Тонкопленочный подстраиваемый резистор

 

ТОНК01ШЕНОЧНЫЙ ПОДСТРАИВАЕМЫЙ РЕЗИСТОР, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней подстраиваемым резистивным элементом и контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью повьшеиия стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации , он снабжен электроискровым планарным электродом, размешенным на да1электрической подложке и выполненным с острием, ориентированным на подстраиваемый резистивный элемент,.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

PECflVEiËÈH (19) (11) А (Ц1) Н 01 С 7/00 1

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСНОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3534587/18-21 (22) 06.01.83 (46) 07.05.84. Бюл. N - !7 (72) В,П.Бушланов и В.И.Евдокимов (71) Государственный научно-исследовательский институт теплоэнергетического приборостроения (53) 621.316.8(088.8) (56) I. Морозов Г.В. и др. Исследование процесса электронмпульсной доводки номинала тонкопленочных нихромовых резисторов.-В кн.: Современные

1 металлы и сплавы в приборостроении.

М., 1972, с. 19 21.

2. Авторское свидетельство СССР

)! 326645, кл. Н 01 С 17/00, 1969 (прототип), (54) (57) ТОНКОПЛЕНОЧНЬ1Й ПОДСТРАИВАЕМЫЙ РЕЗИСТОР, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней подстраиваемым резистивным элементом и контактными площадками, о т л и— ч а ю шийся тем, что, с целью повышения стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации, он снабжен электроискровым планарным электродом, размещенным на диэлектрической подложке и выполненным с острием, ориентированныл» на подстраиваемый резистивный элемент.

109!232

Составитель В.Герасичкин

Редактор Н.Руднева Техред N,Òeïåð Корректор В.Синицкая

Заказ 3090/49 Тираж 683 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35 Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул, Проектная, 4

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления тонкопленочных подстраиваемых резисторов, используемых, например, в датчиках для настройки термокомпенсирунлщих цепей

Известен тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий расположенные на диэлектрической подложке резистивный элемент и контактные площадки 11)

Недостаток известного тонкопленочного подстраиваемого резистора состоит в нестабильности номинала резистора вследствие погрешности, возникающей при саморазогреве резистивного элемента.

Наиболее близким к изобретению техническим решением является тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней резистивным элементом и контактными площадками(?).

Недостаток иэвесгного тонкопле25 ночного подстраиваемого резистора заключается в нестабильности номинала резистора, так как невозможна подстройка после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. 30

Цель изобретения — повышение стабильности номинала резистора путем обеспечения возможности его подстройки после изготовления резистора и в процессе его эксплуатации. 3S

Поставленная цель достигается тем, ч,о тонкопленочный подстраиваемый резистор, содержащий диэлектрическую подложку с размещенным на ней подстра. иваемым резистивным элементом и кон- 4G тактными площадками, снабжен электроискровым планарным электродом, размещенным на диэлектрической подложке и выполненным с острием, ориентированным на подстраиваемый реэистивный элемент.

На чертеже схематично изображен тонкопленочный подстраиваемый резистор.

Тонкопленочный подстраиваемый резистор содержит диэлектрическую подложку 1 с размещенными на ней резистивным элементом 2, контактными площадками 3 и выводами 4. На расстоя нии нескольких микрон от резистивного элемента 2 на диэлектрической подложке 1 расположен планарный электроискровой электрод 5 с выводом 6.

Подстройка номинала резистора осуществляется следующим образом.

Прикладывают достаточно высокое напряжение к электроду 5 и к контактной площадке 3, например, от заряженного конденсатора. В результате возникает электрический пробой среды между контактной площадкой 3 и резистивным элементом 2, при этом происходит эррозия материала резистивного элемента 2 и изменение его сопротивления.

При увеличении плотности тока в канале ра ряда может быть получен дуговой разряд, при этом в резистивном элементе 2 интенсивно образуется кратер дуги и изменение сопротивления резистора. Так как воздействие разряда локальное, а время этого воздействия небольшое, то существенного перегрева резистивного элемента не возникает. Следовательно, сопротивление резистора может контролироваться непрерывно в течение всей операции подстройки „

Изобретение позволяет упростить операцию подстройки тонкопленочных резисторов, повысить ее производительность и точность на всех этапах изготовления и эксплуатации тонкопленочных резисторов.