Магнитный носитель информации

 

МАГНИТНЫЙ НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ , содержащий диэлектрическую подложку, на которой расположена железосодержащая магнитная пленка, отличающийся тем, что, с целью повыщения чувствительности и линейного разрещекия магнитного носителя информации, железосодержащая магнитная пленка выполнена в виде аморфной ферромагнитной пленки DY Ga Fe с перпендикулярной магнитной анизотропией, содержащей, мае./о: DY40-48 Ga2-7 FeОстальное 1 ДМ/1 (Л С /-/v uz.f /Ж

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУбЛИН зад G 11 С 11/14

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOIVIY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОбРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3571464/18-24 (22) 30.03.83 (46) 30.05.84. Бюл. № 20 (72) В. Ю. Яковчук, В. А. Середкин и Г. И. Фролов (71) Институт физики им. Л. В. Киренского (53) 681.327.66 (088.8) (56) 1. Моносов Я. А. Реверсивная гетерогенная среда для записи изображений на основе перегруппировки наполнителя. Препринт № 13(296), М., ИРЭ, 1980.

2. Клюкин Л. М. и др. Фотографирование на магнитные пленки. М., Атомиздат, 1971 (прототип).

„„SV„„1095236 A (54) (57) МАГНИТНЫЙ НОСИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИ И, содержа щи и диэлектрическую подложку, на которой расположена железосодержащая магнитная пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности и линейного разрешения магнитного носителя информации, железосодержащая магнитная пленка выполнена в виде аморфной ферромагнитной пленки

Dy Ga Fe с перпендикулярной магнитной анизотропией, содержащей, мас.%:

Ру 40 — 48

Ga 2 — 7

Fe Остальное

109523б

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в оптических устройствах запоминания, хранения и переработки информации на основе магнитопленочных элементов.

Известен магнитный носитель информации, выполненный в виде реверсивной гетерогенной среды, состоящей из тетракозона (САН 4) с равномерно распределенным в нем мелкими магнитными частицами окиси железа (Feq04), нанесенной на стеклянную 1О подложку. Запись изображений (информации) осуществлялась во внешнем магнитном поле, приложенном перпендикулярно плоскости слоя, путем нагрева светом носителя информации до температуры фазового пере- 15 хода кристалл-жидкость тетракозана. При нагревании носителя информации в нем возникает организованная структура, повышающая прозрачность среды. После охлаждения носителя информации полученное изображение фиксируется (1). 29

Недостатки известного носителя информации — большая улительность экспозиции изображения (-10 с) в процессе записи и относительно низкое линейное разрешение (обусловленное размерами частиц наполнителя Fe>04 и большим временем экспоЗиции) .

Наиболее близким к изобретению является магнитный носитель информации, содержащий стеклянную подложку, на которую нанесена магнитная пленка с полосовой Зо доменной структурой состава 83O/о Ni—

17О/о Fe. Запись изображения в известном носителе информации основана на изменении угла поворота полосовой доменной структуры при совместном воздействии на пленку лучистого нагрева и врашающегося маг- 35 нитного поля. Пленка помещается в поле записи, перпендикулярное полосовым доменам, величиной близкой к полю старта. До облучения полосовые домены сохраняют исходное состояние (направление), так как поле записи недостаточно для их поворота.

В момент записи в результате лучистого нагрева и понижения величины поля старта ПДС поворачивается на углы, зависящие от интенсивности света в данной точке изображения. Для визуализации записанно- 45 го тонального изображения, используют дифракционные свойства магнитной пленки, покрытой магнитным коллоидом (2).

Недостатками такого носителя информации являются относительно низкая энергетическая чувствительность (-4.10 Дж/см град), малое линейное разрешение -10 лин/ мм) н использование магнитного коллоида при визуализации.

Цель изобретения — повышение чувствительности и линейного разрешения магнит- 55 ного носителя информации.

Поставленная цель достигается тем, что в магнитном носителе информации, содержащем диэлектрическую подложку, на которой расположена железосодержащая магнитная пленка, последняя выполнена в виде аморфной ферромагнитной пленки Ру Ga Fe с перпендикулярной магнитной анизотропией, содержащей, мас.о/ц.

Dy 40 — 48

Ga 2 — 7

Fe Остальное

Указанный состав магнитной пленки обеспечивает получение перпендикулярной магнитной анизотропии и относительно низкой температуры Кюри (Т ). Малые значения Т и субмикронная доменная структура пленок в размагниченном состоянии обеспечивают увеличение энергетической чувствительности и линейного разрешения при термомагнитной записи тональных изображений

На фиг. 1 изображена конструкция магнитного носителя информации; на фиг. 2— предельная и частные (кривые 1 — 4) петли гистерезиса пленок Руба Fe в полях Н H„ при: 1 — 20 С; 2 — 35 С; 3 — 50 С; 4—

65 С; на фиг. За и б — схема термомагнитной контактной записи изображений на магнитный носитель информации.

Магнитный носитель информации содержит диэлектрическую подложку 1 (фиг. 1), на которую нанесена аморфная ферромагнитная пленка 2 с перпендикулярной магнитной анизотропией.

Механизм записи тональных изображений заключается в следующем.

Аморфная ферримагнитная пленка состоит из большого ансамбля слабовзаимодействующих областей (магнитных кластеров) очень малых размеров (1 мкм), равномерно распределенных по объему пленки.

Намагниченность в кластерах всегда ортогональна плоскости пленки. Локальные участки имеют большую дисперсию коэрци-..вной силы (Н ) и сильную зависимость Нс от температуры (Т). При Т-Т Н -О. Инвертируя заданным образом направления намагниченности в отдельных кластерах, можно получить в интегральном виде любое значение намагниченности (М) от О до + 1. (М = О соответствует размагниченному состоянию пленки). Для пленок Руба Fe раз-. меры кластеров составляют 1000 А. Пленки обладают большой перпендикулярной анизотропией, а намагниченность насыщения в используемом диапазоне концентраций компонентов имеет минимальные значения (М -20 — 50 1с), поэтому диполь-дипольное взаимодействие между кластерами мало по сравнению с их пороговыми полями перемагничивания. О наличии в пленках

Dy Ga Fe дисперсии коэрцитивности локальных областей можно судить по форме петель гистерезиса (фиг. 2j,. Видно, что спинки как предельной, так и частных петель (крнвые 1 — 4) гистерезиса в полях, не превышающих пороговых (Нг), имеют сущеf

1095236 ственный наклон и хорошую линейность. При увеличении температуры Н линейно уменьшается, а величина остаточной намагниченности пропорционально растет (М вЂ” М,, фиг. 2). Если перпендикулярно пленке прйложить магнитное поле Нз=Н„(поле записи) и облучить ее тепловым импульсом, пространственный температурный градиент которого несет информацию о записываемом изображении, то распределение остаточной намагниченности в пленке будет повторять этот градиент.

Пример. Методом вакуумного испарения на стеклянные подложки при температуре

-ЯО C одновременным испарением из двух тиглей наносят аморфные ферримагнитные пленки Dy Ga Fe с содержанием мас. :

Ру 40 — 48; Ga 2 — 7; Fe остальное (вес.%).

Выбор такого соотношения компонентов определяется тем, что при концентрациях: а) DY40; Ga 7; Б 53; б) Dy48; Ga 2;

Fe 50; (а также промежуточных) в этой области сушествует перпендикулярная ани,зотропия. Оптимальный состав, мас.%:

Ру 45; Ga 4; R 51. Величина коэрцитивной силы составляет 0,5 — 2 кЭ. Намагниченность насыщения Му 20 — 50 Гс. Температура Кюри Т вЂ” = 70 С. Толщи на пленок

-700 †10 А. Полученная таким образом пленка на стеклянной подложке представляет собой магнитный носитель информации.

Запись тональных изображений на предложенный носитель осуществляется термомагнитным способом (фиг. 3 а и .6).

В исходном состоянии аморфная пленка

2, приведенная в контакт с негативом 3, находится в однодоменном состоянии с направлением намагниченности (вверх). Внешнее магнитное поле записи (Н = Н„), приложенное нормально к плоскости носителя и антипараллельно направлению намагниченности МП, никаких изменений в состоянии носителя не вызывает (фиг. 3 а). При воздействии на носитель, контактирующий с негативом, теплового импульса 4 длительностью -10 структура распределения плотности негатива определяет распределение локальных температур в плоскости пленки;

В свою очередь, изменение температуры приводит к изменению локальной намагниченности в пленке, доменная структура которой приобретает соответствующий вид. Локальная намагниченность при этом может принимать значения от 0 до + 1 (фиг. 3 б).

При охлаждении полученное таким образом с негатива изображение в пленке «замораживается» и сохраняется после снятия поJIB H .

Визуализацию полученного изображения осуществляют без магнитного коллоида при помощи магнитооптического эффекта Фарадея.

Полученный магнитный носитель информации обладает хорошей реверсивностью, т.е. позволяет многократно осуществлять на нем цикл запись — стирание.

В сравнении с базовым объектом предлагаемый магнитный носитель информации имеет более высокую энергетическую чувствительность, имеет более высокое линейное разрешение -10 лин/мм; не требует э применения магнитного коллоида при записи и визуализации изображений, что значительно увеличивает реверсивность носителя.

1095236

Диг 3

Составитель Ю. Розенталь

Техред И. Верес Корректор Ю. Макаренко

Тираж 575 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035; Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патент», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор Т. Парфенова

Заказ 3607/34

Магнитный носитель информации Магнитный носитель информации Магнитный носитель информации Магнитный носитель информации 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх