Устройство для контроля полупроводниковых фотослоев

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ и >8641.93

Союз Сееетскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. сеид-ву (22)Заявлено 20.02.80 (21) 2885077/18-25 (51)М. Кл З с присоединением заявки ¹ (23) Приоритет

G 01 R 31/26

Государственный комитет

СССР ио делам изобретений н открытий

Опубликовано 150981. Бюллетень № 34 (53) УДК 621. 382 (088 ° 8) Дата опубликования описания 15. 09. 81 (723 и втор иэобретения

О. В. Курихин (713 Заявитель (54 ) УСТРОЙСТВО ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ

ФОТОСЛОЕВ

Изобретение относится к контролю электрических свойств полупроводНиковых материалов и предназначено для контроля преимущественно сернисто-кадмиевых фотослоев емкостным бесконтактным методом.

Известно устройство для контроля полупроводниковых слоев, содержащее источник света, набор светофильтров, емкостной датчик, на котором располагается исследуемый фотослой, а также ключ и автогенератор, подключенный к осциллографу 11 .

Однако известное устройство не позволяет непосредственно измерять наклон люкс-омической характеристики (у ) фотослоев. Кроме того, это устройство не позволяет осуществить локальный контроль матричных фотослоев, изготовляемых, например, по групповой технологии, когда на одном и том же фотослое выделяется матрица фоточувствительных элементов.

Известно также устройство для контроля полупроводниковых фотослоев, содержащее источник света, набор светофильтров, соединенных с приводом, емкостной датчик, соединенный через ключ с автогенератором, выход которого соединен с масштабным устройством, последовательно соединенные разветвляющий коммутатор, запоминающее устройство, собирающий коммутатор< формирователь опорных сигналов, соединенный с компаратором, а также синхронизатор, выходы которого соединены с управляющими входами привода набора светофильтров, ключа,масштабногО устройства, коммутаторов, формирователя опорных сигналов и индикатора брака (2 .

Устройство позволяет контролиро-. вать темновое и световое удельное сопротивление (соответственно,, т и а также наклон люка-омической характеристики Г ). Однако это устройство не позволяет контролировать инерционность, под которой понимается время нарастания (ь с р) фототока до некоторого опорного уровня при скачкообразной засветке фотослоя.

Целью изобретения является обеспечение воэможности контроля инерционности. укаэанная цель достигается тем, что s устройство для контроля полупроводниковых фотослоев, содержащее источник света, набор светофильтров, соединенных с приводом, емкостной

ЗО. датчик соединенный через ключ с ав864193 тогенератором, выход которого соединен с масштабным устройством, последовательно соединенные разветвляющий коммутатор, запоминающее устройство, собирающий коммутатор, формирователь опорных сигналов, соединенный с компаратором, а также синхронизатор, выходы которого соединены с управляющими входами привода набора светофильтров, ключа, масштабного устройства, коммутатора, формирователя опорных сигналов и индикатора брака, дополнительно введены. электроуправляемый фотозатвор, пять схем И, две схемы ИЛИ и ячейка памяти, причем электроуправляемый фотозатвор расположен между источником света и на- 15 бором светофильтров, первая схема И включена между масштабным устройством и разветвляющим коммутатором, последовательно соединенные вторая схема И и первая схема ИЛИ включены 2О между собирающим коммутатором и комГ аратором, выход масштабного устройства через третью схему И соединен с вторым входом первой схемы ИЛИ, между выходом компаратора и входом индикатора брака последовательно включены четвертая схема И, ячейка памяти и вторая схема ИЛИ, кроме того выход йомпаратора через пятую схему И соединен с вторым входом схемы второй

ИЛИ, дополнительные выходы синхронизатора соединены с управляющими входами схем И.

На чертеже представлена блок-схема предложенного устройства.

Устройство для контроля полупроводниковых фотослоев содержит после- . довательно установленные источник света 1, электроуправляемый фотозатвор 2 и набор светофильтров 3, механинески соединенный с приводом 4.

Управляющие входы электроуправляемого фотозатвора 2- и привода 4 набора светофильтров. соединены с синхронизатором.5. Контролируемый фотослой располагается на емкостном датчике б, g$ включенном через ключ 7 в автогенератор 8, выход которого соединен с масштабным устройством 9,.к выходу которого подключена цепочка из последовательно соединенных первой схемы И $g . 10, разветвляющего коммутатора 11, запоминающего устройства,12>собирающего коммутатора 13,второй схемы И 14 и первой схемы ИЛИ 15, причем выход масштабного устройства 9 соединен гакже через третью схему И 16 с вторым входом первой схемы ИЛИ 15. Второй выход собирающего коммутатора 13 подключен к последовательно соединенным формирователю опорных сигналов 17, компаратору 18, четвертой 60 схеме И 19, ячейке памяти 20, второй схеме ИЛИ 21 и индикатору брака 22, причем выход первой схемы

ИЛИ 15 соединен с вторым входом компаратора 18, выход которого через 65 пятую схему И 23 соединен с вторым входом второй схемы И 14. Дополнительные выходы синхронизатора 5 соединены с управляющими. входами схем И.

Устройство работает следукщим образом.

На емкостной датчик б устанавливают фотослой и осуществляют пуск устройства. Вся дальнейшая работа протекает автоматически по сигналам синхронизатора 5, при этом контролирующая р., р и у, причем на схемы И из синхронизатора 5 подаются управляющие сигналы обеспечивающие запоминание сигналов 0, 0, Uy в, соответственно, первой, второй и третьей ячейках памяти запоминающего устройства 12. Сигналы U, U, U появляются на выходе масштабйого устройства 9,если фотослой находится, соответственно, в темноте, при освещенности Е„ или при освещенности Е . После этого осуществляется контроль 5„с р следующим образом.

Сигналы из синхронизатора 5 воздействуют на электроуправляемый фотозатвор 2, засвечивая фотослой, на привод 4, устанавливая освещейность

Е, на масштабное устройство 9, устанавливая требуемый коэффициент усиления, на схему И 10, открывая ее, на разветвляющий коммутатор 11, соединяя выход масштабного устройства 9 через схему 10 и замкнутый соответствующий ключ разветвляющего коммутатора 11 с первой ячейкой памяти запоминающего устройства

12. Спустя время выдержки Т< после засветки фотослоя освещенностью Е„ по. сигналу из синхронизатора 5 замыкается ключ 7, и емкостной датчик б включается в колебательную систему автогенератора 8, на выходе которого появляется сигнал U„, усиливаемый масштабным устройством 9 и запоминаемый в первой ячейке памяти запоминающего устройства 12. После этого по сигналу из сйнхрониэатора 5 электроуправляемый фотозатвор 2 затемняет фотослой. Оценка качества фотослоя по веЛичине инерционности осуществляется посредством контроля выполнения неравенства 7„ -„ ) 1, где С - нормируемое значенйе времени нарастания фототока. Если это неравенство соблюдается, то фотослой бракуется по 7. Эта операция выполняется следующим образом. По истечении времени Т с момента затемнения фо3 тослоя, сигналы иэ синхронизатора 5 воздействуют на электроуправляемый фотозатвор, засвечивая фотослой освещенностью Е, на масштабное устройство 9, устанавливая требуемый коэффициент усиления, на схему И 16, связывая выход масштабного устройства

9 через схемы И 16 и ИЛИ 15 с вторым входом компаратора 18, на схему И 19, обеспечивая прохождение сигнала.с

864193 выхода компаратора 18 через схему

И 19 на вход ячейки памяти 20, на собирающий коммутатор 13, обеспечивая подачу сигнала U из первой ячейки памяти запоминающего устройства 12 на вход формирователя опорных сигналов 13, на формирователь опорных сигналов 13, обеспечивая формирование опорного уровня, например,0,63 ° U и .подачу его на первый вход компаратора 18. Спустя время 7 с момента

1 засветки фотослоя из синхронизатора 5 на управляющий вход схемы И

16 поступает сигнал запрета, а на управляющий вход индикатора брака 22 приходит сигнал разрешения. Если

Тцц, < ь, то фотослой:не бракуется так как s течение интервала времени сигнал с выхода масштабного устройства 9, прошедший через схемы И 16 и

ИЛИ 15 на второй вход компаратора 18 превышает уровень 0,63 ° U<, сигнал 20 с выхода компаратора 18 проходит через схему И 19 и в ячейке памяти 20 запоминается "1". В этом случае с выхода ячейки памяти 20 через схему

ИЛИ 21 поступает запрет на вход ин- 5 дикатора брака 22, в нем запоминается

"О," и фотослой не будет забракован по икцр . Если „®, vÔ или, что то же самое, в течение интервала времени сигнал с выхода масштабного устройст- () ва 9 не.превышает уровень 0,63 U<, с выхода компаратора 18 через схему И

19 на ячейку памяти 20 не поступает сигнал..Ячейка памяти 20 сохраняет исходное (нулевое) положение, с ее выхода на вход индикатора брака 22 подается разрешение и после прихода нз синхронизатора 5 разрешения на вход индикатора брака, 22 в нем запом-. нится "1" и фотослой бракуется по знаю. 40

В результате выполнения всех описанных операций светится индикатор брака 22, если хотя бы один из контролируемых параметров (,g у,у к р ) фотослоя не укладывается в за данные пределы.

Формула изобретения

Устройство для контроля полупро водниковых фотослоев, содержащее источник света, набор светофильтров,! соединенных с приводом, емкостной датчик, соединенный через ключ с автогенератором, выход которого соединен с масштабным устройством, последовательно соединенные разветвляющий коммутатор, запоминающее устройство, собирающий коммутатор, формирователь опорных сигналов, соединенный с компаратором, а также синхронизатор, выходы Которого соединены с управляющими входами привода набора светофильтров, ключа, масштабного устройства, коммутаторов, формирователя опорных сигналов и индикатора брака, о т л и ч а ю щ е е cятем,,что, с целью обеспечения возможности контроля инерционности, в него дополнительно введены электроуправляемый фотоэатвор, пять схем И, две схемы

ИЛИ и ячейка памяти, причем электроуправляемый фотозатвор расположен между источником света и набором светофильтров, первая схема И включена между масштабным устройством и разветвляющим коммутатором, последовательно соединенные вторая схема И и первая схема ИЛИ включены между собирающим коммутатором и компаратором, выход масштабного устройства через третью схему И соединен с вторым входом первой схемы ИЛИ, между выходом компаратора и входом индикатора. брака последовательно включены четвертая схема И, ячейка памяти и вторая схема ИЛИ, кроме того выход компаратора через пятую схему И соединен с вторым входом второй схе- мы ИЛИ дополнительные выходы синхронизатора соединены с управляющими входами схем И.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Установка для бесконтактного контроля сернисто-кадмневых фотослоев. Паспорт АДВ.051,00.00ПС,1974. 2. Авторское свидетельство СССР по заявке 9 2617888/18-25, кл. 6 01 и 31/26, 16.05.78 (прототип).

864193

Тираж.735 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по -делам изобретений н открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 7777/67

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная,4

Составитель 3. Челнокова

Редактор Е. Дорошенко Техред М. Голинка Корректор С. Щомак

Устройство для контроля полупроводниковых фотослоев Устройство для контроля полупроводниковых фотослоев Устройство для контроля полупроводниковых фотослоев Устройство для контроля полупроводниковых фотослоев 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх