Держатель для полупроводниковых пластин

 

Ой ИСЛНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советсимк

Социалыстычесимк

Рвсттублттк

Опубликовано 15.09.81. Бюллетень J4 34

Дата опубликования описания 17.09.8 1. (5O)M. Кл.

Н 01, 21/00

3ЬеударсткииыЯ кеиитет

СССР во делзкт изобретеиий и открытий (53) УДК . 328(08 8,8) A. В. Барышев, В. П. Стекачев, А. Т. Мягкое, (А. A. Овечкин и Н. B. Лебедев (72) Авторы изобретения (71) Заявитель (54) ДЕРЖАТЕЛЬ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Изобретение относится к технологическому оборудованию для производства полупровогвгиковых приборов и может быть использовано для закрепления полупроводниковых пластин в процессах эпитаксии, плаэмохимического осаждения слоев полу5 проводника и фотолитографии.

Наиболее близким к предлагаемому является держатель для поЛупровоангковых пластин, содержащий основание и

10 прижимные элементы, выполненные в виде упругих пластин, жестко закрепленных на основании одним концом (1).

Недостатком данного держателя при закреплении полупроводниковых пластин являются трудоемкая заГруэка-выгрузка, и невозможность обработки при больцем числе обрабатываемых полупроводниковых пластин»

Бель изобретения - удобство эксплуатации.

Бель достигается тем, что в держателе для полупроводниковых пластин, содержащем основание и прижимные элементы, выполненные в виде упругих пластин, жестко закрепленных на основании одним концом, основание снабжено штырями, каждый иэ которых размещен в отверстии, выполненном в основании, с возможностью взаимодействия с незакрепленным концом упругой пластины.

На иг. 1 .изображен держатель для полупроводниковых пластин, вид сверху; на фиг. 2 - разрез А-А на фиг. 1; на фиг. 3варна ты исполнения; на иг. 4 - разрез

Е Б на фиг. 1; на фиг.5 - варианты исполненияия»

На основании 1 закреплены прижимные элементы в виде упруГих пластин 2; под ними в ocHDBBHHH 1 выполнены отверстия, в которых расгголожены штыри Э и 4»

Упругие пластины 2 жестко закреплены на основании одним концом.

Загрузка держателя происходит следующим образом.

Основание 1 располагают на плоскости поверхностью, свободной от прижимных элементов (при варианте исполнения Фаг.

3 необходим шаблон с выступами). При этом выступающие из основания 1 штыри

3 и 4 утапливаются и верхним концом поднимают упругие пластины 2. Далее жг ко вставляются полупроводниковые пластины 5 до упора в штыри 3, чем обеспечивается захват пластин 5 упругими пласти нами 2. Затем держатель поднимается с плоскости, штыри 3 и 4 утапливаются и упругие пластины 2 прижимают пластины 5. Теперь церж атель готов к работе ., Выгрузка пластин 5 происходит айалогично. Это упрощает eat рузку и выгрузку пластин, следовательно, повышает производительность процесса.

Формула из обретения

Держатель для полупроводниковых пластин, содержащий основание и прижим64381

4 ные элементы, выполненные в виде упру гих пластин, жестко закрепленных на основании одним концом, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью удобства эксплуатации, основание снабжено штырями, каждый из которых размещен в отверстии, выполненном в основании, с возмсиностью взаимодействия с незакрепленным концом упругой пластины.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе:

1, Авторское свидетельство СССР

No. 561236, кл. Н 01 4 21/68, 1975 (прототип).

864381 фаз g

2 5

7807/76 Тираж 787 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открыгий

113035, Москва, Ж 35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ

Филиал ППП Патент, г. УжГород, ул. Проектная, 4

Составитель Л. Гришкова

Редактор Н. Минко Техред А. Ач Корректор Г. Решетиик

Держатель для полупроводниковых пластин Держатель для полупроводниковых пластин Держатель для полупроводниковых пластин 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области электричества, а более конкретно к технологии изготовления биполярных полупроводниковых приборов: диодов, тиристоров, транзисторов

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, а более конкретно к методам радиационно-термической обработки диодов, работающих на участке пробоя вольтамперной характеристики, и может быть использовано в производстве кремниевых стабилитронов, лавинных вентилей, ограничителей напряжения и т.п

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении интегральных схем, особенно при необходимости минимизации количества операций литографии

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике
Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к технологии полупроводников и может быть использовано для получения многослойных эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов методом жидкофазной эпитаксии

Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, используемых для производства диодов, транзисторов, тиристоров, интегральных схем и кремниевых структур с диэлектрической изоляцией
Наверх