Керамический материал для изготовления высокочастотных термокомпенсирующих конденсаторов

 

Союз Советскик

Социалистическик

Республик (»>912715

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБЬЕТЕ Н ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (61) Дополнительное к авт. свмд-ву (22)Заявлено 05.05.80 {21 2937018/29-33 с присоединением заявки,рв— (23) Приоритет—

Опублмковаио 15.03.82, юллатеиь pg 10 (и)м. кл.

С 04 8 35/00

С 04 В 35/46

9кударстккииый коиитвт

СССР во длиаи иэобретеиий и открытий (53) УЙК 666.638 (088. 8) Дата опубликования описания 15.03.82 (72) Авторы изобретения

F.А.Ротенберг., Е.А.Ненашева и Н.Ф. Картенко (7l ) Заявитель (54) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 11ЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ТЕРМОКОИПЕНСИРУЮ>цИХ

КОНДЕНСАТОРОВ

10

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано в производстве высокочастотных термокомпенсирующих керамических конденсаторов с температурным коэффициентом диэлектрической проницае" мости (TKE) 150 10 град, - 220 х х 10 град ", -330 ° 10 град 1 с повышенной удельной емкостью.

Известен керамический материал с ТКЕ (+120 10 - (-220,30)град и диэлектрической проницаемостью 5l 96 Е11.

Однако этот материал хаоактери-. зуется низким значением диэлектричес IS кой проницаемости и не пригоден для и з готовлення термокомпен сирующих конденсаторов различных групп

ТКЕ.

Наиболее близким к изобретению является керамический материал123 для изготовления высокочастотных

2 термокомпенсирующих конденсаторов имеющий следующий состав мас.Ф

ВаО 19, О -19,2

Ndg0g 16,6-37,5

Ti0q 39,5-39,7

1ав0з 4,0-24,5

Однако данный состав основанный на системе BaTiO>(Im>0>3Ti@ где

Ln=La, Nd, обладая низкими диэлектрическими потерями (tg 8 (2-3) ° 10) и высоким сопротивлением изоляции (ф, > 10 Ом см), имеет невысокие значения диэлектрической проницаемости 90-98 при ТКЕ - (150470) 10 град ". .Целью изобретения является получение температурного коэффициента диэлектрической проницаемостц в интервале ("150 16 ) (-330 10) град и повышение диэлектрической проницаемости., Указанная цель достигается тем, что керамический материал для изготовления высокочастотных термокомФормула изобретения

Подписное пенсирующи х конденсаторов, содержа- Bзвешивают пр звешивают предварительно прокащий TiOy, LазОв, ВаО, дополнитель- ленные при 1373-1473 ((Sm и: лаp но содержит BigOs, ЬпеОэ, СаО при Ва О, ВаСО из Расчета (16,1-16,3) следующем соотношении компонентов, мас.4: СаО, Вь О, Т Оа, загружают в виброLa 06 18 2-2 1 мельницу при соотношении шаров и маЬ,-3, териала (6-4) 1 и смешивают в течеВаО 16 1-16 3

Ф 1 ние 30-60 мин, после чего шихту проВ О 21 2-24,0 каливают при 1473-1523 К

Sm Оз 0 1-4 1 с выдерж з 10 кой 2 ч. Полученный продукт размалыСаО 0 7-09 ,9 вают до величины удельной поверхСостав материала соответствует ности 6000-8000 см /г, изготавливаформуле BaTiO>CaTi® (Ln O>3TiOq)x ют образцы согласно ГОСТУ 5458-74 х(,Вд 0 3TiO ) г е Ы==" Яг .

ll

Материалы керамические радиотехниРеальность и оптимальность пред- и ческие" и измеряют и меряют из электрические лагаемого соотношения ингредиентов свойства. Из з полученного материала подтверждается примерами по минимуму, оформляют за

Ф о рмпяют заготовки конденсаторов принятым в керами максимуму и среднему значению, мас.4 любым методом прин

Т10з

l1 р и м е р 1 (по минимуму) . ческой технологии. Обжиг з

) " . г заготовок

37,7 щ проводят в интервале 1593-1633 К. ь и, 20,0

ВаА 16 3.

Использование предлагаемого мате"

Вз 0

1 риала с,повышенной диэлектрической

21,2 проницаемостью при ТКЕ=-(150-330) х

Sm 0з 4 1 10б -л

СаО

1 х 10 град позволяет получать термо0,7 компенсирующис высокочастотные яанный состав имеет величину диэ- конденсаторы с большей удельной лектрической проницаемости 135-137, TKE = -150 10 град", tg8{2-3) 10,fv при 428 К р 10 Ом см {измерения проведены на частоте 1 мГц) .

Пример 2. (по максимуму) .

TiO 37,5 Керамический матери ал для из готовЕа Оз 21,9 ления высокочастотных термокомпенсиВ О

Й.. 16,1 рующих конденсаторов, содержащий

Big+ 23,5 Ti0@ La ® ВаО, отличаюSm 0

2 3 0 э1

У Я щ и и с я тем,что, с целью получеСа0 0,9 ния температурного коэффициента

Электрические характеристики мате- Диэлектрической прониЦаемости в риала при этом следующие с 154-156 интервале (150 10 ) - (-330 10 г а

ТКЕ 330,1Р .г а - „Я (2 3) 10 и повышениЯ диэлектРической пРониград, y ) 1 P 0м, см при 428 К цаемости, îí дополнительно сойеРПример 3 {по среднему значе- жит В О, $ ц О и СаО при следующем нию) . соотношении компонентов, мас.3:

ТИг 37,8 Ti0 37,5-37,8

1,а О 21,2 1 4Ъ 18,2-23,1

Ва0 16 1 ВаО 16,1-16,3.

Bi O 22,1 В 0 21,2-24,0 П 2 Ъ 2,0 Sm 0 0,1-4,1

СаО 0,8 СаО 0 7-0 9

Электрические характеристики мате- Источники информации р ала при данном составе следующие; и

$0 принятые во внимание при экспертизе

I д = 146-148 TKE =- -220 10 град, 1. Патент Японии М 50-20280

4/

Э ° i

tv, =,2-3) 10, „ 10 ОИ см при кл. 62, С 23, опублик. 1975.

2. Авторское свидетельство СССР

Составы материалов получают следу- 11 628133, кл. С 04 В 3 /46, ющим образом. опублик. 1977.

ВНИИПИ Заказ 1306/33 Тираж 640, Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4