С использованием тонкопленочной технологии (H01C17/075)
H01C17/075 С использованием тонкопленочной технологии(9)
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления тонкопленочных платиновых терморезисторов на диэлектрических подложках и устройству тонкопленочного терморезистора, которые могут быть использованы при изготовлении дискретных измерителей уровня температуры.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления пиротехнического резистора, который может быть использован в средствах воспламенения. Оптимизация технологии производства, улучшение повторяемости характеристик и повышение надежности пиротехнических резисторов является техническим результатом изобретения, который достигается за счет того, что способ включает формирование резистивной активной области и планарных контактов в едином технологическом цикле с использованием одного материала – титана или алюмотитанового сплава по технологии производства тонкопленочных чип-резисторов методом нанесения в вакууме на диэлектрическую подложку резистивных и контактных материалов.
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано для получения тонкопленочных резисторов на основе тантала и его соединений. Технический результат - получение заданной конфигурации пленочных резисторов на основе тантала и его соединений без подтравливания по ширине резистора.
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способу изготовления электрически изолированных резисторов микросхем на арсениде галлия с высокой термостабильностью. Технический результат заключается в увеличении термостабильности и повышении пробивного напряжения изолирующих слоев микросхем на арсениде галлия.
Изобретение относится к области электроники и может быть использовано при изготовлении ЧИП резистивных высокочастотных (ВЧ) аттенюаторов. Техническим результатом является увеличение рассеиваемой мощности и упрощение технологии изготовления резистивного ВЧ-аттенюатора.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления тонкопленочных чип-резисторов, резистивных матриц, а также гибридных интегральных схем с резисторами в производстве радиоэлектронной аппаратуры различного назначения.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к производству постоянных резисторов, и может быть использовано в электронной, радиотехнической и других смежных отраслях промышленности, в том числе мощных, высокочастотных цепях.
Изобретение относится к области электротехники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных резисторов, и может быть использовано в радиоэлектронной промышленности, приборостроении и вычислительной технике.
Изобретение относится к технологическим процессам изготовления тонкопленочных резисторов. .