Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках

 

ОП ИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советскил

Социапистическик

Респубттик ()940089 (6l ) Дополнительное к авт. саид-ву (22)Заявлено 11.07.80 (21) 2980111/18-21 с присоелииением заявки Рй— (2В) Приоритет— (51) М. Кл.

С О1 R 31/26 Ьеударетеелный камитет

СССР ло делам взобретений н открытий

Опубликовано 30 06.82. Бюллетень № 24 (53) УДК621 382. .002(088.8) Дата опубликования описания 30. 06. 82

M. Е. Бородянский и Н. Н. Цопк о (72) Авторы изобретения ил тт"н

ТЕУ.т1тт,„Е ):,;,. имБИЩф0. @умыко а

Таганрогский радиотехнический инстит (71) Заявитель (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ВРЕМЕНИ ЖИЗНИ

НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к измерению электро-физических параметров полупроводниковых монокристаллов.

Известно устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках, содержащее источник света, коллекторный контакт, измеритель фото-ЭДС (1).

Однако устройство имеет большую погрешность измерения жизни неосновных носителей тока из-за малой амплитуды сигнала, несущего в себе информацию в низкое быстродействие из-за необходимости дополнительной обработки полученной информации.

Наиболее близким техническим решением к преалагаемому является устройство для измерения времени жизни не- 20 основных носителей тока полупроводниковых монокристаллов, содержащее испытуемый образец, датчик переходного сопротивления контакта инжекционного зонда, генератор спаренных импульсов, ограничитель импульсов и осциллограф E2).

Недостатками известного устройства являются невысокая достоверность результатов измерения и большие затраты времени на получение окончательного результата измерения времени жизни неосновных носителей.

Цель изобретения - повышение достоверности результатов измерения и уве" личение быстродействия.

Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках, содержащее последовательно соединенные генератор одиночных импульсов, элемент задержки и суммирующий блок, соединенный другим входом с выходом генератора одиночных импульсов, преобразователь напряжение-ток, датчик с измерительными зондами для подключения исследуемого образца и блок регистрации, вве3 94008 дены четыре ключа, второй и третий преобразователи напряжение-ток, дополнительный элемент задержки, элемент сравнения с блоком уставки, генератор импульсов, счетчик, конденсатор и резистор, причем выход суммирующего блока через первый преобразователь напряжение-ток соединен с входом датчика, первый выход которого подключен к входу первого и второго ключей, 10 выходы которых соответственно через второй и третий преобразователи напряжение-ток соединены с первой обкладкой конденсатора и входом третьего ключа, управляющий вход которого 15 через дополнительный элемент задержки соединен с управляющим входом второго ключа и выходом генератора одиночных импульсов, выход элемента задержки соединен с управляющим входом первого ключа, выход третьего клю. ча подключен к первому входу элемента сравнения и к первому выводу резистора, второй вывод которого соединен с второй обкладкой конденсатора, подключенной к второму выходу датчика, выход блока уставки соединен с вторым входом элемента сравнения, выход которого соединен с управляющим входом четвертого ключа, соединенного через счетчик с блоком регистрации, к входу четвертого ключа подсоединен генератор импульсов.

На чертеже представлена структурная схема поедлагаемого устройства.

Устройство содержит генератор одиночных импульсов, суммирующий блок

2, элемент 3 задержки, преобразователи 4-6 напряжение-ток, ключи 7-10, датчик 11, исследуемый образец 12, блок 13 уставки, дополнительный элемент 14 задержки, элемент 1 сравне" ния, конденсатор 16, резистор 17, генератор 18 импульсов, счетчик 19, блок 20 регистрации.

Устройство работает следующим образом.

Генератор 1 вырабатывает серию импульсов, период следования которых больше времени, рекомбинации неравновесных носителей инжектированных в образец. С выхода блока 2 через преобразователь 4 напряжение-ток и измерительные -зонды датчика Il на образец 12 поступают два импульса тока, формируемых генератором I и элементом 3 задержки. Инжектируемые в образец неосновные носители первым импульсом изменяют проводимость образца 12

9 4 в области контакта. По окончании первого импульса концентрация неосновных носителей заряда уменьшается эа счет процесса рекомбинации. Этому соответствует увеличение сопротивления образца и возвращение его к исходной величине. Изменение сопротивления образца измеряется между зондами с помощью второго импульса в зависимости от времени задержки элемента 3.

На время действия первого импульса на выходе блока 2. открывается ключ

7 и преобразователь 5, формирующий ток положительного знака, пропорциональный уровню напряжения на его входе, обеспечивает заряд конденсатора

16 до значения напряжения, пропорционального падению напряжения на переходе от первого импульса. Установившееся напряжение на конденсаторе 16 хранится до момента появления на выходе блока 2 второго импульса, который, помимо воздействия на контакт зонд-образец, открывает ключ 8 и формирует на выходе преобразователя 6 . ток отрицательной, величины, пропорциональной изменившемуся значению падения напряжения на переходе. 3а время второго импульса происходит разряд конденсатора 16. Напряжение U на обкладках конденсатора 16 после воздействия первого импульса, равно U „ а после воздействия второго

С импульса где U u U -- напряжение на обкладс ск ках конденсатора после воздействия соответствующих импульсов;

t u t — длительность первого

1 и второго импульсов соответственно;

I u I — значения токов с вы4 хода преобразователей

9 и 6, которые пропорциональны значениям падения напряжения на контакте зонд-образец после воздействия первого и второго импульсов соответственно.

После окончания второго импульса открывается ключ 9, создающий цепь

089

+ lг с с2.

> = < + р = QUce формула изобретения

5 940 для разряда конденсатора через резистор 1) с постоянной времени RC. Напряжение Ц на конденсаторе 16, изменяющееся по закону

5 поступает на вход элемента 15 сравнения, на второй вход которого поступа- 10 ет сигнал U T блока 13.

При выполнении условия U > U уст элемент l5 сравнения обеспечивает открывание ключа 10, подключающего генератор 18 ко входу счетчика 19.

Счетчик 19 осуществляет счет импульсов до тех пор, пока на входе элемента 15 сравнения не наступает условие U . U>, при выполнейии которого элемент l5 производит запира- Ю ние ключа 10.

Число N, получившееся в счетчике к этому моменту, пропорционально выражению

N =- t = (gUся.— Юст1

С учетом того, что величина E„U д пропорциональна времени жизни, и с учетом постоянной поправки и уст

Таким образом, если счетчик 19 начинает счет с числа то в конце цикла

t измерения результат показаний счетчика пропорционален времени жизни. Результат фиксируется в регистрирующем блоке 20 и может быть передан для дальнейшей обработки.

Путем подбора постоянной времени можно легко добиться равенства числа, полученного в счетчике, и времени жизни.

Предлагаемое устройство позволяет существенно повысить достоверность результата измерения и увеличить быстродействие более чем в 2 раза.

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках, содержащее последовательно соединенные генератор одиночных импульсов, элемент задержки и сум. мирующий блок, соединенный другим входом с выходом генератора одиночных импульсов, преобразователь напряжение-ток, датчик с измерительными зондами для подключения исследуемого образца и блок регистрации, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью повышения достоверности результатов измерения и увеличения быстродействия, в него введены четыре ключа, второй и третий преобразователи напряжение-ток, дополнительный элемент задержки, элемент сравнения с блоком уставки,генератор импульсов, счетчик, конденсатор и резистор, причем выход суммирующего блока через первый преобразователь напряжениеток соединен с входом датчика, первый выход которого подключен к входу первого и второго ключей, выходы которых соответственно через второй и третий преобразователи напряжениеток соединены с первой обкладкой конденсатора и входом третьего ключа, управляющий вход которого через дополнительный элемент задержки соединен с управляющим входом второго ключа и выходом генератора одиночных импульсов, выход элемента задержки соединен с управляющим входом первого ключа, выход третьего ключа подключен первому входу элемента сравнения и к первому выводу резистора, второй вывод которого соединен с второй обкладкой конденсатора, подключенной к второму выходу датчика, выход блока уставки соединен с вторым входом элемента сравнения, выход которого соединен с управляющим входом четвертого ключа, соединенного через счетчик с блоком регистрации, к входу четвертого ключа подсоединен генератор импульсов.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Hayner J. R., Phys. Rev. 1951, v 81, ll 5, р. 835.

2. Ковтонюк Н. ф. и др. Измерения параметров полупроводниковых материалов. Изд. "Металлургия", 1970, с. 206-209 (прототип).

940089

Тираж 717 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Заказ 4661/67

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель Н. Чистякова

Редактор Н. Чубелко Техред M.Ãåðãåëü Корректор М. Коста

Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх