Керамический материал
/29-33 КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий BaTiOg и MgNbjOe.отличающийся тем, 4TOf с целью повышения удельного.объемного сопротивления, он дополнительно содержит SrTiO при следующем сооггношении компонентов, мас.%: BaTiO 77,20-80,50 MgUbjOi 0,10-3,00 16,50-20,70 SrTiOj
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ
РЕСПУБЛИК
МЮ С 04 В.35
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ, Н ABTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВ,Ф
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ НОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЗ (21) 3489678/29-33 (22),02.07.82
{46) 07.12.83. Бюл. Ю 45 (72) A.И. Акимов, A.Н. Плевако и М.Н. Мурая (71) Институт физики твердого тела и полупроводников AH БССР (53) 666,655(088.8) (56) 1. Окадзака К. Технология керамических диэлектриков. М., "Энергия", 1976, с, 204.
2. Авторское свидетельство СССР
9 654581, кл. С 04 В 35/00, 1977 (прототип).
„.SU„„1 A (54 ) (57 ) КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий BaTi08 и MgNb BaTiO> 77,20-80,50 MgNbgO4 0,103 00 Sr T1O . 16, 50-20, 70 1058941 10 40 Компоненты, мас.Ъ Диэлектрическая проницаемость i =1 кГц Тангенс угла диэлектрических потерь (1О "УДельное объемное сопротивление, 10 Ом N М В 06 Ba Ti Op Вг TiO 850С -60 С 77,20 22,70 0,10 12800 0,8 0,6 86 4,3 73 1,8 80,50 16,50 3,00 15600 1,5 Изобретение относится к произ водству керамических материалов, предназначенных для использования в радиоэлектронике и электротехнике для изготовления низкочастотных конденсаторов с большой удельной емкостью. Известны керамичвские материалы в системе BaTi0 — SrTi08 . Материалы в этой системе имеют точки Кюри от +120 С до -180 С. Но максимальное значение диэлектрической проницаемости в рабочем диапазоне температур не превышает 11000 P) . Наиболее близким к данному является конденсаторный материал f2) состава, мас.Ъ: BaTiOg «83,2-90,6 ВаЕг0 8 16 МВЯЬ 06 О, 8-1,4 Материал имеет высокие значения диэлектрической проницаемости, достигающие 30000, однако имеет недостаточно (7 10 - 5 10 OMiм) высокие значения удельного электрического сопротивления. Цель изобретения — повышение удельного объемного сопротивления. Укаэанная цель достигается тем, что керамический материал, содержащий ВаТ10 и MgNbg06, дополнительно содержит SrTiO при следую- . щем соотношении компонентов, мас.%s B@TiOq 77,20-80,50 Мяиъ с 0,10-3,00 SrТ 0 l6,50-22,70 Сущность изобретения заключается в том, что содержание ионов маг ния и ниобия в койденсаторном MaTer риале обеспечивает повышение ди- i 78 60 1 10 20200 Как видно из приведенных данных, бО технические преимущества полученного конденсаторного материала оптимального состава заключаются в том, что он обладает значительно более высоким Удельным Объемным элект б5 электрической проницаемости и удель ного электросопротивления. Ионы магния и ниобия, входя в кристаллическую Решетку твердого раствора BaTiO — SrTiO, повышают поляризуемость материала и тем самым приводят к повышению диэлектрической проницаемости. Соотношение между ВаТ10, SrTiO и МВИЬу06 берется таким, чтобы точка Кюри была вблизи 15 300 С. Оптимальная добавка MaNb2 "6 нахо" дится в пределах 0,1-3,00 мас,Ъ и при дальнейшем увеличении ее количества диэлектрическая проницаемость, удельное объемное. сопротивление уменьшается, а диэлектрические потери увеличиваются. Если же добавка MSHbg06 меньше 0,1 мас.Ъ несколько повышается температура спекания, а эффект увеличения диэлектрической проницаемости и удельного объемного сопротивления незна- чителен. Конденсаторный материал получают по общепринятой керамической технологии. Приготавливают смесь из предварительно синтезированных BaTiO3, SrTi0g и М ВЪ206 взятых В необходимых соотношениях и затем измельчают, из смеси получают заготовки прессованием в виде таблеток, которые обжигают в электрической силитовой печи при 13801420вС с выдержкой при конечной температуре в течение 2 ч. Готовят три смеси ингредиентов. Каждая смесь спекается в электрической силитовой печи. Электрические свойства полученного конденсаторного керамического материала приведены в таблице. Относительное изменение диэлектрической проницаемости, В (по сравнению с Т=2ФС) при росопротивлением при сохранении высоких значений диэлектрической проницаемости по сравнению с известными конденсаторными материалами, используеьими для изготовления низкочастотных конденсаторов. 1ОЬВ941 Составитель Н. Фельдман Редактор О..Колесникова ТехредС.Легеза Корректор О. Тигрр Заказ 9699/21 Тиран 622 Подписное ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Яосква, Л-35, Раушская наб., д. 4/5 Филиал ПЛП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Технология получения предложенного конденсаторного материала не отличается от технологии получения известных и широко применяемых в промышленности материалов.
