителей тока, или извлечение накопленного заряда, которое вызывает изменение потенциала на токосъемном элементе 4. Импульс напряжения с токосъемного элемента поступает на вход усилителя 5.

Усилитель выделяет и,усиливает отрицательную полярность изменяющегося перепада потенциалов и подает импульс на управляющий вход электронного ключа 2. Электронный ключ закрывается и открывает цепь: испытуемый полупроводниковый прибор 3 — генератор 1, не допуская утечки заряда на внутреннее сопротивление генера- З5 тора 1.

Усиленный сигнал с усилителя 5 подается через другой выход также на устройство регистрации.

По извлечении всего накопленного,щ заряда из п-базы испытуемого полупроводникового прибора 3 он запирается, и сигнал на входе усилителя становится равен нулю. Электронный ключ 2 открывается и устройство .возвращается в исходное состояние.

При измерении L путем определения времени рассасывания усилитель 5 выделяет интервал времени, соответствующий времени рассасывания, а устройство регистрации б измеряет этот .временный интервал.

При измерении 1р путем определения извлеченного заряда усилитель 5 выделяет сигнал, пропорциональный площади ограниченной кривой обратного тока испытуемого полупроводникового прибора, а устройство регистрации б измеряет величину этого сигнала.

Формула изобретения

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов, содержащее генератор тока, генератор переключающих импульсов, подключенный к аноду испытуемого полупроводникового прибора, токосъемный элемент, вход которого подключен к катоду испытуемого полупроводникового прибора, а .выход— к последовательно соединенным усилителю и блоку регистрации, о т л и— ч а ю щ е е с я тем, что, с целью упрощения устройства, в него введен электронный ключ, вход которого соединен с генератором тока, выход — с анодом испытуемого полупроводникового прибора, а управляющий .вход— с усилителем.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Думгус А.А., Дайлиденас В.М.

Сравнительный анализ методов измерения времени жизни носителей в диодах с накоплением заряда. Сб. "Радиоэлектроника", V Всесоюзная научнотехническая конференция, Каунас-Вильнюс, 1973, т.2.

2. Авторское свидетельство СССР

337738, . G 01 R 31/26, 1970 (прототип).

748250 гсн. f

Составитель В..Немцев

Редактор Т.Орловская Техред М. Петко Корректор Е.Папп

Заказ 4229/31 Тираж 1019 Подписное

ЦНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская. наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г.Ужгород, ул.Проектная, 4.

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей полупроводниковых приборов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим
Наверх