Канал продвижения цилиндрическихмагнитных доменов

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОУСКОМУ СВ ЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик (61) Дополнительное к авт. свид-ву(22) Заявлено 110679 (21) 2779042/18-24 с присоедииеимем заявки Ио (23) Приоритет

Опубликовано 280281 Бюллетень Н9 8 (51)М. Кл

6 11 С 11/14

Государственный комитет

СССР ио делан изобретеиий и открытий (З) НЖ 681.327. .66(088.8) Дата опубликоввммя описания 280281 (72) Авторы изобретения

Л.С. Ломов и Г.В. Скобелин (71) Заявитель (54) КАНАЛ ПРОДВИЖЕНИЯ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ

МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на-цилиндрических магнитных доменах (ЦМД).

Известен канал продвижения ЦМД, содержащий Т-1-образные или шевронные аппликации, расположенные на поверхности магнитоодноосной пленки (11. 10

Элементы канала продвижения не позволяют поворачивать канал продвижения под углом более 90о, кроме того, занимают большую площадь и не могут быть использованы для сопряжения канала продвижения при изменении его направления.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому .является канал продвижения ЦМД, содержащий на поверхности магнитоодноосной пленки 20

1-образные аппликации, развернутые веером в направлении поворота (2g .

Такие аппликации занимают большую площадь и имеют сложную конструкцию, так как состоят иэ большого количества (не менее 3) элементов.

Цель изобретения — упрощение канала продвижения ЦМД. .Укаэанная цель достигается тем, что канал продвижения.ЦМД, содержа- ЗО щий магнитоодноосную пленку, на которой последовательно расположены основные пермаллоевые аппликации, содержит дополнительные пермаллоевые аппликации в форме замкнутого выпуклого многоугольника, расположенные в местах изменения направления канала продвижения ЦМД и магнитосвязанные со смежными основными пермаллоевыми аппликациями. Высота дополнительных пермаллоевых аппликаций равна высоте основных пермаллоевых аппликаций.

На фиг. 1 показано расположение дополнительной пермаллоевой аппликации в канале продвижения ЦМД; на фиг. 2 - принцип действия аппликации, на фиг. 3 - варианты расположения дополнительной пермаллоевой апплйкации.

Канал продвижения ЦМД содержит магнитоодноосную пленку 1, на которой последовательно расположены основные

2 и дополнительные 3 пермаллоевые аппликации, причем дополнительные пермаллоевые ацпаликации 3 расположены в местах изменения направления 4 канала продвижения ЦМД.

Предложенный канал продвижения

ЦМД функционирует следующим образом.

Продвижение ЦМД вызывается перемагничиванием аппликаций вращающимся в

809373 плоскости аппликаций против часовой стрелки магнитным полем возбуждения

Н, . При положении вектора К,(фиг. 2а)

ЦМД 5 занимает позицию, соответствующую положению притягивающего папюса, помеченного знаком "+" (отталкивающий полюс помечен знаком "-" на аппликации 2 ). При повороте вектора

Но (фиг.2б) притягивающий полюс образуется на узком конце аппликации

2", а также на вершине аппликации 3, к ЦМД 5 растягивается, захватывая аппликации 2 и 3. Когда вектор Н„ займет положение, показанное на фиг. 2в, на аппликации 2 образуется

I отталкивающий ЦМД полюс, а на аппликации 3 притягиваищий полюс сместйтся 5 на левую среднюю часть и ЦМД 5 переместится вслед эа притягивающим полюсом. При положении вектора Н „показанном на фиг, 2г, притягивающий полюс образуется на нижней части аппли- 20 кации 3 и ЦМД 5 переместится вслед за переместившимся полюсом. При положении вектора Но,показанном на фиг. 2д притягивающий полюс образуется на правой средней части аппликации 3, ку- д да соответственно переместится ЦМД.

При положении вектора Н, показанном на фиг. 2е, образуется эона притягивающих полюсов аппликации 3 к 2, и

ЦМД 5 растягивается на обе аппликации.з0

При дальнейшем вращении вектора Н„ (фиг. 2ж), на аппликации 2 образуется более сильный притягивающий полюс, и поэтому ЦМД 5 переходит на аппликацию 2". Дальнейшее движение ЦМД 5

f по аппликации 2 происходит аналогично движению за притягивающим полюсом.

Взаимное распапоженке аппликации

2, с которой сходит ЦМД, и 2», на которую приходит ЦМД, к аппликации 3 может быть различным. аппликация 2" 40 может быть смещена под углом со сдвигом по отношению к аппликации 2 (фкг. За,в), смещена параллельно (фиг. Зб,д), угол поворота может превышать 90 .(фиг. Зг). Во всех этих слу-45 чаях движение ЦМД и работа канала продвижения ЦМД аналогична описанной выше, только переход с аппликацяи 3 . на апппккацию 2" будет происходить при различной фазе вектора Н

Предлагаемое изобретение позволяет простым способом изменять направление канаЛа продвижения ЦМД без изменения конфигурации основных аппликаций, согласовать его длину без изменения периода расположения аппликаций, а также уменьшить количество разнотипных аппликаций в интегральных схемах за счет унификации "правых" и "левых" поворотов и сопряжения каналов различной длины. Упрощается также проектирование топологии схем на ЦМД и изготовление таких схем, так как предлагаемый канал позволяет располагать аппликации по двум ортогональным осям, в то время как направление каналов может изменяться под углом, отличным от 90О (фиг. Зд).

Формула изобретения

1. Канал продвижения цилиндрических магнитных доменов, содержащий чагнитоодноосную пленку, на которой последовательно расположены основные пермаллоевые аппликации, о т— л и ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения канала продвижения цилиндрических магнитных доменов, он содержит дополнительные пермаллоевые аппликации в форме замкнутого выпуклого многоугольника, расположенные в местах изменения направления канала продвижения цилиндрических магнитных доменов и магнитосвязанные со смежнымк осиовныэж пермаллоевыми аппликациями.

2. Канал по п. 1, о т л и ч а юшийся тем, что высота дополнительных пермаллоевых апплккацкй равна высоте основных нермаллоевых аппликацкй.

Источники информации, принятые во внимание прк экспертизе. 1. Воярченков М.A. и др . Магнитные доменные логические и эапоьвнающие устройства. "Энергия", 1974.

2. Патент США В 3689901, кл. 340174., опублик. 1972 (прототкп) .

80937 3

У фдгЗ

Составитель Ю. Розенталь

Техред М. Голинка Корректор В. сутяга

Редактор Н. Кеиеля

Тираж 656 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 440/68

Филиал ППП "Патент", r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Канал продвижения цилиндрическихмагнитных доменов Канал продвижения цилиндрическихмагнитных доменов Канал продвижения цилиндрическихмагнитных доменов Канал продвижения цилиндрическихмагнитных доменов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх