Резистивный материал


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Союз Советсккк

Социалмстмческнх

Республик

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (ii)894804 (61) Дополнительное к аат. санд-ау— (22) Заявлено 22.01.80 (2I ) 2872128/18-21 с присоединением заявки М— (23) Приоритет— (51 ) М. Кд.

Н 01 С 7/00

)осударетееиный комитет оо делан изобретений и открытий

Опубликовано 30,12.81. Бюллетень М 48

Дата опубликования описания 30.12.81 (53) УДК 621.396. .69 (088.8) М. Г. Спупьков, о. И. Карпечепков, Л. И. Горькова, Е. И. Астров и Ю. А. Шоткин

f( (72) Авторы изобретения (7I) Заявитель

Горьковский политехнический институт (54) РЕЗИСТИВНЫ1т МАТЕРИАЛ

Изобретение относится к электронной тех нике, в частности к резисторостроению, и мо жет быть применено в качестве проводящего споя для. тонкопленочных резисторов и для элементов схем, полученных методом ионноплазменного напыления.

Известны резистивньте материалы на основе тутоплавких металлов и их соединений, применяемые для получент1я тонких пленок методом ионно-плазменного напыления, напри10 мер, Gr — Si, Gr — SiO> (1l, Недостатком резистивных пленок, полученных из этих материалов, является высокий

ТКС (температурный коэффициент сопротивления) (13000 — 5000 ° 10 6/ С) и плохая воспро1$ изводимоеть результатов.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является сплав 12) хрома, кремния и вольфрама, который содержит,вес.%:

Хром 52-60

Кремний 34 — 47

Вольфрам 1 — 6

Недостатком известного резистивного материала является малый диапазон номиналов и высокий ТКС получаемых реэистивных пленок: тонкопленочные. резисторы имеют ТКС до + 1800 10 1/ С и удельное злектросопротивление до 50 Ом/п.

Цель изобретения — расширение диапазона значений удельного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления.

Поставленная цель достигается тем, что в резистивный материал, состоящий иэ хрома, вольфрама и кремния, дополнительно введена двуокись марганца, при следующем соотноше. нии компонентов, вес,%:

Вольфрам 2 — 15

Кремний 2 — 15

Двуокись марганца 2 — 30

Хром Остальное

Введение в известный реэистивный материал двуокиси марганца позволяет снизить ТКС получаемых резистивных пленок, расширить диапазон их удельных сопротивлений, сохранить во всем диапазоне высокую стабильность их свойств .во времени при температуре окружающей среды до + 200 С.

894804

Таблица 1

Окись марганца

Мп01

Кремний

Смеси Хром Вольфрам

Cr W

15

63

30

10

10

Таблица 2

Сплав Удельное сопротивление, Ом/д ТКС, 10 1/ С

5 — 500

0,8 — 150

50 — 5000

150 — -100

300 — — 15

150 — -150

0,8 — 250

150 — — 50

ВНИИПИ Заказ 1150

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Кроме того, введение Ми0> способствует стеклообразованию, что позволяет получать более прочные мишени для ионно-плазменного юпы пения.

В табл. 2 приведены результаты испытаний мощностью 0,5 Вт типа МЛТ, полученных на предельных и среднем составах предлагаемого ьвтериала, в том числе для удельных сонротивлений до 200 Ом/П приведены результаты, полученные как на безнарезных, так и на наКак видно из таблицы, полученные из предлагаемого сплава резистивные пленки имеют более широкий диапазон номиналов и более низкий ТКС, чем резистивные пленки, полученные из известного сплава.

Этот резистивный материал в настоящее время находится на стадии внедрения в серийное производство и при внедрении позволит получить: экономический эффект, связанный с улучшением электрических характеристик по. лучаемых из него резисторов.

Формула изобретения

Резистивный материал для изготовления тонкопленочных резисторов, включающий хром, волБф1йм и кремний, о т л и ч а ю щ и й4

Пример. Для получения мишеней готовят 4 порошкообразные смеси, содержащие . исходные компоненты в количествах (вес.%), приведенных в табл. 1. резных резисторах, а для удельных сопротивлений свыше 200 Ом/о приведены результаты, полученные только на нарезных резисторах, что обусловлено ограничением до 200 Ом выл пуска в производстве безнарезных резисторов типа МЛТ вЂ” 0,5 Вт.

Р с я тем, что, с целью расширения диапазона значений удельного сопротивления и снижения температурного коэффициента сопротивления, 40 он дополнительно содержит двуокись марганца при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%:

Вольфрам 2 — 15

Кремний 2 — 15

45 Двуокись марганца 2 — 30

Хром Остальное

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Кондратов Н. М. Реэистивные материалы.

-"Обзоры по электронной технике". Сер. "Материалы". Вып. 4 (635), 1979, с. 23.

2. Авторское свидетельство СССР У 376816, кл, Н 01 С 7/02 (прототип).

55 ! /83 Тираж 787 Подписное

Резистивный материал Резистивный материал 

 

Похожие патенты:

Резистор // 890451

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх