Накопитель для запоминающего устройства

 

О П И С;А4ф ф Е Оц752474

И 3 О Б -Р RT-- ЕЖИ Я

Стиее Сееетеиих

Фациелиетичееиих

Реепублии

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свид-ву (22) Заявлено 15.05.78 (21) 2615505/18-24 с присоединением заявки № (51) М. Кл.

G 11С 11/22 (43) Опубликовано 30.07.80. Бюллетень № 28 (53) УДК 681.327.66 (088.8) и отнрытий (45) Дата опубликования описания 30.07.80 (72) Авторы изобретения

В. А. Завадский, Ю. П. Заика и К. Г. Самофалов (71) Заявитель

Киевский ордена Ленина политехнический институт им. 50-летия Великой Октябрьской социалистической революции (54) НАКОПИТЕЛЬ ДЛЯ ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА

Гесуаерстеенный комитет (23) Приоритет

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано при построении устройств хранения информации в дискретной и аналоговой формах.

Известен накопитель для запоминающего устройства (ЗУ), содержащий пластину из сегнетоэлектрического материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии с нанесенной на ее противоположные стороны системой электродов (1).

Недостатком известного устройства являются узкие функциональные возможности, заключающиеся в хранении и выдаче информации, представленной только в дискретном виде.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является накопитель для

ЗУ, содержащий пластину из сегнетоэлектрического материала, обладающую пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, на одной из сторон которой расположены электрод возбуждения и параллельно ему выходные электроды, а на другой стороне — общий электрод.

Считывание информации в известном устройстве производится волной механической деформации, распространяющейся в объеме пластины (2).

Однако известное устройство способно оперировать с информацией, представленной только в дискретной форме, что значительно сужает область его применения.

Представляется возможным расширить функциональные возможности известного устройства за счет изменения условий генерирования бегущей волны механической деформации при считывании информации.

10 Целью изобретения является расширение функциональных возможностей известного накопителя путем преобразования цифровых кодов в аналоговые величины прп считывании информации.

15 Поставленная цель достигается путем того, что в нем электрод возбуждения выполнен в виде отдельных секций, имеющих одинаковую ширину, а их длины пропорциональны весам соответствующих разрядов

20 преобразуемых цифровых кодов.

Выполнение электрода возбуждения секционированным позволяет получать в выходном электроде выходной ток, величина которого пропорциональна величине преоб25 разуемого цифрового кода.

На чертеже изображена конструкция накопителя для ЗУ, выполненного согласно изобретению.

Предложенный накопитель для ЗУ содер30 жит пластину 1 из сегнетоэлектрического

752474 йз „:, . г

Составитель Ю. Розенталь

Редактор 3. Ходакова Техред А. Камышникова Корректоры: Л. Слепая и О. Иоанесян

Заказ 1454/9 Изд. № 393 Тираж 673 Подписное

НПО «Поиск» Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Типография, пр. Сапунова, 2 материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии. На одну из сторон пластины 1 нанесен электрод возбуждения 2, выполненный в виде отдельных секций, имеющих одинаковую ширину, а их длины пропорциональны весам соответствующих разрядов преобразуемых цифровых кодов. На ту же сторону пластины 1 параллельно электроду возбуждения 2 нанесены выходные элект- 10 роды 3. На противоположную сторону пластины 1 нанесен общий электрод 4. Поляризация сегнетоэлектрического материала, заключенного в объеме между отдельными секциями электрода возбуждения 2 и об- 15 щим электродом 4, имеет одинаковую величину и направление и в процессе эксплуатации устройства не изменяется. Запись дискретной информации в накопитель производится путем приложения полного напряже- 20 ния поляризации той или иной полярности между соответствующим выходным электродом 3 и общим электродом 4. Считывание дискретной информации производится путем одновременной подачи прямоугольного 25 импульса возбуждения на все секции электрода возбуждения 2. Выходные сигналы снимаются с выходных электродов 3.

Преобразование цифрового кода в аналоговую величину при помощи предложенно- 30 го накопителя происходит следующим образом.

Импульс возбуждения подается только на те секции электрода возбуждения 2, которые соответствуют разрядам подлежащего преобразованию двоичного кода, содержащим единицы (нули). В силу явления обратного пьезоэффекта каждая из воз.1 бужденных секций входного пьезопреобразователя генерирует бегущую механическую волну, которая по достижении выходного электрода 3, в силу явления прямого пьезоэффекта, генерирует на нем выходной заряд, пропорциональный длине возбужденного участка электрода возбуждения 2.

Ввиду того что длины отдельных секций электрода возбуждения 2 пропорциональны весам соответствующих разрядов преобразуемого кода, наведенный выходной заряд (ток) пропорционален величине преобразуемого кода.

Формула изобретения

Накопитель для запоминающего устройства, содержащий пластину из сегнетоэлектрического материала, обладающего пьезоэлектрическими свойствами в поляризованном состоянии, на одной из сторон которой расположены электрод возбуждения и параллельно ему выходные электроды, а на другой стороне — общий электрод, от л ич а ю шийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей путем преобразования цифровых кодов в аналоговые величины при считывании информации, электрод возбуждения выполнен в виде отдельных секций, имеющих одинаковую ширину, а их длины пропорциональны весам соответствующих разрядов преобразуемых цифровых кодов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США № 3681765, кл. 340 — 174, 1971.

2. Авторское свидетельство СССР № 556497, кл. G 11C 11/22, 1977 (прототип).

Накопитель для запоминающего устройства Накопитель для запоминающего устройства 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к средствам создания оптической памяти и может быть использовано для осуществления в оптической среде

Изобретение относится к устройствам обработки и/или хранения данных с активной или пассивной электрической адресацией

Изобретение относится к способу выполнения операций записи и считывания в памяти с пассивной матричной адресацией, образованной набором ячеек памяти, содержащих электрически поляризуемый материал, обладающий свойством остаточной поляризации, и к устройству для осуществления указанного способа

Изобретение относится к способу управления набором ячеек памяти или дисплеем с пассивной матричной адресацией, содержащими электрически поляризуемый материал, обладающий гистерезисом, преимущественно ферроэлектрический материал

Изобретение относится к запоминающему устройству на основе энергонезависимой матричной памяти

Изобретение относится к способу определения логического состояния ячейки памяти в запоминающем устройстве, к устройствам для сопоставления фаз, к неразрушающему считыванию содержимого ячеек памяти, содержащих поляризуемый материал

Изобретение относится к Ферроэлектрическому запоминающему контуру и способу его изготовления

Изобретение относится к ферроэлектрическому или электретному запоминающему контуру (С) с повышенной стойкостью к усталости

Изобретение относится к устройствам хранения и/или обработки данных, основанным на использовании тонких ферроэлектрических пленок, в частности к ферроэлектрическому или электретному трехмерному запоминающему устройству
Наверх