Формирователь тока

 

В.С.Клейменов, И.Ф.Наумов, Н.П,Самров и H.Yco

/.; . : (72) Авторы изобретения (7!) Заявитель (54) ФОРМИРОВАТЕЛЬ ТОКА

Изобретение относится к вычиспитепь ной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах (ЗУ) на пипиндрических магнитных доменах (БМД) :

Известны формирователи тока, содержащее источники магнитного поля l3 и

5 (2J

Недостатком этих устройств является низкая надежность.

Наиболее близким по технической сущ30 ности к изобретению является устройство, содержащее блок управления, восемь ключей и два источника магнитного поли (З .

Недостаткам этого устройства явпяеч ся сложность конструкпии и низкая надеж15 ность, связанная с бопьшим копичеством сипьнот яных формирукипих элементов.

Цепь изобретения — упрощение устройства и повышение его надежности.

Эта цепь достигается тем, что в фор20 мироватепь тока, содержащий четыре ключа, вход первого из которых соединен с первой шиной управления, вход второго - со

2 второй шиной управления, два источника магнитного поля, вход первого из которых соединен с выходами первого и второго ключей, а выход с выходами третьего и четвертого ключей, введены два допапнитепьных ключа, два элемента И и две дополнительные шины управления, причем вход первого дополнительного ключа подключен к первой дополнительной шине управления и первому входу второго эпемента И, вход второго дополнительного «пюча нодкпючен ко второй допопнитепьной шине управления и к первому входу первого элемента И, вход третьего ключа подключен к выходу первого элемента И, второй вход которого подключен ко второй шине управления, вход четвертого ключа подключен к выходу второго элемента

И, второй вход которого подключен к первой шине управления, а вход второго источника магнитного поля подключен к выходу третьего ключа, а выход - к выходам первого и второго дополнительных ключей.

81 ОО 4. 1

3 85

На фиг. 1 показана схема формирователя тока; на фиг. 2 — эпюры сигналов на шинах управления и элементах формирова теля. . Формирователь тока содержит ключи

1-6, источники 7 и 8 магнитного поля элементы И 9 и 10 и шины 11-14 управл ения.

Логический сигнал с шин 11-14 управления поступает нв входы элементов И

9, 10 и нв один иэ ключей 1, 2, 5 и 6.

Фазы логических сигналов управления на шинах управления сдвинуты относительно друг друга на угол 0-90-180-270

Эпюры сигналов управления приведены на фиг. 2в. для удобства рассмотрения разобьем цикл продвижения на ряд участков, начало которых совпадает с началом фазовых импульсов на шинах управления.

На участке 1 сигналом с первой шины управления открываются ключи l и 4 (фиг. 2б). Через источник 7 магнитного поля протекает ток заряда, величина которого линейно нарастает и показана на графике фиг. 2в.

На втором участке сигналом со второй дополнительной шины управления открывается ключ 5 и одновременно подтверждается открытие ключа 4. При этом в источнике 7 магнитного поля начинается разряд энергии, а в источнике 8 магнитного ноля - накапливание энергии тока заряда. Ток разряда источника 7 магнитного поля протекает по цепи, состоящей из ключей 2 и 4. Ток заряда источника 8 магнитного поля протекает через ключи

4 и 5. Через ключ 4 одновременно протекают точки различных источников магнитных полей.

На третьем участке открываются ключи 2 и 3 и происходит накопление энергии в источнике 7 магнитного поля. Ток в источнике 7 магнитного поля через открытые ключи линейно нарастает. Одновременно ток разряда источника 8 магнитного поля начинает протекать по цепи, состоящей из ключей 3 и 5. Через ключ 3 одновременно протекают токи обоих источников магнитных полей.

На следующем участке открывается ключ 6, и подтверждается открытие ключа 3, Это вызывает разряд накопленной энергии иэ источника 7 магнитного поля и накопление энергии в источнике 8 мат нитного поля. На каждом из последующих

45 участков цикл заряда и разряда повторяется. При этом через ключи 3 и 4 всегда одновременно протекают токи различных источников магнитного поля.

Таким образом, вторая пара ключей используется квк при формировании тока в первом источнике 7 магнитного поля, так и при формировании тока во втором 8.

Кроме того, через эти ключи одновременно протекают квк токи заряда одного источника магнитного поля, так и ток разряда другого. Такое использование приводит к упоощению формирователя тока с одновременным повышением его надежности.

Формул а изобретения

Формирователь тока, содержащий четыре ключа, вход первого из которых соединен с первой шиной управления, вход второгб — с второй шиной управления, два источника магнитного поля, вход первого иэ которых соединен с выходами первого и второго ключей, а выход с выходами третьего и четвертого ключей, о т л ич а ю шийся тем, что, с целью упро щения устройства и повышения его надежности, в него введены два дополнительных ключа, два элемента И и две дополнительные шины управления, причем вход первого дополнительного ключа подключен к пер вой дополнительной шине управления и к .первому входу второго элемента И, вход второго дополнительного ключа подключен к второй дополнительной шине управления и к первсму входу первого элемента И, вход третьего ключа подключен к выходу первого элемента И, второй вход которого подключен к второй шине управления, вход четвертого ключа подключен к выходу второго элемента И, второй вход которого подключен к первой шине управления, причем вход второго источника магнитного поля подключен к выходу третьего ключа, а выход — к выходам первого и второго дополнительных ключей

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент CIIIA М 3.952.292, кл. 340-174, опублик. 1975.

2. Патент CilIA % 3.946.373, кл. 340-174, опублик. 1976.

3. Авторское свидетельство СССР

No 478427, кл. Н 03 К 4/60, 1 975 (прототип).

858100 ! .г

4

Х б

В

Составитель В. Костин Редактор В, Ивансва Техред С.Мигунова Корректор МЛароши

Заказ 7256/85 Тираж 645 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб. 4/5 филиал ППП Патент, r, Ужгород, ул. Проектная 4

Формирователь тока Формирователь тока Формирователь тока 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх